TI：運用GaN技術(shù)可提升數據中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。
李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。
李原榮表示，隨著(zhù)各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導者期盼透過(guò)數據中心實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶(hù)充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實(shí)現更高的功率密度和效率。
他也強調，一直以來(lái)，TI始終致力于支持臺灣和全球客戶(hù)在不同應用領(lǐng)域里迅速發(fā)展。
李原榮補充，TI 的自有產(chǎn)能和長(cháng)期投資，能夠快速擴展氮化鎵等各項技術(shù)，以協(xié)助客戶(hù)透過(guò)實(shí)現更小的系統來(lái)滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的市場(chǎng)需求，進(jìn)而以更高的效率處理更多數據。
而面對擴建數據中心的有限空間和服務(wù)器持續運行所需的大量電力，企業(yè)必須不斷提高數據中心的用電效率及功率密度。
TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切換驅動(dòng)器，以及內部保護與溫度感測功能，可在有限的電路板空間中具有更高效能表現，實(shí)現業(yè)界領(lǐng)先的功率密度（100W/in3）。而 TI 的C2000實(shí)時(shí)微控制器提供復雜并具時(shí)效性的處理能力、精確控制、軟件和周邊產(chǎn)品可擴充性等，透過(guò)支持不同電源設計與高切換頻率的特性，能充分發(fā)揮GaN型電源解決方案潛能，從而最大限度地提高電源效率。