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分析稱(chēng)臺系DRAM廠(chǎng)明年可望大幅增長(cháng)
- 據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠(chǎng)中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(cháng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進(jìn)及明年轉進(jìn)42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率居全球之冠，以品牌銷(xiāo)售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠(chǎng)開(kāi)始對模塊廠(chǎng)讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠(chǎng)，在面對庫存節節攀高的情況下，態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng)，部分模塊廠(chǎng)開(kāi)始回補一些庫存，不過(guò)，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋(píng)果(Apple)訂單的撐腰，對于價(jià)格仍是相當強硬，顯示蘋(píng)果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
分析稱(chēng)臺系DRAM廠(chǎng)2011年可望大幅增長(cháng)
- 據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠(chǎng)中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(cháng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進(jìn)及明年轉進(jìn)42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率居全球之冠，以品牌銷(xiāo)售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
臺系DRAM廠(chǎng)的轉型與挑戰
- 根據集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠(chǎng)中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(cháng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進(jìn)及明年轉進(jìn)42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率居全球之冠，以品牌銷(xiāo)售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠(chǎng)之冠。
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
NAND Flash市況兩極 靜待8月底補貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋(píng)果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠(chǎng)需求仍十分強勁，但零售市場(chǎng)買(mǎi)氣不振，模塊廠(chǎng)拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來(lái)，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋(píng)果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠(chǎng)陷入僵局。 近期大陸因為亞運因素，
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TMS320C6201 處理器與FLASH存儲器接口設計
- 關(guān)鍵字： TMS320C6201/6701 FLASH 接口設計 引導
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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