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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案 推動(dòng)2D/3D IC升級
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
- 關(guān)鍵字： imec 晶背供電 邏輯IC 布線(xiàn) 3D IC
Imec大會(huì )：2036年實(shí)現1納米半導體
- 世界上最先進(jìn)的半導體研究公司Imec最近在比利時(shí)安特衛普舉行的未來(lái)峰會(huì )上分享了其"1納米以下 "硅和晶體管路線(xiàn)圖。該路線(xiàn)圖讓我們大致了解了到2036年，該公司將與臺積電、英特爾、三星和ASML等行業(yè)巨頭合作，在其實(shí)驗室中研究和開(kāi)發(fā)下一個(gè)主要工藝節點(diǎn)和晶體管架構的時(shí)間表。該路線(xiàn)圖包括突破性的晶體管設計，從將持續到3納米的標準FinFET晶體管，到2納米和A7（7埃）的新的門(mén)控全方位（GAA）納米片和叉片設計，然后是A5和A2的CFET和原子通道等突破性設計。需要提醒的是，10個(gè)埃等于1納
- 關(guān)鍵字： Imec 1納米
imec連手半導體價(jià)值鏈伙伴 邁向芯片制造凈零碳排放
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年未來(lái)高峰會(huì )（Future Summits 2022）上宣布，其永續半導體技術(shù)與系統（Sustainable Semiconductor Technologies and Systems；SSTS）研究計劃成功匯集了半導體價(jià)值鏈的關(guān)鍵成員，從像是蘋(píng)果、微軟等科技巨頭，到ASM、ASML、日本KURITA、日本SCREEN與Tokyo Electron等半導體設備商，全都參與其中。imec為了推動(dòng)永續發(fā)展，協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)減少碳足跡，去年成立了這項研究計劃，
- 關(guān)鍵字： imec 芯片制造 零碳排放
imec新創(chuàng )伙伴SOLiTHOR 開(kāi)發(fā)固態(tài)電池技術(shù)
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）為歐洲創(chuàng )新能源技術(shù)研發(fā)中心EnergyVille成員，16日宣布其新創(chuàng )技轉公司SOLiTHOR正在開(kāi)發(fā)固態(tài)鋰（Li）電池的創(chuàng )新技術(shù)，以突破目前開(kāi)發(fā)、制造與商品化限制，助力打造高可靠度、低成本的大容量?jì)δ芙鉀Q方案。SOLiTHOR種子計劃由imec創(chuàng )投基金imec.xpand發(fā)起，并獲得比利時(shí)創(chuàng )投公司LRM、Nuhma與聯(lián)邦政府控股基金FPIM等機構共同支持與投資，成功募集1千萬(wàn)歐元（約為臺幣3.09億元）。這筆資金將用來(lái)開(kāi)發(fā)交通事業(yè)電氣化所需的關(guān)鍵技術(shù)，提供解決方案來(lái)面對現
- 關(guān)鍵字： imec SOLiTHOR 固態(tài)電池
感測光的聲音：以醫用光聲成像技術(shù) 解析人體組織
- 醫療影像技術(shù)提供我們觀(guān)察人體的獨特視角，對醫生診斷和疾病監測來(lái)說(shuō)大有裨益。從X光、磁振造影（MRI）到超音波，醫療影像技術(shù)種類(lèi)繁多。在進(jìn)行生物組織成像時(shí)，設備的選擇取決于所需的影像對比度，并在分辨率與檢測深度之間做出取舍。透視人體光波可以產(chǎn)生高分辨率影像，例如用于內視鏡或顯微鏡，但卻不能進(jìn)行長(cháng)距離的無(wú)擾傳遞。當深入組織時(shí)，光波會(huì )散射，導致影像模糊。高能X光卻是特例，能夠深入穿過(guò)組織，同時(shí)實(shí)現高分辨率成像，不過(guò)X光屬于高能量的游離輻射，因此應用受限。為了解決這些技術(shù)痛點(diǎn)，其他不需要依靠無(wú)擾光波傳遞的成像技術(shù)
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荷蘭巨頭1nm光刻機迎新突破！中國訂購的EUV光刻機呢？
- 據TechWeb網(wǎng)站11月30日最新報道，近日荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（ASML）又送來(lái)一則好消息，該司已經(jīng)與比利時(shí)半導體研究機構IMEC共同完成了1nm光刻機的設計工作?！ 私?，先進(jìn)制程的光刻機對于曝光設備的分辨率要求更高。與此同時(shí)，ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設備的基本設計工作。按照阿斯麥的計劃，預計相應的曝光設備全線(xiàn)準備好之后，會(huì )在2022年實(shí)現商業(yè)化?！ ∪欢?，這家荷蘭企業(yè)的光刻機制造技術(shù)卻變得重大突破之際，我國芯片制造巨頭——中芯國際自阿斯麥訂購的EUV光刻機至今卻還未到貨。據悉，中芯
- 關(guān)鍵字： ASML IMEC 光刻機 中芯國際
突破AI芯片限制 IMEC攜手格羅方德破馮諾伊曼瓶頸
- 比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），日前與半導體代工廠(chǎng)格羅方德（GF)公開(kāi)展示了全新AI芯片硬件。IMEC模擬內存式運算（AiMC）架構及格羅方德22FDX制程為基礎的前提下，這款全新芯片經(jīng)過(guò)優(yōu)化，并于模擬環(huán)境中的內存式運算硬件進(jìn)行深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )運算。在達到高達2,900TOPS/W的創(chuàng )紀錄高能源效率后，加速器被視為低功率裝置進(jìn)行邊緣運算推論的關(guān)鍵推手。這項新技術(shù)在隱私保護、安全性以及延遲性等各種優(yōu)勢，將為智慧喇叭、自駕車(chē)諸多邊緣設備的AI應用程序帶來(lái)沖擊性的影響。自數字計算機年代起，處理器早與內存分道揚鑣。
- 關(guān)鍵字： AI IMEC 格羅方德
消除馮·諾伊曼瓶頸 Imec和GF合作展示新型人工智能芯片
- 專(zhuān)注于納米電子和數字技術(shù)的比利時(shí)微電子研究中心（Imec）聯(lián)合全球領(lǐng)先的特種晶圓代工企業(yè)格芯（Global Foundries），今天對一款新型人工智能芯片進(jìn)行了硬件展示。這款人工智能芯片基于 Imec 的 Analog in Memory Computing (AiMC)架構，利用了格芯的 22FDX 解決方案，通過(guò)層層優(yōu)化能在模擬領(lǐng)域的內存計算硬件上執行深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )計算。這款芯片的能效達到了創(chuàng )紀錄的 2900 TOPS/W，是低功耗設備邊緣推理的重要推動(dòng)者。這項新技術(shù)在隱私、安全和延遲方面的優(yōu)勢，將對
- 關(guān)鍵字： Imec GF 人工智能
IMEC研發(fā)出全球首款CMOS 140GHz片上雷達
- 據外媒報道，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)已研發(fā)全球首款CMOS 140GHz片上雷達，該產(chǎn)品配有一體式天線(xiàn)，采用標準型28nm技術(shù)，該機構正在尋找伙伴方。該產(chǎn)品的應用領(lǐng)域包括：打造安全的駕駛員遠程監控模塊、測試患者的呼吸及心率、人機交互用手勢識別?！ ∽鳛閭鞲衅鞫?，該款片上雷達前景極好，采用非接觸式、非侵入式交互，適用于人物探查及分類(lèi)、重要信號監控及手勢界面等物聯(lián)網(wǎng)應用?！ ≈挥袑?shí)現高清分辨率、體積微型化、節能性高、易于生產(chǎn)及購買(mǎi)等條件后，該款雷達才能得到廣泛應用，這就是IMEC研發(fā)140G
- 關(guān)鍵字： IMEC 片上雷達
IMEC研發(fā)全球首款CMOS 140GHz片上雷達
- 據外媒報道，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)已研發(fā)全球首款CMOS 140GHz片上雷達，該產(chǎn)品配有一體式天線(xiàn)，采用標準型28nm技術(shù)，該機構正在尋找伙伴方。該產(chǎn)品的應用領(lǐng)域包括：打造安全的駕駛員遠程監控模塊、測試患者的呼吸及心率、人機交互用手勢識別?！ ∽鳛閭鞲衅鞫?，該款片上雷達前景極好，采用非接觸式、非侵入式交互，適用于人物探查及分類(lèi)、重要信號監控及手勢界面等物聯(lián)網(wǎng)應用?！ ≈挥袑?shí)現高清分辨率、體積微型化、節能性高、易于生產(chǎn)及購買(mǎi)等條件后，該款雷達才能得到廣泛應用，這就是IMEC研發(fā)140G
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Imec：下一代 5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制
- 根據比利時(shí)研究機構Imec指出，設計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴展到超越5納米(nm)節點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 Imec展示的研究計劃專(zhuān)注于實(shí)現高性能邏輯應用的場(chǎng)效電晶體(FET)，作為其Core CMOS計劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級實(shí)現協(xié)同最佳化，證實(shí)了在傳
- 關(guān)鍵字： Imec 5nm
埃米時(shí)代不遠了？Imec擘劃先進(jìn)制程藍圖
- 隨著(zhù)半導體發(fā)展腳步接近未來(lái)的14埃米，工程師們可能得開(kāi)始在相同的芯片上混合FinFET和奈米線(xiàn)或穿隧FET或自旋波電晶體，他們還必須嘗試更多類(lèi)型的存儲器;另一方面，14埃米節點(diǎn)也暗示著(zhù)原子極限不遠了… 在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上，Imec半導體技術(shù)與系統執行副總裁An Steegen展示最新的半導體開(kāi)發(fā)藍圖，預計在2025年后將出現新制程節點(diǎn)——14埃米(14A;14-angstrom)。這一制程相當于從2025年的2nm再微縮0.7倍;此
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7納米以下技術(shù)候選人：IMEC看好GAA NWFET技術(shù)
- 比利時(shí)微電子(IMEC)在2016國際電子元件會(huì )議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線(xiàn)垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導體場(chǎng)效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術(shù)候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線(xiàn)電晶體(GAA NWFET)會(huì )雀屏中選。 比利時(shí)微電子研究中心與全球許多半導體大廠(chǎng)、系統大廠(chǎng)均為先進(jìn)制程和創(chuàng )
- 關(guān)鍵字： 7納米 IMEC
imec介紹
IMEC,全稱(chēng)為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是歐洲領(lǐng)先的獨立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設計方法，以及信息通訊系統技術(shù)（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統設計；硅加工工藝；硅制程技術(shù)和元件整合；納米技術(shù)，微系統，元件及封裝；太陽(yáng)能電池；以及微電子領(lǐng)域的高級培訓 [ 查看詳細 ]
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