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一種矢量信號發(fā)生器設計與實(shí)現
- 摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點(diǎn)，以FPGA為邏輯時(shí)序控制器，設計并實(shí)現了一種靈活、簡(jiǎn)單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例，詳細介紹了矢量信號發(fā)生器的設計方案與實(shí)現過(guò)程，使用Verilog HDL描述并實(shí)現了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
- 關(guān)鍵字： DDR2 SDRAM FLASH 201205
FLASH在MSP430F149嵌入式系統中的應用
- NAND Flash是采用NAND結構技術(shù)的非易失存儲器，具有ROM存儲器的特點(diǎn)，存儲在該芯片中的數據可在斷電情況下維持1 ...
- 關(guān)鍵字： K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH
基于DSP的外部Flash存儲器在線(xiàn)編程的軟硬件設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： DSP Flash 存儲器 在線(xiàn)編程 軟硬件設計
“BIWIN首屆Nand Flash應用高峰論壇”側記
- 2012年，隨著(zhù)智能手機、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā)，有一種半導體器件會(huì )受到產(chǎn)業(yè)的萬(wàn)眾矚目----這就是Nand Flash，Gartner預估今年NAND Flash市場(chǎng)增長(cháng)18%! 年初以來(lái)，NAND Flash大廠(chǎng)英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴增新產(chǎn)能計劃，各大廠(chǎng)工藝紛紛轉向20nm，三星西安建廠(chǎng)發(fā)力10nm Nand Flash!可以說(shuō)，一場(chǎng)圍繞Nand Flash應用的存儲大變革正在進(jìn)行，Nand Flash應用變革給本土業(yè)者帶來(lái)哪些機遇?智能手機、平板電腦供應商如何看待
- 關(guān)鍵字： BIWIN Nand Flash
存儲技術(shù)變局為中國制造帶來(lái)了什么機遇？
- 縱觀(guān)半導體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉型，新技術(shù)是變革者趕超傳統技術(shù)列強的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動(dòng)力源，當年的光盤(pán)存儲技術(shù)興起，就帶動(dòng)了中國整體光盤(pán)機產(chǎn)業(yè)，現在，我們又將迎來(lái)新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術(shù)會(huì )給我們的本土企業(yè)帶來(lái)了什么機遇?這里結合自己的體會(huì )聊做分析。
- 關(guān)鍵字： 泰勝微 存儲 NAND FLASH
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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