低噪聲、高線(xiàn)性度的3.5GHz LNA設計

無(wú)線(xiàn)接收機的靈敏度實(shí)際上主要與系統噪聲系數(F)有關(guān)，因為帶寬(BW)由標準預先確定。

　　(公式1)

　　低噪聲放大器(LNA)正如它的名字含義那樣，通過(guò)減小系統噪聲系數來(lái)提高接收機的靈敏度。Friss公式表明，接收機第1級電路的噪聲系數(F1)占主導作用，后級電路(即F2,F3...)的影響則逐漸減小。

　　(公式2)

　　其中，Gn代表接收鏈路中第n級電路的增益。

　　發(fā)射機和接收機通過(guò)選頻雙工器，或者頻域雙工或時(shí)域雙工(TDD)的射頻開(kāi)關(guān)，共用一根天線(xiàn)。另外，在LNA之前可能會(huì )插入一個(gè)帶通濾波器，用于防止被強大的帶外干擾所阻塞或減敏。遺憾的是，雙工器和濾波器都是無(wú)源器件，都存在一定的射頻損耗。因為這些損耗發(fā)生在LNA之前，所以它們對總的靈敏度有很大的影響。因此，如果LNA噪聲系數具有一定的設計余量，那么雙工器和濾波器的損耗指標也許就不那么重要了。

　　除了低噪聲外，其它重要的性能參數還包括增益和線(xiàn)性度。無(wú)線(xiàn)基礎設施通常包含一個(gè)塔頂安裝的LNA，這個(gè)LNA需要通過(guò)一根長(cháng)電纜連接到地面的無(wú)線(xiàn)電小屋，因此，為了克服電纜損耗，最好具有較高的增益。線(xiàn)性度之所以重要，是因為在塔周?chē)纳漕l頻譜非常擁擠，因為要與其它無(wú)線(xiàn)服務(wù)共享基站。

　　本文的目的是要表明，從性能和成本角度考慮，單級GaAs PHEMT微波單片集成電路(MMIC)是實(shí)現無(wú)線(xiàn)基礎設施使用的3.5GHz LNA的最佳解決方案。

　　MMIC器件

　　圖1顯示了安華高公司MGA-635P8 MMIC的內部和外部電路。內部電路由制造在同一裸片上的一個(gè)共源共柵放大器(AMP)和一個(gè)有源偏置調節器(BIAS)組成。共源共柵拓撲結構主要是根據3.5GHz時(shí)大于15dB增益這個(gè)要求設計的，因為以前采用相同的GaAs增強型偽形態(tài)高電子遷移率晶體管(ePHEMT)工藝的共源(CS)設計只能達到約13dB的增益。雖然兩級共源電路可以通過(guò)級聯(lián)達到期望的增益，但共源共柵拓撲結構具有電流再使用的額外優(yōu)勢，即同一電流流經(jīng)兩級電路。

　　圖1：(a)LNA電路和(b)PCB和元件。

　　在一些接收機實(shí)現中，當輸入信號很強時(shí)，LNA之后的增益級電路將被射頻開(kāi)關(guān)旁路掉。開(kāi)關(guān)切換引起的LNA負載匹配(ΓL)的變化將被傳回到輸入匹配(S11)，因為該器件為非單向型(即S12≠0)。天線(xiàn)和輸入濾波器都是對端接非常敏感的器件，它們可能因S11變化而失諧。當S12接近于零時(shí)，S11對負載變化的敏感度會(huì )降低，(公式21) (當s12→0)。

　　共源共柵拓撲的反向隔離是共源拓撲的1/200至1/2000，這是選擇共源共柵拓撲的第二個(gè)原因。由于直接轉換接收器對本地振蕩器的自混頻較靈敏，所以此器件同樣能從較好的隔離中受益。

　　共源共柵拓撲中的每個(gè)FET都只能得到總供電電壓Vdd的一半。因此，在低電壓工作時(shí)，共源共柵拓撲的增益和線(xiàn)性度可能要比共源拓撲低。EPHEMT是實(shí)現共源共柵的理想選擇，因為其增益和線(xiàn)性度在Vds≥2V時(shí)非常穩定。共源共柵輸出要與串聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò )級聯(lián)起來(lái)，以便提高工作頻率以上的穩定性。

　　MMIC采用了成熟且極具成本效益的0.25μm工藝制造，其增益帶寬乘積fT超過(guò)30GHz。除了盡量減少達到目標增益所要求的電路級數外，較高的fT也有利于實(shí)現低噪聲系數。另外，通過(guò)加倍金屬厚度，可以最大限度地減小電路互連中產(chǎn)生的Johnson噪聲。這種0.64x0.64mm芯片安裝在8引腳的方形扁平無(wú)引腳(QFN，2x2x0.75mm)塑料封裝內。

　　內部偏置調節器允許通過(guò)RBIAS或外部施加的偏置電壓VBIAS控制LNA靜態(tài)電流(Ids)。調節器的低電流驅動(dòng)要求(IBIAS≤1mA)與大多數CMOS器件兼容，并且可以在時(shí)域雙工(TDD)應用中使用5V邏輯切換LNA(斷開(kāi)LNA可以防止發(fā)射期間由于柵極電流增加引起的金屬遷移)。器件閾值電壓(VT)、前向跨導(gm)和RDS(導通)會(huì )隨溫度變化以及晶圓不同而改變，進(jìn)而逆向改變工作點(diǎn)。在此設計中，在一顆芯片上集成偏置調節器和LNA有助于穩定工作點(diǎn)，因為VBIAS和VGS電壓可以通過(guò)相互鏡像來(lái)補償熱漂移和不同晶圓批次之間的gm變化。