傳京東方進(jìn)軍存儲芯片市場(chǎng)，看起來(lái)很美好？

　　近日，有韓國媒體“中央日報日文版”報道，我國液晶面板廠(chǎng)京東方 (BOE)有意進(jìn)軍存儲器芯片行業(yè)，引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注。受到《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立等利好政策的助推，今年以來(lái)包括存儲芯片在內的集成電路產(chǎn)業(yè)，熱度不斷升高，據悉積極爭取設立DRAM廠(chǎng)的地方政府已達6家。由于全球存儲產(chǎn)業(yè)正處于轉型期，加之市場(chǎng)廣闊，即使行業(yè)已趨于高度壟斷，如果政策到位、措施得當，未來(lái)中國切入存儲產(chǎn)業(yè)，依然存在機會(huì )。

　　中國積極介入存儲產(chǎn)業(yè)

　　“作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，它就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會(huì )需要存儲芯片。”華芯半導體總裁高傳貴強調存儲產(chǎn)業(yè)重要性時(shí)向記者指出。而且隨著(zhù)大數據、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等息息相關(guān)。通信基帶芯片固然十分重要，也是目前中國IC行業(yè)取得重要進(jìn)步的領(lǐng)域，但是其整個(gè)市場(chǎng)加起來(lái)也才300億美元左右，而全球存儲器市場(chǎng)卻高達800億美元，中國每年進(jìn)口的存儲芯片就達600億美元。發(fā)展存儲器，可以說(shuō)是戰略性產(chǎn)業(yè)中的重要一環(huán)。

　　因此，2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布之后，集成電路行業(yè)引發(fā)了一輪高速成長(cháng)，發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)受到格外重視。今年3月武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體，便是中國向存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)軍的重要一步。此外，2014年武漢新芯與美國飛索半導(Spansion)簽約，聯(lián)合研發(fā)生產(chǎn)3D NAND;中芯國際自主研發(fā)的38納米 NAND閃存工藝準備就緒，開(kāi)始為客戶(hù)提供代工服務(wù)。這些都是中國在發(fā)展儲存產(chǎn)業(yè)時(shí)取得的進(jìn)展。京東方進(jìn)軍存儲產(chǎn)業(yè)則是這一背景下最新的一條消息。不過(guò)記者致電京東方，該公司給予了否定性的答復。盡管如此，中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的動(dòng)力和信心已十分明顯。

　　據悉，目前已有6家地方政府正在積極爭取設立DRAM廠(chǎng)，整合上游廠(chǎng)商發(fā)展出具中國自有技術(shù)并聯(lián)合中、下游的產(chǎn)業(yè)，構成一條龍的供應鏈，形成群聚效應，進(jìn)而推進(jìn)中國半導體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步成長(cháng)。

　　韓國產(chǎn)業(yè)研究院(KIET)研究員Ju Dae-Yeon認為，液晶面板和半導體的工藝制程上有很多相似點(diǎn)。京東方進(jìn)入存儲產(chǎn)業(yè)存在機會(huì )。DRAMeXchange統計顯示，2014年中國市場(chǎng)的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營(yíng)業(yè)額約20%，龐大內需就足以撐起中國DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　從低容量存儲切入存機會(huì )

　　當然，中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)并不容易。目前全球存儲業(yè)已經(jīng)進(jìn)入高度壟斷時(shí)代。根據美光公司提供的一組數據，2008年全球前五大存儲芯片公司，包括三星、海力士、美光、閃迪、爾必達，總營(yíng)收為整個(gè)市場(chǎng)的75%。而過(guò)去12個(gè)月(美光2013年第三財季至2014年第二財季)，全球前五大存儲芯片公司，包括三星、美光、SK海力士、東芝、閃迪，總營(yíng)收已占整個(gè)市場(chǎng)的95%。在DRAM產(chǎn)業(yè)方面，三星、SK海力士、美光紛紛搶進(jìn)20納米制程世代，業(yè)界原本預期20納米制程是DRAM產(chǎn)業(yè)最后一個(gè)制程世代，目前各家DRAM大廠(chǎng)又在積極投入研發(fā)1x納米制程，希望能夠突破瓶頸。在這樣的背景之下，包括京東方在內的中國企業(yè)進(jìn)入這個(gè)競爭激烈的存儲產(chǎn)業(yè)并不容易。

　　對此，高傳貴指出，從產(chǎn)業(yè)機會(huì )上看，存儲產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)工藝進(jìn)入20nm時(shí)代，雖然前進(jìn)的腳步開(kāi)始放慢，它仍在不斷發(fā)展進(jìn)步，新技術(shù)、新工藝、新的產(chǎn)品形態(tài)不斷涌現，工藝縮減，性能提高，功耗降低，仍然具有極大的市場(chǎng)活力，仍然擁有大量可以深入挖掘的發(fā)展空間。既然整體產(chǎn)業(yè)仍然還有如此之大的縱深，中國企業(yè)當然具有大量的發(fā)展機會(huì )。從市場(chǎng)機會(huì )上看，中國企業(yè)也完全有能力把DRAM做好。中國作為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)基地，DRAM又是最接近用戶(hù)的電子零部件產(chǎn)品，而且技術(shù)工藝成熟，商業(yè)模式穩定。雖然目前三星、現代、美光三大企業(yè)占據著(zhù)主導地位，但是依然存在很大的市場(chǎng)空間，特別是在那些新興行業(yè)與細分市場(chǎng)里。

　　另?yè)袌?chǎng)人士指出，目前三星、東芝、海力士、美光全力搶攻高容量NAND Flash，退出低容量NAND Flash行列，但在物聯(lián)網(wǎng)快速崛起下，低容量NAND Flash需求暴增，開(kāi)始呈現供不應求的景況。這個(gè)市場(chǎng)空間可以成為中國企業(yè)進(jìn)軍存儲市場(chǎng)的灘頭陣地。低容量NAND Flash芯片主要是指8Gb容量以下產(chǎn)品，主要應用在電視、機上盒、功能型手機、車(chē)用電子等市場(chǎng)，國際大廠(chǎng)近年來(lái)把重心放在產(chǎn)值更大的高容量市場(chǎng)，陸續退出低容量芯片。