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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
美光讓利不變 華亞科明年大賺
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- DRAM廠(chǎng)華亞科與兩大股東臺塑集團、美國美光(Micron)等三方之間,已經(jīng)對明年合約內容達成共識,明年華亞科出貨給美光的DRAM計價(jià)公式,與今年相同維持不變。 ? 美光DRAM產(chǎn)能配置 華亞科明年將投資逾500億元加速轉進(jìn)20奈米,隨著(zhù)20奈米產(chǎn)出比重逐月持續拉升,單位制造成本將持續下降,只要DRAM價(jià)格維持高檔,獲利可望大躍進(jìn),全年每股凈利挑戰8元以上。 華亞科去年與美光重新簽訂6年期合約,華亞科產(chǎn)出全數交給美光,今年初合約內容進(jìn)行部分調整,給予美光的折扣
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DRAM將大缺貨?iPhone 7 DRAM容量傳倍增
- 記憶體品牌威剛科技將于2015年1月6日至9日參與全球消費性電子產(chǎn)品盛事─“國際消費性電子展”(CES)?,F場(chǎng)將展示全產(chǎn)品存儲解決方案,包含高效能DDR4記憶體模組、全系列固態(tài)硬碟(SSD)、USB 3.1外接式存儲裝置、Type C OTG隨身碟、與全方位行動(dòng)周邊產(chǎn)品。展現最先進(jìn)的存儲科技。 威剛將實(shí)機展示世界最快、時(shí)脈達3465 MHz玩家級16GB (4GBx4)XPG Z1 DDR4記憶體模組,搭配全新閃耀金光散熱片,展現極速效能。此外,領(lǐng)先展出時(shí)脈3200 MH
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DRAM市場(chǎng)一路順風(fēng) 韓廠(chǎng)晉升、獎勵不斷
- DRAM產(chǎn)業(yè)屢傳佳績(jì),主要供應商三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等業(yè)績(jì)大幅改善,三星電子內存事業(yè)部晉升人數創(chuàng )3年新高,員工也可望在2015年初,通過(guò)超額利潤分配金分享公司獲利。 據D-Daily報導,三星電子最近執行定期高層人事調動(dòng),2015年度內存事業(yè)部晉升規模達22人,相較2013年14人晉升,2014年升職人數創(chuàng )近年新高。因今年業(yè)績(jì)低迷,三星集團(Samsung Group)主要關(guān)系企業(yè)的人員升遷規模,相較于往年大幅萎縮,只有內存事業(yè)部晉升
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1637億!臺灣四大觸控廠(chǎng)債臺高筑
- 觸控面板廠(chǎng)債臺高筑,截至今年第3季底為止,TPK宸鴻、勝華、接口及洋華等四家業(yè)者,負債合計約1,637億元新臺幣。其中,TPK、勝華、接口的負債比率都高于60%,僅洋華負債比率較低,為17.1%。 勝華不堪財務(wù)壓力,大舉裁員,面臨營(yíng)運存活之際,市場(chǎng)再度關(guān)注觸控面板廠(chǎng)財務(wù)狀況。TPK截至今年第3季底,負債總額突破千億元新臺幣、達1,005.92億元新臺幣,比第2季的963億元新臺幣增加4.5%,負債金額居本土四大觸控面板廠(chǎng)之冠。 法人指出,若產(chǎn)業(yè)趨勢向上,業(yè)者透過(guò)舉債擴張、放大財務(wù)杠桿,有助
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力晶黃崇仁:物聯(lián)網(wǎng)需求加持,DRAM產(chǎn)業(yè)前景看俏
- 對于整體DRAM產(chǎn)業(yè)的看法,記憶體廠(chǎng)力晶執行長(cháng)黃崇仁認為,由于過(guò)去5年并沒(méi)有新產(chǎn)能加入,而需求端則已從個(gè)人電腦拓展至伺服器、行動(dòng)裝置、消費性電子,以及物聯(lián)網(wǎng)等應用;在供給有限、需求則不斷成長(cháng)下,從短期來(lái)看,預估明年供不應求的缺口仍在,若伺服器及物聯(lián)網(wǎng)需求快速成長(cháng),則明年將是大缺貨的一年;若以長(cháng)期來(lái)看,則預估將長(cháng)期呈現供不應求。 黃崇仁指出,DRAM產(chǎn)業(yè)目前僅剩三星、海力士與美光等三大陣營(yíng),預計未來(lái)不會(huì )像之前一樣盲目擴產(chǎn),因此整體供給將受到節制。他并點(diǎn)出,物聯(lián)網(wǎng)所用的DRAM,即一般所稱(chēng)「i-RA
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明年DRAM大缺貨,絕對物聯(lián)網(wǎng)元年

- 在國內也屬于老字號的半導體廠(chǎng)力晶科技,與南亞科、華亞科一樣擁有記憶體產(chǎn)能,也和臺積電、聯(lián)電爭搶邏輯晶片晶圓代工訂單,但創(chuàng )辦人黃崇仁說(shuō),力晶不是DRAM廠(chǎng),也不是Foundry,而是獨步全球的“Open Foundry”。 ? 記憶體廠(chǎng)力晶科技成立20年,創(chuàng )辦人黃崇仁指出,力晶已有了長(cháng)期穩定獲利的成功方程式。圖文/楊曉芳 在這個(gè)新的商業(yè)模式下,力晶將締造出年連續3年、年獲利突破百億元的佳績(jì)(2013~2015年),這也是力晶成立20年來(lái)第一次出
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美光欲重談華亞科合約 傳遭臺塑拒絕
- DRAM產(chǎn)業(yè)前景轉佳,近期業(yè)界傳出美光(Micron)要求臺塑重談對華亞科的計價(jià)合約,借此拿下更高獲利分配權,但臺塑認為既有合約尚未走完,遂予以拒絕,并將2015年焦點(diǎn)放在20納米制程技術(shù)轉移上,協(xié)助華亞科轉進(jìn)20納米制程,全面迎接DDR4芯片世代。 自從美光成功整并臺、美、日DRAM產(chǎn)業(yè),與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)成為全球三大記憶體廠(chǎng)后,美光一直與臺塑針對合資公司華亞科的投資股權、產(chǎn)能分配及獲利計價(jià)等進(jìn)行調整。 2012年底臺塑宣
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預測2015年DRAM產(chǎn)業(yè)五大趨勢
- 2014年是 DRAM 產(chǎn)業(yè)獲利頗為豐收的一年。受惠于全球智慧型手機持續熱銷(xiāo),一線(xiàn)DRAM大廠(chǎng)紛紛轉進(jìn)行動(dòng)式記憶體; TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預估, 2014年行動(dòng)式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%,2015年更有機會(huì )突破40%大關(guān)。 DRAMeXchange 研究協(xié)理郭祚榮表示,拜行動(dòng)式記憶體需求暢旺所賜,標準型記憶體產(chǎn)出相對減少,反倒讓模組價(jià)格始終維持在高價(jià)水位,2014年4GB模組均價(jià)約32美元,標準型記憶體毛利率平均達40%以上。各DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM 英特爾
研調:明年DRAM產(chǎn)值估增16%,產(chǎn)業(yè)獲利能力看升
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange預估,全球2015年DRAM產(chǎn)值將達541億美元,年增16%,為市場(chǎng)穩定、獲利成長(cháng)的一年。DRAMeXchange指出,受惠于全球智慧型手機持續熱銷(xiāo),一線(xiàn)DRAM大廠(chǎng)紛紛轉進(jìn)行動(dòng)式記憶體,預估2014年行動(dòng)式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%,2015年更有機會(huì )突破40%大關(guān)。 DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示,拜行動(dòng)式記憶體需求暢旺所賜,標準型記憶體產(chǎn)出相對減少,反倒讓模組價(jià)格始終維持在高價(jià)水位,2014年4GB模組均價(jià)
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半導體前景看好 韓后段制程設備廠(chǎng)笑開(kāi)懷
- 南韓半導體后段制程設備廠(chǎng)下半年營(yíng)收展望亮起綠燈,韓系半導體大廠(chǎng)三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKHynix)將擴產(chǎn)DRAM,增加后段制程處理量,臺灣及大陸將擴充晶圓代工設備并增加非內存產(chǎn)量等,將為南韓半導體后段制程設備廠(chǎng)帶來(lái)正面影響。 據ETNews報導,TechWing和HanmiSemiconductor第3季營(yíng)收將出現二位數以上的成長(cháng),UniTest與2013年同期相比也可望創(chuàng )造亮眼的成果。 2014年三星和SK海力士擴產(chǎn)DRAM和NANDFlash,
- 關(guān)鍵字: 半導體 三星 DRAM
搶食蘋(píng)果A9失利 三星多余產(chǎn)能恐轉進(jìn)DRAM
- 三星爭奪蘋(píng)果新世代處理器訂單失利,半導體設備廠(chǎng)分析,將迫使三星將多余產(chǎn)能轉向DRAM或快閃存儲器,恐對明年下半年存儲器產(chǎn)業(yè)形成新的隱憂(yōu)。 三星日前一再表示,未來(lái)會(huì )節制性推升產(chǎn)能,但市場(chǎng)持續關(guān)注三星是否會(huì )重新拿回大部分蘋(píng)果新世代處理器訂單,因為若三星與蘋(píng)果重修舊好,將可抵銷(xiāo)手機銷(xiāo)售的不利,同時(shí)減緩將產(chǎn)能轉為生產(chǎn)DRAM或快閃存儲器的壓力。 法人分析,三星因蘋(píng)果處理器代工訂單流失,加上自家手機銷(xiāo)售不佳,導致獲利主軸重回存儲器,今年首季存儲器占總獲利僅14%,但第3季占比已竄升至近六成,其中,1
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第三季全球移動(dòng)存儲器營(yíng)收34.6億美元

- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調查顯示,全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收在 2014年第三季達34.6億美元,季成長(cháng)6%,占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導體(Samsung)不意外仍穩居第三季行動(dòng)式記憶體龍頭,而且市占首度突破50%,儼然成為一方霸主,讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。 雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài),導致第三季行動(dòng)式記憶體價(jià)格小幅度下滑,但因位元產(chǎn)出增加,全球行動(dòng)式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星 SK海力士
存儲器再成三星最大獲利來(lái)源 4Q產(chǎn)值恐較前季衰退

- 三星電子(Samsung Electronics)過(guò)去最大獲利來(lái)源─半導體事業(yè),自2011年第3季起被其另一獲利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事業(yè)部取代,至3年后的2014年第3季,方因IM事業(yè)獲利急轉直下,供需結構已趨于穩定的半導體事業(yè)再度成為三星最大獲利來(lái)源。 因包括標準型(Standard)、行動(dòng)裝置、伺服器用DRAM位元需求量皆較前季增溫,三星2014年第3季DRAM營(yíng)收較前季成長(cháng)18.7%,達5.32兆
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制程在競賽 獲利很穩定
- 三星、SK海力士及美光三大DRAM廠(chǎng)明年制程進(jìn)入20納米世代,盡管市場(chǎng)憂(yōu)心恐造成供給大增、壓抑價(jià)格走勢,但DRAM業(yè)者強調,制程微縮并非一、兩天可以完成,期間將遭遇技術(shù)瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問(wèn)題,因此盡管資本支出龐大,明年DRAM價(jià)格仍可望持穩,業(yè)者仍會(huì )穩定獲利。 集邦協(xié)理吳雅婷表示,三星及SK海力士在制程推進(jìn)至25納米期間,都吃足苦頭,預料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程,同樣也將面臨極大的挑戰。三星首次進(jìn)入28納米制程時(shí),因良率無(wú)法有效提升,黯然宣告中止,部分產(chǎn)能轉回35納米,
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DRAM報價(jià)下跌 行情恐反轉

- DRAM行情出現反轉訊號,專(zhuān)業(yè)報價(jià)機構集邦科技昨(17)日公布11月上旬DRAM合約價(jià)終止連續半年漲勢,最高較10月下旬下跌4.5%,預期明年首季將續跌5%至7%,法人憂(yōu)心隨著(zhù)報價(jià)走弱,恐不利南亞科、華亞科短期營(yíng)運。 盡管合約價(jià)走勢露疲態(tài),南亞科資深副總經(jīng)理李培瑛強調,目前DRAM市況穩定,個(gè)人計算機及服務(wù)器市場(chǎng)仍供不應求,但低功率、消費及現貨市況持平。他預估,南亞科本季整體產(chǎn)品平均售價(jià)估計將較第3季下滑3%至5%,整體營(yíng)運還是會(huì )不錯。 據悉,三星日前與個(gè)人計算機大廠(chǎng)惠普,協(xié)議第4季標準型
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星
lpddr5x dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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