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IDT推出全球最高性能Gen 3 PCI Express交換器件
- 擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 發(fā)布全球最高性能的 Gen 3 PCI Ex-press (PCIe) 交換芯片系列,用于固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 存儲陣列和云計算應用。新的交換芯片系列以占據領(lǐng)導地位的 IDT 高性能、可升級的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎,支持多達 64 通道和 16 端口的容量,并支持更多協(xié)議,以改善效率和降
- 關(guān)鍵字: IDT SSD Gen 3 PCI
IDT推出Gen 3 PCI Express交換器件

- 擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT公司 (Integrated Device Technology) 發(fā)布全球最高性能的Gen 3 PCI Express (PCIe) 交換芯片系列,用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD) 存儲陣列和云計算應用。新的交換芯片系列以占據領(lǐng)導地位的 IDT 高性能、可升級的 PCIe Gen 1 和 Gen 2 交換芯片為基礎,支持多達64 通道和16 端口的容量,并支持更多協(xié)議,以改善效率和降低功耗。
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硬盤(pán)廠(chǎng)商情何以堪 創(chuàng )見(jiàn)2TB U盤(pán)研發(fā)成功

- 據Tomshardware報道,臺灣ITRI(工業(yè)技術(shù)研究所)和存儲廠(chǎng)商創(chuàng )見(jiàn)Transcend聯(lián)合研制成功了容量可達2TB的USB 3.0 U盤(pán)。在目前好多人還沒(méi)有機會(huì )體驗2TB超大海量硬盤(pán)的今天,U盤(pán)的容量已經(jīng)迅速飆升到了2TB,這真是讓硬盤(pán)廠(chǎng)商情何以堪啊。
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ST發(fā)布全球首款獨立Calypso Revision 3智能卡芯片
- 城市交通網(wǎng)絡(luò )和電子售檢票運營(yíng)商正不斷尋求可提高智能卡服務(wù)品質(zhì)的方法,橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布新款可支持最新版Calypso電子車(chē)票開(kāi)放標準的安全芯片,以支持更多的創(chuàng )新服務(wù),兼容現有的Calypso標準讀卡器,讓運營(yíng)商能夠快速且以更低的成本推出下一代智能卡解決方案。
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基于雙處理器的點(diǎn)焊控制系統的硬件設計

- 摘要:針對點(diǎn)焊的控制特點(diǎn),設計了一種基于雙處理器的點(diǎn)焊控制系統。在該系統中,DSP模塊負責智能控制程序運算,MCU模塊負責進(jìn)行人機對話(huà),而信號的輸入輸出則由獨立的ADIO模塊負責。模擬試驗表明,該硬件系統滿(mǎn)足工
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點(diǎn)焊控制 雙處理器 硬件設計
點(diǎn)焊是將焊件裝配成搭接接頭,并壓緊在兩電極之間,利用電流通過(guò)焊件時(shí)產(chǎn)生的電阻熱熔化母材金屬,冷卻后形成焊點(diǎn)的一種電阻焊方法。其通電加熱時(shí)間一般為幾至幾十周波(一周波為0.02s),而電流有效值一般為幾至幾十KA。
Broadcom有線(xiàn)電視網(wǎng)關(guān)給IP家庭網(wǎng)絡(luò )革命注入活力
- 全球有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信半導體創(chuàng )新解決方案的領(lǐng)導者Broadcom(博通)公司(Nasdaq:BRCM)宣布,第三代DOCSIS 3.0單芯片系統(SoC)將加速寬帶網(wǎng)關(guān)市場(chǎng)的發(fā)展,在所有有線(xiàn)電視用戶(hù)端設備(CPE) 細分市場(chǎng)中,該市場(chǎng)是增長(cháng)最快的。
- 關(guān)鍵字: Broadcom SoC DOCSIS 3.0
馬自達實(shí)現“全球最高燃效”的秘笈
- 馬自達開(kāi)發(fā)出了新型低燃耗汽油發(fā)動(dòng)機。該技術(shù)是該公司在有限的經(jīng)營(yíng)資源條件下推出的環(huán)保車(chē)戰略的支柱。...
- 關(guān)鍵字: 馬自達 SKYACTIV-G1.3 燃效性能
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