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單相逆變器智能功率模塊應用電路設計
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開(kāi)關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無(wú)須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。 2 IPM的結構 IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門(mén)級驅動(dòng)器及保護電路構成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動(dòng)GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
一種延遲電路在變頻控制中的應用
- 摘 要：本文主要介紹一個(gè)由RC和或門(mén)電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應用，解決了原有芯片死區時(shí)間不確定的問(wèn)題。關(guān)鍵詞：延遲電路；IPM；死區時(shí)間 變頻控制死區時(shí)間簡(jiǎn)介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道，控制IPM工作的六路PWM信號，在導通時(shí)序上，控制同一通道的上下兩路信號不能出現同時(shí)導通的情況，如圖1所示。也就是說(shuō)同一橋臂的兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導通，如果同時(shí)導通，輕則引起IPM的工作保護，造成停機，重則將IPM模塊擊
- 關(guān)鍵字： IPM 死區時(shí)間 延遲電路
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