三星鎖定存儲器市場(chǎng)7成獲利　SK海力士、東芝緊張

　　三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場(chǎng)70%以上獲利，加速研發(fā)新技術(shù)與擴大產(chǎn)量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯(lián)手，但技術(shù)力差距牽制不易。同時(shí)，因智能型手機事業(yè)陷低潮的三星，能否借存儲器事業(yè)翻身成為焦點(diǎn)。

　　據韓媒E-Daily報導，三星為搶占2015年存儲器半導體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計DRAM與NAND Flash的整體存儲器半導體營(yíng)收規模預估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。

　　更多以業(yè)界平均營(yíng)益率25%計算，營(yíng)業(yè)利益約在20兆韓元~23兆韓元。三星電子若想占有70%獲利，等于每一季營(yíng)利達3.5兆~4兆韓元就可達成。

　　韓國證券業(yè)業(yè)預期，三星電子存儲器事業(yè)部2015年每季營(yíng)利在3兆韓元以上，只要業(yè)績(jì)比市場(chǎng)預期稍微提高，就相當有可能達成目標。

　　三星存儲器技術(shù)目前仍處于領(lǐng)先地位，DRAM部分以競爭業(yè)者尚未開(kāi)發(fā)的20納米制程技術(shù)為基礎，成功量產(chǎn)8GB LPDDR4芯片，并推出伺服器用、PC用及移動(dòng)裝置用等所有類(lèi)型產(chǎn)品。此外，三星也率先研發(fā)出V NAND制程TLC產(chǎn)品，也讓初期未能量產(chǎn)的競爭業(yè)者更加緊張。

　　三星為了延續獲利，也加速擴大產(chǎn)量。隨著(zhù)采用V-NAND的SSD市場(chǎng)急速成長(cháng)，2014年三星又在大陸西安NAND Flash廠(chǎng)追加投資1兆韓元擴充設備以便增產(chǎn)。而為因應Mobile DRAM需求激增，之前在韓國華城廠(chǎng)建立的系統半導體專(zhuān)用17號產(chǎn)線(xiàn)，也決定部份轉換為DRAM生產(chǎn)線(xiàn)。

　　為因應三星的閃電攻勢，SK海力士與東芝決定結束專(zhuān)利訴訟組成聯(lián)合陣線(xiàn)。東芝撤銷(xiāo)以SK海力士為對象的1.1兆韓元規模專(zhuān)利損害賠償告訴，并為了克服微細制程的界限，攜手開(kāi)發(fā)納米壓印(NIL)等下一代技術(shù)。

　　SK海力士相關(guān)人士表示，透過(guò)這次擴大合作，可望強化技術(shù)競爭力，并消除潛在的經(jīng)營(yíng)不確定性。有助于二家公司競爭市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

　　然而，這次結盟能否有具體成果仍是未知數。以NAND Flash市場(chǎng)強者東芝的立場(chǎng)，SK海力士跟三星電子同為不可小覷的對手。SK海力士近幾年擴大NAND Flash相關(guān)投資，并將市占率拉高到10%。由于三星技術(shù)力大幅超前，東芝與SK海力士相互間競爭恐怕會(huì )更加激烈。