- 摘要:FPGA可以通過(guò)串行接口進(jìn)行配置。本文對傳統的配置方法進(jìn)行了研究,并從更新配置文件的方法入手,提出了利用處理機通過(guò)網(wǎng)絡(luò )更新的方法,給出了一個(gè)用CPLD和Flash對FPGA進(jìn)行配置的應用實(shí)例。
關(guān)鍵詞:現場(chǎng)可編程
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Flash CPLD FPGA
- 隨著(zhù)英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。
這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻的爭議。美光科技首席執行官史蒂夫-阿普爾頓(Steven Appleton)指責英特爾沒(méi)有為升級新加坡的這個(gè)工廠(chǎng)提供必要的資金。
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美光 Flash
- 12月31日消息,據國外媒體報道,隨著(zhù)英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。
這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻的爭議。美光科技首席執行官史蒂夫·阿普爾頓(Steven Appleton)指責英特爾沒(méi)有為升級新加坡的這個(gè)工廠(chǎng)提供必要的資金。
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美光科技 Flash
- 英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術(shù)工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù),英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類(lèi)拔萃的非接觸式性能有機結合的安全產(chǎn)品供應商。
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英飛凌 FLASH
- 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優(yōu)點(diǎn),在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過(guò)51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法,此方法不僅編程簡(jiǎn)單,且運行
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解決方案 編程 存儲器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系統通過(guò)地址映射方式實(shí)現片外FLASH擦寫(xiě),1 引言
在DSP系統的設計中,經(jīng)常要使用片外存儲器擴充系統存儲空間。特別是當DSP的片內數據存儲器和程序存儲器容量比較小時(shí), 必須把一部分數據,如常量、原始數據庫等存儲到片外的存儲器中,從而節省DSP芯片內部
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方式 實(shí)現 FLASH 擦寫(xiě) 映射 地址 DSP 嵌入式 系統 通過(guò)
- 基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構架的模數混合的FPGA,即在數字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分,解決了傳統模擬電路和FPGA分離給設計帶來(lái)的諸多問(wèn)題,降低了PCB板的制作難度,縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
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心電 監控 應用 設計 FPGA 混合 Flash 構架 模數 基于
- Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運行程序代碼的存儲區與待編程的存儲區不在同一模塊中。因此,只有一個(gè)片上Flash存儲器模塊
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技術(shù) 編程 單片機 Flash
- C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時(shí)數字信號處理而設計的數字信號處理器,由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn),非常適合應用于嵌入式實(shí)時(shí)系統。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器,屬于EEPROM器件,與其它的
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MBM29LV800BA 接口 技術(shù) 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器
- 根據Ovum的分析,對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令,Apple將面臨越來(lái)越大的壓力,因為越來(lái)越多智慧型手機平臺支援這項技術(shù)。
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Apple Flash
- O 引言 Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長(cháng)期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- NAND Flash的壞塊管理設計,摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實(shí)現方案,詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法,同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
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設計 管理 Flash NAND
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級和頁(yè)級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義,同時(shí)還提出了對flash的分區方法。
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設計 實(shí)現 算法 管理 Flash NAND
flash介紹
閃存(Flash ROM):
是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場(chǎng)效應管構成,寫(xiě)入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù),內部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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