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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
三星擴產(chǎn)，美光嚇破底
- 記憶體卡巨擘SanDisk下修展望，加上傳言三星屯兵積糧、似有增產(chǎn)企圖，導致美光科技(Micron Technology)股價(jià)連瀉三日，創(chuàng )下近三個(gè)月新低。 SeekingAlpha引述券商Northland Securities報告指出，三星大買(mǎi)DRAM機臺、計畫(huà)增加產(chǎn)能，美光將最先感受到?jīng)_擊。 此前，高盛警告記憶體業(yè)可能進(jìn)入新一輪產(chǎn)能軍備競賽，美光上周曾對此表示，半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)整并后，不太可能重蹈覆轍。不過(guò)，如果三星增產(chǎn)是事實(shí)，即使市場(chǎng)需求沒(méi)有問(wèn)題，也難保DRAM定價(jià)不會(huì )面臨壓力。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 美光
DRAM價(jià)Q1看跌5% 沖擊廠(chǎng)商
- ? 進(jìn)入淡季后，第1季DRAM價(jià)格將持續下跌，業(yè)者預期，單季跌幅可能超過(guò)5%，比第4季的跌價(jià)幅度稍大。這對于華亞科、南亞科等廠(chǎng)商的業(yè)績(jì)，可能造成部分影響。業(yè)者強調，整體而言，今年的DRAM市況雖然可能不如去年，但還算樂(lè )觀(guān)。 DRAM業(yè)者指出，去年第4季DRAM價(jià)格跌幅約在5%以?xún)?，本季跌幅可能擴大，但還算健康的緩跌狀態(tài)。PC DRAM與消費型DRAM因為處于淡季，價(jià)格可能跌幅較多，行動(dòng)裝置所使用的記憶體價(jià)格也應該會(huì )稍微下滑，較可能逆勢上漲者，是需求相當強勁的伺服器用DRA
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
IHS：全球top 20半導體廠(chǎng)排行榜
- 美國市場(chǎng)調查公司IHS于2014年12月22日發(fā)布調查報告稱(chēng)，預計2014年全球半導體銷(xiāo)售額將比上年增長(cháng)9.4%，達到3532億美元，實(shí)現自2010年以來(lái)的最高增長(cháng)率。IHS副總裁兼首席分析師Dale Ford稱(chēng)：“2014年的市場(chǎng)是最近幾年里最為健全的。2013年的市場(chǎng)擴大(增長(cháng)率6.4%)主要得益于存儲器領(lǐng)域的增長(cháng)，而2014年整體表現都很出色，在年末假日季，各個(gè)領(lǐng)域的供應商都能因此而受益。” IHS將半導體市場(chǎng)分為28個(gè)小領(lǐng)域進(jìn)行了調查。在2013年，這28個(gè)領(lǐng)域中
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SK海力士 DRAM
Gartner：蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內存制造商帶來(lái)增長(cháng)
- Gartner發(fā)布初步統計結果，2014年全球半導體總營(yíng)收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長(cháng)7.9%。前25大半導體廠(chǎng)商合并營(yíng)收增長(cháng)率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現。前25大廠(chǎng)商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來(lái)看，DRAM廠(chǎng)商的表現勝過(guò)半導體產(chǎn)業(yè)其他廠(chǎng)商。這股趨勢始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續至今，2014年營(yíng)收也因而增長(cháng)31.
- 關(guān)鍵字： Gartner DRAM 英特爾
三星可望獨家供應20納米DRAM予新一代iPhone
- 三星電子(Samsung Electronics)有望獨家供應20納米DRAM給蘋(píng)果(Apple)新款iPhone，據Digital Times報導，蘋(píng)果正考慮獨家采用三星先進(jìn)制程之Mobile DRAM與NAND Flash。 蘋(píng)果之前從英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)等多家記憶體廠(chǎng)進(jìn)行采購，但由于三星的技術(shù)與競爭對手差距拉大，而陷入策略思考中。 三星日前剛發(fā)表采用20納米制程生產(chǎn)的8GB LPDDR4 Mobile DR
- 關(guān)鍵字： 三星 英特爾 DRAM
Gartner：全球半導體產(chǎn)值 去年估增7.9%
- 研調機構顧能(Gartner)初估，2014年全球半導體產(chǎn)值達3398億美元，年增7.9%。 顧能表示，動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)供應商去年營(yíng)運表現超過(guò)整體半導體產(chǎn)業(yè)水準。 顧能指出，受惠市場(chǎng)供不應求及價(jià)格持續穩定，去年DRAM市場(chǎng)產(chǎn)值大增31.7%;記憶體市場(chǎng)去年產(chǎn)值成長(cháng)16.9%，是帶動(dòng)去年半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)的最大動(dòng)力。 去年不計記憶體的半導體產(chǎn)值年增5.4%，遠比2013年成長(cháng)0.8%佳。 據顧能統計，英特爾(Intel)去年營(yíng)收達508.4億美元，蟬聯(lián)全球半導體龍頭地位
- 關(guān)鍵字： DRAM 英特爾 高通
韓半導體投資擴大 設備廠(chǎng)新年度期待滿(mǎn)滿(mǎn)
- 韓系半導體大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續擴大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)，2014年受到半導體市場(chǎng)榮景帶動(dòng)對產(chǎn)線(xiàn)投資而荷包滿(mǎn)滿(mǎn)的設備業(yè)者，預期2015年也將迎來(lái)亮眼的業(yè)績(jì)。 據ET News報導，三星和SK海力士2015年可望為擴充DRAM、NAND Flash、系統芯片產(chǎn)線(xiàn)而執行投資。因轉換微細制程，導致生產(chǎn)量減少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。 三星17產(chǎn)線(xiàn)將于201
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
三星及SK海力士將投資19萬(wàn)億韓元研發(fā)芯片
- 三星電子和世界頂級的內存芯片制造商SK海力士計劃在2015年投資19萬(wàn)億韓元用于研發(fā)芯片，此次投資計劃高于去年17.7萬(wàn)億韓元的芯片投資資金。據美國一位對沖基金負責人表示，三星電子和SK海力士希望通過(guò)此次19萬(wàn)億韓元的投資，改善產(chǎn)品結構，適應市場(chǎng)狀況，調整市場(chǎng)的供求平衡。 據悉，一些對沖基金和市場(chǎng)投資機構都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來(lái)發(fā)展。按照投資計劃，三星電子計劃投資3.5萬(wàn)億韓元，SK海力士計劃投資5.5萬(wàn)億韓元。三星一位官員表示，三星的銷(xiāo)量增長(cháng)將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM
三星鎖定存儲器市場(chǎng)7成獲利 SK海力士、東芝緊張
- 三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場(chǎng)70%以上獲利，加速研發(fā)新技術(shù)與擴大產(chǎn)量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯(lián)手，但技術(shù)力差距牽制不易。同時(shí)，因智能型手機事業(yè)陷低潮的三星，能否借存儲器事業(yè)翻身成為焦點(diǎn)。 據韓媒E-Daily報導，三星為搶占2015年存儲器半導體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計DRAM與NAND Flash的整體存儲器半導體營(yíng)收規模預估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。 更多
- 關(guān)鍵字： 三星電子 存儲器 DRAM
DRAM樂(lè )觀(guān) NAND有隱憂(yōu)
- 記憶體市況今年將不同調;動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂(yōu)。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠(chǎng)去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠(chǎng)南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng )歷史新高紀錄。 NAND Flash市場(chǎng)競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士 NAND Flash
20納米制程 躍今年DRAM主秀
- 隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及華亞科(3474)也預定第2季導入20奈米量產(chǎn)，讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)，將正式推進(jìn)至20奈米世代。 不過(guò)，20奈米需要投入龐大的資本支出，各DRAM考量必須在獲利的基礎上進(jìn)行擴充，也讓今年各家20奈米制程推進(jìn)趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢報告，預告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續維持寡占格局，支持DRAM持穩不墜，今年各家DRAM廠(chǎng)仍處于全面獲利的一年。 集邦預估，今年DARM產(chǎn)值達541億元，年增16%。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM SK海力士
三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過(guò)半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉換制程，2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中，將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術(shù)，在伺服器和高階移動(dòng)裝置用次世代DRAM市場(chǎng)上拉開(kāi)與其他競爭對手的差距，維持市場(chǎng)獨大地位。 據韓國首爾經(jīng)濟報導，三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調機構DRAMeXchange近期資料指出，三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示，目前20納米
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過(guò)半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉換制程，2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中，將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術(shù)，在伺服器和高階移動(dòng)裝置用次世代DRAM市場(chǎng)上拉開(kāi)與其他競爭對手的差距，維持市場(chǎng)獨大地位。 據韓國首爾經(jīng)濟報導，三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調機構DRAMeXchange近期資料指出，三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示，目前20納米
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 20納米
服務(wù)器DRAM需求旺 帶動(dòng)明年存儲器市場(chǎng)
- 服務(wù)器DRAM肩負起2015年存儲器市場(chǎng)重任，預計占整體DRAM產(chǎn)出比重可望上看40%，同時(shí)DDR4逐漸成為服務(wù)器市場(chǎng)主流，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)各自有擴產(chǎn)和轉新制程計劃，服務(wù)器DRAM扮演重要角色。 存儲器業(yè)者表示，這幾年DRAM應用已快速多元化，有別于過(guò)去多數都應用在個(gè)人電腦(PC)上，因高、中、低階智能型手機熱賣(mài)，Mobile RAM漸漸嶄露頭角，比重也陸續超過(guò)PC DRAM，2014年開(kāi)始服務(wù)器DRAM比重
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM 三星
新iPhone傳DRAM容量倍增 三星、SK海力士樂(lè )開(kāi)懷
- 蘋(píng)果(Apple)預計2015年推出的新一代iPhone和iPad，傳出搭載的DRAM容量將較目前產(chǎn)品倍增，占蘋(píng)果DRAM供應量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴大供貨量。 據南韓經(jīng)濟日報報導，在Mobile DRAM市場(chǎng)上，三星和SK海力士的市占率約達75%。近來(lái)使用智能型手機的人口增加，穿戴式裝置市場(chǎng)也逐漸擴大，讓DRAM需求扶搖直上。 據南韓證券業(yè)者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事業(yè)獲利各約6兆韓元(約5
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 DRAM SK海力士
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