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high-frequency(hf) 文章 進(jìn)入high-frequency(hf)技術(shù)社區
臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML High-NA EUV 光刻機
High-NA EUV光刻機入場(chǎng)，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎；再到后來(lái)的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長(cháng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
- 關(guān)鍵字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？
- HIGH NA 無(wú)疑是打贏(yíng)下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
基于ST VIPerPlus Low EMI 的豆漿機輔助電源方案
- 一：項目背景：家電客戶(hù)使用VIPer12做的6W輔助電源在EMI的傳導測試中，低頻段超標需要整改。因成本和PCB空間原因不能加前端EMI濾波電感。需要采用VIPerPlus的頻率抖動(dòng)特性解決問(wèn)題。二：頻率抖動(dòng)基本原理開(kāi)關(guān)電源由于較高的dv/dt 和di/dt堯電路中存在的寄生電感和電容使開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾噪聲較難消除。一般在EMI測試結果中可以發(fā)現，開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)關(guān)時(shí)刻通常容易超過(guò)EMI 限值，而在其它頻率點(diǎn)上卻往往具有較大的裕量。因此人們又從另一角度開(kāi)發(fā)新的EMC 技術(shù)院如何通過(guò)各種方式降低開(kāi)關(guān)時(shí)刻的EM
- 關(guān)鍵字： ST Low EMI jitter frequency Viper17 豆漿機
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術(shù)系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實(shí)現了晶體管性能的顯著(zhù)提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
高效晶體硅電池技術(shù)-表面鈍化
- 早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長(cháng)一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對
- 關(guān)鍵字： 晶體硅 絲網(wǎng)印刷 HF-PECVD
HF/VHF數字調制多功能發(fā)射機，附完整硬件方案和器件選型
- 本項目主要的內容是：設計制作一臺能工作在HF及VHF波段的數字調制發(fā)射機,能提供AM, FM,DSB,SSB等語(yǔ)音通信調制模式,及ASK,FSK,PSK等數據通信調制模式.
- 關(guān)鍵字： HF/VHF 數字調制多功能發(fā)射機 V2pro DAC
基于云服務(wù)Wi-Fi的家電物聯(lián)網(wǎng)應用系統設計
- 為了更加快速、便捷、廉價(jià)地實(shí)現家電物聯(lián)網(wǎng)，本文介紹了一款基于嵌入式微處理器，采用Wi-Fi模塊，配合機智云服務(wù)平臺，可以接入互聯(lián)網(wǎng)并對家電設備進(jìn)行遠程控制的家電物聯(lián)網(wǎng)應用系統的設計。該系統通過(guò)Wi-Fi模塊來(lái)接收由智能手機上家電控制軟件APP下發(fā)的控制命令，經(jīng)過(guò)數據處理，通過(guò)局域網(wǎng)或者遠程方式來(lái)對家電進(jìn)行控制。經(jīng)過(guò)實(shí)驗測試，該系統達到性能穩定、簡(jiǎn)便、高性?xún)r(jià)比等預期。
- 關(guān)鍵字： STM8S003 HF-LPB100 Wi-Fi模塊 機智云 APP 201610
2014電子設計創(chuàng )新會(huì )議盛大開(kāi)幕
- 2014年電子設計創(chuàng )新會(huì )議將持續召開(kāi)整整三天，展覽面積進(jìn)一步擴大，來(lái)自全球的高端企業(yè)積極踴躍地成為其贊助商?！ ∮捎贓DICON?2013第一屆的成功召開(kāi)，以及在觀(guān)眾、演講人和參展商的熱情感召下，2014電子設計創(chuàng )新會(huì )議(EDI?CON2014)于4月8日到10日在北京國際會(huì )議中心(BICC)盛大開(kāi)幕，這是一個(gè)由行業(yè)從業(yè)人員推動(dòng)的面向中國本土行業(yè)人士的國際性行業(yè)大會(huì )，本屆會(huì )議展覽面積進(jìn)一步擴大、主題會(huì )議更加專(zhuān)業(yè)?！ ∪缤暌粯?，EDI?CON2014聚集了主題演講者、學(xué)術(shù)
- 關(guān)鍵字： HF/HS EDICON 5G RFID
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