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mos管 文章 進(jìn)入mos管技術(shù)社區
用結點(diǎn)溫度評估器件可靠性的案例分析
- 摘要：工程師在設計一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設計的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結點(diǎn)溫度，目前大多數芯片的結點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內部至外殼的熱阻
- 關(guān)鍵字： 結點(diǎn)溫度 MOS管
關(guān)于MOS管的使用掃盲
- 在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng )。包括MOS管的介紹，特性，驅動(dòng)以及應用電路。 1，MOS管種類(lèi)和結構 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應
- 關(guān)鍵字： MOS管
在仿真功率MOS管時(shí)引發(fā)的思考
- 在實(shí)際產(chǎn)品中經(jīng)常用功率MOS管來(lái)做電源的開(kāi)關(guān)，用來(lái)關(guān)閉電路的某一部分，從而減少能量的消耗。 電路如下： 在這里EN的電壓為5V或是0V,在沒(méi)有看仿真結果以前我想當然的認為，結果應該是EN = 0V ,Vout = oV;EN = 5V,Vout = 5V; 可是仿真結果讓我大吃一驚奇，結果是： EN = 0V ,Vout = 5V;EN = 5V,Vout = 4.96V; 這樣的結果讓我百思不得其解，而且這樣的電路在產(chǎn)品中應用了很多，一個(gè)問(wèn)題
- 關(guān)鍵字： MOS管 IRF7404
經(jīng)驗：MOS管的柵極不能浮空
- 本文介紹了實(shí)際使用MOS管的一個(gè)小經(jīng)驗：柵極不能浮空。 MOS管經(jīng)常用于電路的開(kāi)關(guān)控制，通過(guò)改變柵極(gate)的電壓來(lái)使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。下面就是一個(gè)常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電路。 Vg輸入高時(shí)，N管會(huì )導通，使得P管的柵極為低，P管的DS導通。 一次發(fā)現奇怪的現象，Vg為高阻態(tài)時(shí)，Vout輸入不定，檢查發(fā)現P管的柵極電壓變化不定。仔細檢查發(fā)現R2虛焊，從而導致了N管的柵極浮空，把R2焊好，問(wèn)題解決。 因此，MOS管的柵極不能浮空
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詳細講解MOS管驅動(dòng)電路
- 簡(jiǎn)介：下面是我對MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng )。包括MOS管的介紹、特性、驅動(dòng)以及應用電路。 在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。 下面是我對MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng )。包括MOS管的介紹、特性、驅動(dòng)以及應用電路。 MOSFET管FET
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合理選取MOS管 4大法則指導你
- 簡(jiǎn)介： MOS管，它在電路中是常用到的，因而我們對于它的選取是要重視的。正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問(wèn)題，更是很重要的一個(gè)環(huán)節，MOS管選擇不好，有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本，下面總結出如何正確選取MOS管的四大法則。 法則之一：用N溝道orP溝道 選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個(gè)MOS管接地，而負載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOS管就構成了低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或導通器件所需電壓的
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MOS管工作原理，就是這么簡(jiǎn)單
- 1. MOS管工作原理--MOS管簡(jiǎn)介 MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。 2. MOS管工作原理--Mos管的
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電源的壽命誰(shuí)來(lái)決定
- 電源的壽命就如同人的壽命一樣是無(wú)法預知準確的年限，但是很多大數據分析報告中有平均壽命的概念。電源也一樣，影響其壽命的因數很多，所以一般電源的壽命都是以平均無(wú)故障時(shí)間來(lái)衡量的。 圖1 常見(jiàn)的灌膠模塊電源 電源的壽命主要由內部元器件和PCB的使用壽命以及整個(gè)焊接和裝配的工藝確定的。在設計上要保證電源元器件的參數選擇，在生產(chǎn)上要保證整個(gè)焊接和裝配的一致性及可操作性。這樣可以從源頭保證了電源的穩定性和可靠性。 保證電源壽命的關(guān)鍵環(huán)節! 我們要減少故障發(fā)生的可
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開(kāi)關(guān)電源設計中如何區別及選用三極管和MOS管
- 三極管的工作原理：三極管是電流放大器件，有三個(gè)極，分別叫做集電極C，基極B，發(fā)射極E。分成NPN和PNP兩種。我們僅以N...
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基于MOS管驅動(dòng)變壓器隔離電路分析和應用
- 如果驅動(dòng)高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅動(dòng)的方式和集成的高邊開(kāi)關(guān)。這兩個(gè)解決方案都有自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，適...
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MOS管與三極管在電路設計中的不同應用
- 我們在做電路設計中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區別工作性質(zhì)： 1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制. 2、成本問(wèn)題：三極管便宜，MOS管貴。 3、功耗問(wèn)題：三極管損耗大。 4、驅動(dòng)能力：MOS管常用來(lái)電源開(kāi)關(guān)，以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。 實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數字電路開(kāi)關(guān)控制。 MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。 一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話(huà)考慮MOS管
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MOS管驅動(dòng)電路總結
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mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管?；蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]
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