C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)
加入技術(shù)交流群
DSP是針對實(shí)時(shí)數字信號處理而設計的數字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應用于嵌入式實(shí)時(shí)系統。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/151277.htmFLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的ROM器件相比，其存儲容量大、體積小、功耗低，特別是其具有在系統可編程擦寫(xiě)而不需要編程器擦寫(xiě)的特點(diǎn)，使它迅速成為存儲程序代碼和重要數據的非易失性存儲器，成為嵌入式系統必不可少的重要器件。DSP與FLASH存儲器的接口設計是嵌入式系統設計的一項重要技術(shù)，本文以基于三個(gè)C6201／C6701 DSP芯片開(kāi)發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統為例，介紹這一設計技術(shù)。
1 C6201／C6701新一代DSP處理器
1．1 C6201／C6701的特點(diǎn)及外部存儲器接口EMIF
C6201為通用32位定點(diǎn)DSP處理器，C6701為通用32位浮點(diǎn)DSP處理器，它們采用并行度很高的處理器結溝，從而具有許多突出的特點(diǎn)：
DSP核采用改進(jìn)的超長(cháng)指令字(VLIW)體系結構和多流水線(xiàn)技術(shù)，具有8個(gè)可并行執行的功能單元，其中6個(gè)為ALU，兩個(gè)為乘法器，并分成相同功能的兩組，在沒(méi)有指令相關(guān)情況下，最高可同時(shí)執行8條并行指令； ·具有32個(gè)32位通用寄存器，并分成兩組，每組16個(gè)，大大加快了計算速度；
片上集成了大容量的高速程序存儲器和數據存儲措，最高可以200Mbit／s的速度訪(fǎng)問(wèn)，并采用改進(jìn)的多總線(xiàn)多存儲體的哈佛結構。程序存儲器為64K字節、256位寬．每個(gè)指令周期可讀取8個(gè)指令字，還可靈活設置為高速CACHE使用；數據存儲器采用雙存儲塊，每個(gè)存儲塊又采用多個(gè)存儲體，可靈活支持8／16／32位數據讀寫(xiě)。C6701還可支持64位訪(fǎng)問(wèn)，每個(gè)時(shí)鐘可訪(fǎng)問(wèn)雙32位故據．C6701還可訪(fǎng)問(wèn)雙64位IEEE雙精度浮點(diǎn)數據； 片上集成了32位外部存儲器接口EMIF，并且分成4個(gè)時(shí)序可編程的空間(CE0、CEl、CE2、CE3)，可直接支持各種規格SDRAM(除CEl空間外)、SBSRAM、SRAM、ROM、FLASH、FIFO存儲器。同時(shí)，CEl空間還可直接支持8／16位寬的異步存儲器讀訪(fǎng)問(wèn)，EMIF接口信號如圖1所示；
片上集成了4個(gè)主DMA控制器和一個(gè)輔助DMA控制器：
片上集成了兩個(gè)32位多功能定時(shí)器；
片上集成了兩個(gè)多通道通用串行通訊口；
片上集成了16位宿主機HPI端口，與EMIF端口一起?？芍С謽嫵刹⑿卸嗵幚砥飨到y；
片上集成的鎖相循環(huán)PLL電路，具有4倍頻外部時(shí)鐘的功能，從而在外部可采用較低的時(shí)鐘電路，而在片內可高頻（120MHz、150MHz、167MHz、200MHz）地進(jìn)行計算；
片上集成了符合IEEE標準的JTAG在系統仿真接口，大大方便了硬件調試；
具有一個(gè)復位中斷，一個(gè)非屏蔽中斷，4個(gè)邊沿觸發(fā)的可編程的可屏蔽中斷；
雙電源供電，內核電源為1．8V，外圍設備電源為3．3V，功耗低于1．5W；
采用352BGA小型球柵陣列封裝，體積很??；
具有豐富的適合數字運算處理的指令集，并且所有的指令為條件轉移指令。
C6201／C6701高度的并行結構特點(diǎn)、高速的時(shí)鐘頻率使其具有高達1600MIPS和400MMAC的運算能力，比通常使用的DSP計算速度快十幾倍，甚至幾十倍，再加上其具有并行執行、多功能、多任務(wù)的能力和豐富的指令集以及體積小、功耗低、易于使用的特點(diǎn)，使它非常適合在嵌入式實(shí)時(shí)系統中應用；同時(shí)TI公司開(kāi)發(fā)了高效的C編譯器和多功能的集成開(kāi)發(fā)系統CODE COMPOSER STUDIO(簡(jiǎn)稱(chēng)CCS)以及高性能的仿真器，大大簡(jiǎn)化程序代碼的編寫(xiě)與調試。
1．2 C620I／06701的引導工作方式
在加電后，C6201／C6701可采用直接從零地址(只能為外部存儲器)開(kāi)始執行程序的不引導方式工作；也可采用輔助DMA先自動(dòng)從宿主機HPI端口或外部CEl空間(8／16／32位ROM)加載64K字節程序至零地址(片上存站器或外部存儲器)，然后再從零地址開(kāi)始執行程序的引導方式工作。C6201／C6701的這些工作方式由上電復位時(shí)5個(gè)引導方式管腳BOOTMODE[4：0]的信號電平?jīng)Q定，這些電平信號還決定地址映射方式是采用某種類(lèi)型、速度的外部存儲器為零地址的MAPO方式，還是采用片上程序存儲器為零地址D6 MAPl方式。這種結構特點(diǎn)大大增加了系統設計的靈活性。在引導工作方式中，當零地址為片上程序存儲器時(shí)，程序直接從高速256位寬的片上程宇存儲器并行執行，能充分發(fā)揮DSP的高速性能；而其它工作方式中，程序是從外部慢速32位寬的存儲器開(kāi)始出行執行。因此，基于C6000的嵌入式系統一般采用引導三片上程序存儲器執行的工作方式，如表1所示。
2 FLASH存儲器MBM29LV800BA
2．1 MBM29LV800BA介紹
MBM29LV800BA是FUJITSU公司生產(chǎn)的1M×8／512K×l6位的FLASH存儲器，其管腳信號如圖2所示。／BYTE為×8或×16工作方式配置管腳(／BYTE接低時(shí)為×8方式，地址線(xiàn)為[A-1，A0，…A18]共20根，數據線(xiàn)為DQ[0：7]，數據線(xiàn)高8位不用；／BYTE接高時(shí)為×16方式，地址線(xiàn)為A[0：18]共19根，A-1，不用，數據線(xiàn)為DQ[0：15])；RY／*BY為表示FLASH就緒或忙的管腳(它是集電極開(kāi)路引腳，多個(gè)RY／*BY管腳可通過(guò)上拉電阻直接線(xiàn)與連接)。
MBM29LV800BA具有許多特點(diǎn)，主要如下
單電源3．0V讀、編程寫(xiě)入、擦除；
與JEDEC標準的命令集和引腳分布兼容；
增加了快速編程寫(xiě)人命令，寫(xiě)入僅需兩個(gè)總線(xiàn)周期；
具有至少100 000次的編程寫(xiě)入／擦寫(xiě)壽命；
靈活的扇區結構支持整片內容擦除、任一扇區內容擦除、相連續的多扇區內容并行擦除；
具有嵌入式編程寫(xiě)入算法，可自動(dòng)寫(xiě)入和驗證寫(xiě)入地址的數據；
具有嵌入式擦除算法，可自動(dòng)預編程和擦除整個(gè)芯片或任一扇區的內容；
具有數據查尋位和切換位，可以通過(guò)軟件查尋方法檢測編程寫(xiě)入／擦除操作的狀態(tài)；
具有RY／*BY管腳，可以通過(guò)硬件方法檢測編程寫(xiě)入／擦除操作的狀態(tài)；
自動(dòng)休眠功能，當地址保持穩定時(shí)，自動(dòng)轉入低功耗模式；
具有低電壓禁止寫(xiě)入功能；
具有擦除暫停／擦除恢復功能，
2．2 MBM29LV800BA的主要命令及嵌入式算法<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn> <dfn id="yhprb"></dfn> <dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn> <dfn id="yhprb"></dfn> <dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn> <small id="yhprb"></small> <dfn id="yhprb"></dfn> <small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small> <small id="yhprb"></small> <small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect> <dfn id="yhprb"></dfn> <dfn id="yhprb"></dfn> <s id="yhprb"><noframes id="yhprb"> <small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small> <dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn> <small id="yhprb"></small> <dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn> <dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect> <dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <dfn id="yhprb"></dfn> <dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn> <dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
MBM29LV800BA的編程寫(xiě)入及擦除命令如表2所示。其中，X為十六進(jìn)制數字的任意值，RA為被讀數據的FLASH地址，RD為從FLASH地址RA讀出的數據，PA為寫(xiě)編程命令字的FLASH地址，PD為編程命令宇，SA為被擦除內容的扇區地址。 MBM29LV800BA具有嵌入式編程寫(xiě)入和擦除算法機構，當向FLASH寫(xiě)入數據內容或擦除其扇區內容時(shí)，需要根據相應的算法編程才能完成。其編程擦除算法流程為：首先寫(xiě)編程擦除命令序列；然后運行數據測試算法以確定擦除操作完成；其編程寫(xiě)入算法流程為：程序開(kāi)始，首先驗證寫(xiě)入扇區是否為空，不空則運行擦除算法；然后運行編程寫(xiě)入算法，寫(xiě)編程寫(xiě)入命令序列，再運行數據測試算法或查詢(xún)RY／*BY管腳信號以確定該次操作完成。地址增1繼續上述過(guò)程，否則結束操作；數據測試算法主要是測試DQ7和DQ5位的數據變化，以確定泫次操作是進(jìn)行中、完成、還是失敗。
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
相關(guān)推薦
技術(shù)專(zhuān)區
- FPGA
- DSP
- MCU
- 示波器
- 步進(jìn)電機
- Zigbee
- LabVIEW
- Arduino
- RFID
- NFC
- STM32
- Protel
- GPS
- MSP430
- Multisim
- 濾波器
- CAN總線(xiàn)
- 開(kāi)關(guān)電源
- 單片機
- PCB
- USB
- ARM
- CPLD
- 連接器
- MEMS
- CMOS
- MIPS
- EMC
- EDA
- ROM
- 陀螺儀
- VHDL
- 比較器
- Verilog
- 穩壓電源
- RAM
- AVR
- 傳感器
- 可控硅
- IGBT
- 嵌入式開(kāi)發(fā)
- 逆變器
- Quartus
- RS-232
- Cyclone
- 電位器
- 電機控制
- 藍牙
- PLC
- PWM
- 汽車(chē)電子
- 轉換器
- 電源管理
- 信號放大器
評論