高效晶體硅電池技術(shù)-表面鈍化

早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長(cháng)一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對硅的腐蝕抑制Ag的擴散速度從而使后續快燒工藝溫度范圍更寬易于調節，而且致密的 SixNy膜層是有害雜質(zhì)良好的阻擋層。同時(shí)生成的氫原子對硅片具有表面鈍化與體鈍化的雙重作用，可以很好地修復硅中的位錯、表面懸掛鍵，提高了硅片中載流子的遷移率因而迅速成為高效電池生產(chǎn)的主流技術(shù)。雙層SiN減反射膜，通過(guò)控制各膜層中硅的富集率實(shí)現了5.5%的反射率;而另一種SiN與SiO混合膜，其反射率更是低至4.4%，目前廣泛采用的單層SiN膜減反射率最優(yōu)為10.4%.

在電池背面生長(cháng)一層10～30nmSiN膜以期最大限度對電池進(jìn)行鈍化與缺陷的修復從而提高電池的效率是目前的一個(gè)熱點(diǎn)課題，由于該技術(shù)牽涉到與后面的絲網(wǎng)印刷技術(shù)、電極漿料技術(shù)及燒結工藝的配合目前尚處于實(shí)驗研究階段，但它肯定是今后的一個(gè)發(fā)展趨勢。

匹配封裝材料對光譜的折射率定制減反射膜以獲得最佳的實(shí)際使用效果是光伏企業(yè)技術(shù)實(shí)力的體現!如何減少電磁波對電池表面PN結輻射損傷以及損傷的有效修復是該工藝的核心技術(shù)，處理不好往往導致電池效率一致性較差。裝備方面有連續式間接HF-PECVD、管式直接LF-PECVD。(作者：和海一樣的新能源)