IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著(zhù)提高計算和通信、汽車(chē)和電器等終端設備的性能，并降低能耗。

　　開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專(zhuān)利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。

　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現電源轉換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉換專(zhuān)業(yè)知識方面的經(jīng)驗，可使該技術(shù)平臺廣泛應用于A(yíng)C-DC電源轉換器、DC - DC電源轉換器、電機驅動(dòng)器、照明系統及高密度音頻和汽車(chē)系統領(lǐng)域。其系統解決方案產(chǎn)品組合和相關(guān)知識產(chǎn)權 (IP) 遠遠超越了其他的領(lǐng)先分立功率器件。

　　高吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工藝完全符合IR公司倡導的低成本高效益的芯片制造要求，為客戶(hù)提供世界一流的、可商業(yè)化的GaN功率器件制造平臺。

　　IR總裁兼首席執行官Oleg Khaykin表示："領(lǐng)先的GaN器件技術(shù)平臺和IP組合符合我們?yōu)榭蛻?hù)節約能源的核心使命，進(jìn)一步提升了IR公司在功率半導體器件領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，預示著(zhù)電源轉換新紀元的到來(lái)。我們完全相信這種新器件技術(shù)平臺對電源轉換市場(chǎng)的潛在影響至少和30多年前IR推出的功率HEXFET?電源一樣大。"

　　幾個(gè)新GaN器件產(chǎn)品平臺的原型將在2008年11月11日至14日于慕尼黑舉辦的Electronica電子貿易展上向主要原始設備制造商展示。

　　Khaykin 還表示："我們認為，GaN器件產(chǎn)品平臺最早將在那些充分利用功率密度以及電源轉換效率和成本的關(guān)鍵特性?xún)r(jià)值實(shí)現革命性轉換能力的市場(chǎng)領(lǐng)域和設備中得以應用。"