預測2015年DRAM產(chǎn)業(yè)五大趨勢

　　2014年是 DRAM 產(chǎn)業(yè)獲利頗為豐收的一年。受惠于全球智慧型手機持續熱銷(xiāo)，一線(xiàn)DRAM大廠(chǎng)紛紛轉進(jìn)行動(dòng)式記憶體; TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預估， 2014年行動(dòng)式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機會(huì )突破40%大關(guān)。

　　DRAMeXchange 研究協(xié)理郭祚榮表示，拜行動(dòng)式記憶體需求暢旺所賜，標準型記憶體產(chǎn)出相對減少，反倒讓模組價(jià)格始終維持在高價(jià)水位，2014年4GB模組均價(jià)約32美元，標準型記憶體毛利率平均達40%以上。各DRAM廠(chǎng)朝向全面獲利的狀態(tài)，寡占市場(chǎng)格局與需求端的市場(chǎng)變化都將牽動(dòng)2015年DRAM產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展。

　　DRAMeXchange 預測 2015年 DRAM 產(chǎn)業(yè)五大市場(chǎng)趨勢如下：

　　(1) DRAM成長(cháng)趨緩但各廠(chǎng)皆以獲利為優(yōu)先

　　DRAM產(chǎn)業(yè)轉為寡占市場(chǎng)結構，僅存的三大DRAM廠(chǎng)皆以獲利導向為優(yōu)先，謹慎控制產(chǎn)出與產(chǎn)品類(lèi)別的調整，加上全球智慧型手機持續維持高度成長(cháng)，亦讓產(chǎn)能轉向行動(dòng)式記憶體，擠壓到標準型記憶體的產(chǎn)出，讓標準型記憶體市場(chǎng)價(jià)格維持高價(jià)水位，儼然成為DRAM廠(chǎng)的金雞母，因此在獲利方面都交出亮眼的成績(jì)單。DRAMeXchange預估 2015年的DRAM產(chǎn)值將達541億美元，年成長(cháng)為16%，為市場(chǎng)穩定成長(cháng)獲利的一年。

　　(2) 三星與SK海力士皆有新廠(chǎng)完工，視市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)調整產(chǎn)能

　　三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)不約而同在2014年宣布擴建新廠(chǎng)的消息，產(chǎn)能競賽再起的傳聞甚囂塵上，但DRAMeXchange指出，事實(shí)上三星在擴建Line17的同時(shí)，Line16 DRAM產(chǎn)能已悄悄縮減并歸還給NAND事業(yè)部使用。而SK海力士M14預計在明年第四季才有少量投片，較大規模的投片將在2016年才會(huì )浮現。

　　整體而言，DRAMeXchange認為由于市場(chǎng)的需求仍會(huì )持續成長(cháng)，工廠(chǎng)只是為未來(lái)需求而興建，只要投片產(chǎn)出是有計劃性的，后續價(jià)格雖然會(huì )逐季下降，但只要制程轉進(jìn)持續進(jìn)行，DRAM廠(chǎng)獲利仍能夠保持在現有水位。

　　(3) 行動(dòng)式記憶體躍居主流，LPDDR4明年現身

　　2014年智慧型手機走入平價(jià)化，不少高規低價(jià)機種在全球市場(chǎng)攻城掠地，讓新興市場(chǎng)掀起一股智慧型手機的換機潮。 郭祚榮表示，在智慧型手機市場(chǎng)不停擴大的同時(shí)，2015年行動(dòng)式記憶體市占也逼近全球市場(chǎng)的40%，相較于標準型記憶體27%的占比，行動(dòng)式記憶體已躍升全球DRAM市場(chǎng)主流產(chǎn)品。

　　另一方面，從行動(dòng)式記憶體做觀(guān)察，2015年主流規格仍是LPDDR3，產(chǎn)出量達60%以上，而新規格LPDDR4將在明年首度應用在旗艦智慧型手機機種，無(wú)論省電機制與時(shí)脈更勝LPDDR3，預計2015年市占率將達到15%。

　　(4) 20nm成為主戰場(chǎng)，然而資本支出增加將讓制程轉進(jìn)趨緩

　　韓系DRAM廠(chǎng)25nm制程在2014年下半年已邁入成熟期，無(wú)論良率與投片規模都成為DRAM主流規格。至于20nm制程，三星已進(jìn)入驗證階段，SK海力士預計在明年第二季初進(jìn)入市場(chǎng);相較之下，美光(Micron)目前規劃只有華亞科才有20nm制程的標準型記憶體，轉進(jìn)進(jìn)度較兩大韓廠(chǎng)落后，目標2015年底達到80K投片量。

　　DRAMeXchange表示，由于進(jìn)入20nm制程需要更多的設備來(lái)生產(chǎn)，意味著(zhù)需要更多的資本支出，然而在獲利導向下，各廠(chǎng)20nm制程的轉進(jìn)比重將會(huì )趨緩。

　　(5) 2015年年底伺服器用DDR4市占有望突破50%大關(guān)

　　在英特爾(Intel)強勢主導與DRAM廠(chǎng)的全力配合下，DDR4記憶體將在伺服器領(lǐng)域率先切入。郭祚榮表示，伺服器記憶體除了穩定性的要求外，近期更著(zhù)墨于低電壓與速度兼顧。根據JEDEC的規范，DDR4電壓值僅有1.2V，未來(lái)速度更可高達3200Mhz。而價(jià)格部分也正與伺服器用DDR3逐步貼近，DRAMeXchange預計DDR4最快于2015年底取代DDR3，正式成為伺服器市場(chǎng)記憶體主流。