EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進(jìn)行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無(wú)線(xiàn)充電應用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓撲結構

　　宜普電源轉換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應商，基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個(gè)功率放大器，而在接收端無(wú)論是采用什么標準，也可以實(shí)現無(wú)線(xiàn)充電。

　　我們誠摯邀請工程師蒞臨中國上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11時(shí)在上海世博展覽館B2層2號會(huì )議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(huì )(電力轉換與智能運動(dòng)研討會(huì ))。屆時(shí)EPC公司的應用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高功率、高度共振式無(wú)線(xiàn)充電應用中，如何選擇放大器的拓撲結構，從而滿(mǎn)足客戶(hù)在產(chǎn)品設計上的要求。

　　近年來(lái)，配備無(wú)線(xiàn)充電功能的消費產(chǎn)品推動(dòng)了無(wú)線(xiàn)充電的快速發(fā)展。無(wú)線(xiàn)充電的普及要求器件可以在6.78 MHz和13.56 MHz的更高ISM頻段工作。共振式系統在該頻段允許高效率和高空間自由度，可同時(shí)對不同功率級的設備及對多個(gè)設備同時(shí)充電。在這些高頻率下，傳統的MOSFET技術(shù)已經(jīng)接近其性能極限。作為硅基功率MOSFET的替代器件 -- 增強型eGaN? FET的開(kāi)關(guān)轉換速度在亞納秒范圍內，可以在高頻、高壓下工作，因此是無(wú)線(xiàn)電源應用的理想器件。

　　EPC的解決方案是在高度共振式無(wú)線(xiàn)功率系統、工作在6.78 MHz頻率、采用差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓撲結構、經(jīng)過(guò)實(shí)驗驗證的比較，并且根據AirFuel? Class 4標準，可對負載提供最大33 W的功率。實(shí)驗結果表明，在25°C環(huán)境溫度下，這兩種拓撲結構都使得放大器可以在整個(gè)功率負載范圍內實(shí)現超過(guò)85%的效率，而場(chǎng)效應晶體管(FET)并不會(huì )超過(guò)80%的額定電壓或超過(guò)100°C器件溫度。

　　EPC公司推出了第五代eGaN FET器件，包括EPC2046(200 V、RDS(on) 最大值為25 m?、55 A 脈沖輸出電流))和EPC2047eGaN FET (10 m?、200 V)，并備有開(kāi)發(fā)板EPC9081。EPC2046 和 EPC2047都支持無(wú)線(xiàn)充電應用。

　　PCIM Asia 2017(轉換與智能運動(dòng)研討會(huì ))的詳情請訪(fǎng)問(wèn)http://www.pcimasia-expo.com.cn/shanghai/zh-cn/visitors/welcome.html 。