未來(lái)十年GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將以18%的速度穩增

　　在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機的需求驅動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩步增長(cháng)。

　　據有關(guān)報告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數的年增長(cháng)率。

　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結晶性場(chǎng)效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。GaN是一種擁有類(lèi)似于SiC性能優(yōu)勢的寬帶隙材料，但擁有更大的成本控制潛力。

　　據分析師預測，氮化鎵上硅設備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實(shí)現平價(jià)和同等性能，至2022年GaN功率市場(chǎng)銷(xiāo)售額將超過(guò)10億大關(guān)。

　　SiC肖特基二極管在2012年的銷(xiāo)售額超過(guò)1億美元，是目前最暢銷(xiāo)的SiC或GaN設備。至2022年這一數字將增加近一倍。

　　到那時(shí)，SiCMOSFET銷(xiāo)售額預計將達到4億美元，超越肖特基二極管成為最熱賣(mài)的離散電源設備類(lèi)型。雖然可靠性、價(jià)格及性能相近，SiCJFET和SiCBJT各自的銷(xiāo)售額預計僅達到SiCMOSFET的一半。

　　雖然IHS預測SiC和GaN市場(chǎng)未來(lái)幾年增長(cháng)強勁，但與一年前相比，這一預測已是大打折扣了。這一變化的主要原因在于，全球經(jīng)濟的低迷現狀使市調機構調低了對功率組件設備的出貨量預測。SiC采用率預測也被大幅調低，因為設備價(jià)格并未如此前預測那樣快速下跌。

　　相比之下，業(yè)界對GaN技術(shù)的信心有所提高，越來(lái)越多公司已宣布進(jìn)行GaN研發(fā)。例如Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設備JEDEC資格的公司。