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P89C51RD2的可定制人機交互界面設計
- 引 言 隨著(zhù)社會(huì )需要和科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，產(chǎn)品的競爭愈來(lái)愈激烈，更新的周期愈來(lái)愈短，因而要求設計者能很快地設計出新產(chǎn)品；而在產(chǎn)品的整體設計中，人機交互界面的設計往往占據著(zhù)很大一部分工作，這樣，不但極大地增加了產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成本而且延長(cháng)了產(chǎn)品的上市周期。本文論述的基于P89C51RD2的人機交互界面是一種界面可定制、結構緊湊、價(jià)格低廉、簡(jiǎn)單易用、性能優(yōu)良的通用型人機交互界面，能很好地解決上述問(wèn)題。 1 系統工作原理 1.1 工作原理 按照實(shí)際應用中控制系統的需要及控制系統與人機交互界面的
- 關(guān)鍵字： 單片機 人機交互界面 LCD Flash
Flash外部配置器件在SOPC中的應用
- 1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現在兩方面：一方面，可用Flash來(lái)保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問(wèn)題。當系統上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進(jìn)行配置。另一方面，可用Flash來(lái)保存用戶(hù)程序。對于較為復雜的SOPC系統，用戶(hù)程序一般較大，用EPCS來(lái)存儲是不現實(shí)的。系統完成配置后，將Flash中的用戶(hù)程序轉移到外接RAM或片內配置生成的RAM中，然后系統開(kāi)始運行。 2 Flash編程的實(shí)現
- 關(guān)鍵字： FPGA SOPC Flash RAM NiosII
全球閃存市場(chǎng)達254億美元 廠(chǎng)商Q4投身30nm制程
- 據外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠(chǎng)制程技術(shù)持續不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠(chǎng)自今年第四季起將陸續轉進(jìn)30納米制程技術(shù)。 根據美光預估，今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(cháng)至254億美元規模，除了目前一般數字影音播放器、UFD(通用串行總線(xiàn)閃存儲存驅動(dòng)器)、記憶卡等應用外，也相當看好移動(dòng)儲存市場(chǎng)的發(fā)展潛力。 為降低生產(chǎn)成本，強化競爭力，NAND Flash制造廠(chǎng)持續不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營(yíng)已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND Flash 移動(dòng)儲存 30納米
磁阻式隨機存儲器將挑戰閃存
- 磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門(mén)）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險投資公司的加入。據悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司，側重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
汽車(chē)MCU演繹四大發(fā)展趨勢
- 過(guò)去幾年里，平均一部汽車(chē)大約會(huì )用到20顆MCU，而現在汽車(chē)中使用的MCU數量已達40-60顆，部分高檔轎車(chē)MCU數量已經(jīng)達到上百顆。2004年，全球汽車(chē)半導體的收入是160億美元，其中汽車(chē)MCU的銷(xiāo)售收入就占到34%。據預測，2005年，汽車(chē)MCU所占比例還將保持這一數字。? 目前，汽車(chē)MCU已經(jīng)進(jìn)入汽車(chē)動(dòng)力系統、汽車(chē)安防系統、汽車(chē)娛樂(lè )系統、汽車(chē)導航與遠程通信系統，這些系統對汽車(chē)MCU提出了不同的要求，推動(dòng)汽車(chē)MCU不斷發(fā)展。汽車(chē)MCU在提高性能的同時(shí)，在應用上也將以不同于消費、通信中的應
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 MCU Flash MCU
08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷(xiāo)量
- MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)4Q07傳統旺季的促銷(xiāo)熱賣(mài)，達到單季6,300萬(wàn)臺以上的銷(xiāo)售紀錄后，1Q08在淡季因素的效應影響下，出貨量銳減至4,258萬(wàn)臺。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來(lái)看，Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導品牌，今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達73%，全球市場(chǎng)其它的一線(xiàn)品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。 單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來(lái)看，最引人關(guān)注的是高階機種iPod Touch在2008年2月
- 關(guān)鍵字： 閃存芯片 MP3 PMP NAND Flash
基于GPRS的遠程心電實(shí)時(shí)監護儀軟件系統設計
- 當今社會(huì )，心臟疾病已嚴重影響了人們的生命安全，許多突發(fā)患者因得不到及時(shí)救治而使生命受到威脅。傳統的心電監護設備限制了患者的自由，動(dòng)態(tài)心電記錄儀（Holter）雖能便攜地記錄患者日?；顒?dòng)時(shí)的心電數據，但是沒(méi)有實(shí)時(shí)監護功能，對于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。 無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實(shí)時(shí)監護成為可能。利用GPRS無(wú)線(xiàn)數據通信技術(shù)，可將實(shí)時(shí)監護功能與Holter結合起來(lái)?；颊呖梢耘浯鞅O護儀自由活動(dòng)，同時(shí)可隨時(shí)隨地得到心電監護。緊急情況發(fā)生時(shí)，患者掌握著(zhù)可靠的求生路徑；而醫生可根據全面的心電
- 關(guān)鍵字： GPRS 遠程 監護儀 心電 實(shí)時(shí) Holter 單片機 電源 NAND Flash LCD GSM/GPRS無(wú)線(xiàn)通信
NAND Flash毛利率不復當年 新帝全球裁員
- 受到NAND Flash價(jià)格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無(wú)預警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國總部作為初步的縮減人力計劃區域，但其它地區包括亞洲在內，不排除有進(jìn)一步縮減人力的計劃。 事實(shí)上，新帝在2年前合并以色列儲存廠(chǎng)商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤(pán)之后，新帝的營(yíng)運組織就一直在改組，但這次是首度大規模裁員，也使得內部員工人心惶惶。 新帝的營(yíng)運業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 記憶卡 新帝 SanDisk
一種在片上系統中實(shí)現Nand Flash控制器的方法
- 1 引 言 Flash因為具有非易失性及可擦除性在數碼相機、手機、個(gè)人數字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。自1989年?yáng)|芝公司發(fā)表了Nand Flash結構以來(lái), Nand Flash以其相對于Nor Flash具有更小的體積,更快的寫(xiě)入和擦除速度,更多次的可擦除次數,以及更低廉的每bit價(jià)格得到了迅速發(fā)展。大容量的Nand Flash特別適合現在數碼設備中大數據量的存儲攜帶,可以降低成本,提高性能。 ARM7TDMI是世界上廣泛使用的32位嵌入式RIS
- 關(guān)鍵字： Flash ARM SoC
透視 FPGA 的安全性
- 今天的設計人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設計工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應用中，尤其是消費電子和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。據Gartner Dataquest市場(chǎng)研究公司指出，FPGA器件在汽車(chē)應用中的使用規模從2002到2005年增加約七倍。 這個(gè)增長(cháng)在很大程度上是來(lái)自于FPGA本身的特點(diǎn)。由于象全球定位系統 (GPS) 導航裝置和DVD播放機之類(lèi)設備的產(chǎn)品壽命相對較短，因此縮短其開(kāi)發(fā)周期變得非常重要?？删幊踢壿嫳憧蔀樵O計人員提供所需的靈活性
- 關(guān)鍵字： FPGA 汽車(chē) Flash
HOLTEK新推出HT46F47E于A(yíng)/D型Flash MCU
- 03/03/2008訊,HOLTEK半導體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內存可以透過(guò)ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內存的燒錄，且燒錄次數可達十萬(wàn)次，此項特性讓客戶(hù)能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶(hù)可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調校參數，不需受限于燒錄次數；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級，提供更高的附加
- 關(guān)鍵字： Flash MCU
ZigBee技術(shù) 無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò )節點(diǎn) MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統中的應用，完成了硬件接口設計和軟件設計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應用于手
- 關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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