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終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌
- 第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價(jià)大跌超過(guò)10%，內存模塊廠(chǎng)表示，合計整個(gè)5月現貨報價(jià)跌幅達20%，合約價(jià)合計跌幅也超過(guò)15%，反映終端需求確實(shí)需要新刺激，目前市場(chǎng)是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場(chǎng)認同威剛董事長(cháng)陳立白的基調，預期第3季仍會(huì )比第2季好一些，但市場(chǎng)不至于會(huì )有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
- 據了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Flash
TMS320F2812片內Flash在線(xiàn)燒寫(xiě)技術(shù)
- TMS320F2812(以下簡(jiǎn)稱(chēng)F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數字信號處理器(DSP)，主要應用于逆變器控制、電機控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達150 MHz的32位DSP內核處理器，可以高效可靠地實(shí)現自適應控制和狀
- 關(guān)鍵字： 技術(shù) 在線(xiàn) Flash 片內 TMS320F2812
海力士看好存儲器價(jià)格反彈
- 韓國存儲器大廠(chǎng)海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠(chǎng)而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠(chǎng)目前都有1~2個(gè)月不等庫存，短期仍可支應生產(chǎn)，但中長(cháng)線(xiàn)來(lái)看，日本地震造成硅晶圓短缺問(wèn)題仍待厘清，目前市場(chǎng)買(mǎi)盤(pán)多是邊走邊看，沒(méi)有一窩蜂搶貨，但也會(huì )擔心日后供給吃緊造成漲價(jià)問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM NAND Flash
DSP芯片（TMS320C6711D）的Flash存儲器
- 在嵌入式系統中，為了實(shí)現程序的脫機自動(dòng)運行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲器中。要實(shí)現一個(gè)嵌入式系統...
- 關(guān)鍵字： DSP TMS320C6711D Flash
TMS320F2812芯片開(kāi)發(fā)中Flash代碼性能的研究
- TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點(diǎn)DSP，集成了多種外設。對TMS320F2812開(kāi)發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
- 關(guān)鍵字： TMS320F2812 Flash
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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