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未來(lái)的Flash記憶體
- Flash記憶體加工尺寸正越來(lái)越小，容量越來(lái)越高，耗電量越來(lái)越低，但與CPU類(lèi)似，到達某個(gè)尺寸后它也會(huì )迎來(lái)瓶頸，優(yōu)勢將變成劣勢?，F在市場(chǎng)上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD，東芝在上個(gè)月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線(xiàn)。目前估計Flash記憶體制造尺寸最小為8nm，可能要到20年代后期才可能出現。 加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假 設NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn)，那么一塊SLC(單層存儲單元)Flash芯片容量能超過(guò)500 GB，而TCL(三層存儲單元)F
- 關(guān)鍵字： Flash SSD
基于TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口系統設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： TMS320C6201 DSP Flash 存儲器接口
基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號發(fā)生器設計
- 摘要：以XC2V1500-FPGA為硬件架構，設計了一種圖像信號發(fā)生器，作為自適應光學(xué)系統波前處理機的信號源，為波前處理機的調試和算法驗證提供支持。系統采用大容量的NAND型FLASH存儲數據，存儲容量為1 GB。圖像數據通過(guò)
- 關(guān)鍵字： FLASH FPGA ROM 圖像信號發(fā)生器
基于JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線(xiàn)編程設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： DSP Flash JTAG 存儲器 在線(xiàn)編程
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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