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cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
NRAM已準備好進(jìn)軍市場(chǎng)？
- 美國記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商Nantero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱(chēng)Nano-RAM)，已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場(chǎng)上的儲存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執行長(cháng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話(huà)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
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GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設計而強化了14nm FinFET的設計架構
- GLOBALFOUNDRIES，世界先進(jìn)半導體制造技術(shù)的領(lǐng)導者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開(kāi)發(fā)的強化過(guò)的設計架構，在幫助那些采用先進(jìn)工藝技術(shù)設計的客戶(hù)的進(jìn)程上達到了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。 GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開(kāi)發(fā)出的新型設計流程，實(shí)現了從RTL到GDS的轉換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標準單元庫，形成一個(gè)數字設計“入門(mén)套件”，為設計人員進(jìn)行物理實(shí)
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CMOS電容式微麥克風(fēng)設計
- 隨著(zhù)智能手機的興起，對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視，近年來(lái)廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機電麥克風(fēng)采用硅半導體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現模擬或數字微機電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風(fēng)的設計與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
- 關(guān)鍵字： CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
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14納米FinFET制程略勝一籌 全球晶圓代工競爭暗潮洶涌
- 雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場(chǎng)的龍頭大廠(chǎng)，但為牽就蘋(píng)果(Apple)這個(gè)大客戶(hù)，內部壓寶16納米、20納米設備可以大部互通的產(chǎn)能擴充彈性?xún)?yōu)勢，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規劃藍圖。 反而在A(yíng)ltera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋(píng)果仍可喂飽臺積電先進(jìn)制程產(chǎn)能，但臺積電客戶(hù)結構從以IC設計公司為主，變成以系統廠(chǎng)獨霸半遍天，加上主要競爭對手也開(kāi)始爭取到重要
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如何挑選一個(gè)高速ADC
- 高速ADC的性能特性對整個(gè)信號處理鏈路的設計影響巨大。系統設計師在考慮ADC對基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對射頻(RF)和數字電路系統的影響。由于A(yíng)DC位于模擬和數字區域之間，評價(jià)和選擇的責任常常落在系統設計師身上，而系統設計師并不都是ADC專(zhuān)家。 還有一些重要因素用戶(hù)在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時(shí)才能知道所有系統級結果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無(wú)線(xiàn)通信系統的重要因素之一就是低輸入信號電平時(shí)的失真度。大多數無(wú)線(xiàn)傳輸到達ADC的信號
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10納米碳納米管CMOS器件面世
- 近日，在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng )新發(fā)展專(zhuān)項支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。 下一步，該團隊將繼續優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標準的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺，并基于該平臺開(kāi)發(fā)碳納米管CPU，最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領(lǐng)域的應用。
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基于A(yíng)T89C51單片機技術(shù)詳解、設計技巧、應用案例大全
- AT89C51是一種帶4K字節FLASH存儲器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱(chēng)單片機。本文為您介紹基于A(yíng)T89C51單片機技術(shù)詳解、設計技巧、應用案例大全，僅供參考。 基于A(yíng)T89C51的操控鍵盤(pán)的設計 本文以PC機通用鍵盤(pán)為例，闡述研制小型一體化專(zhuān)用鍵盤(pán)的方法。 采用小型一體化專(zhuān)用鍵盤(pán)不但可完成按鍵的功能，而且要求根據儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設計，使產(chǎn)品
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elmos慕尼黑電子展：秀我不同
- 說(shuō)起Elmos，也許我們更了解它的競爭者英飛凌(Infineon)、美信半導體(Maxim)，因為相比之下，Elmos進(jìn)入中國的時(shí)間并不長(cháng)。但是，我們卻早已開(kāi)始使用Elmos的產(chǎn)品了：Elmos的超聲波、被動(dòng)紅外以及馬達控制器芯片在全球的出貨量很大，僅超聲波倒車(chē)雷達芯片全球出貨量就高達5000萬(wàn)片。此次慕尼黑展商，Elmos展示的主要產(chǎn)品是停泊車(chē)系統傳感器和馬達控制器。Elmos亞洲區副總裁Ludger Kruecke Elmos亞洲區副總裁Ludger Kruecke介紹了此次展示的重點(diǎn)產(chǎn)品與應用
- 關(guān)鍵字： Elmos 汽車(chē) CMOS
索尼重組看到曙光：股價(jià)昨日創(chuàng )六年新高
- 社長(cháng)平井一夫對于日本索尼的“一個(gè)索尼”改造，以失敗告終。不過(guò)，在一個(gè)強勢人物吉田憲一郎(現任CFO)的加盟之下，索尼的重組，正在取得進(jìn)展，并看到曙光。周三，索尼股價(jià)在盤(pán)中，創(chuàng )出了六年新高。 根據日經(jīng)新聞的報道，周三索尼在盤(pán)中的股價(jià)一度達到3787.5日元(相當于31.4美元)，這是過(guò)去六年零七個(gè)月中的最高紀錄。 索尼最大的兩個(gè)業(yè)務(wù)包袱是電視機和智能手機。這兩個(gè)“困難戶(hù)”的重振，尚未傳出重大捷報。據媒體分析，索尼股價(jià)的利好，主要來(lái)自索尼目前在全
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應對5G 全雙工RF加倍無(wú)線(xiàn)通信傳輸速度
- 在大學(xué)的電子工程系課程中，我們曾經(jīng)學(xué)過(guò)“全雙工”(發(fā)送與接收)必須在不同的頻率或在不同的時(shí)間(技術(shù)上來(lái)說(shuō)是半雙工)中進(jìn)行。也就是說(shuō)，如果不是在不同的頻率下同時(shí)進(jìn)行發(fā)射與接收，就是在不同的時(shí)間下以相同頻率發(fā)射與接收。然而，根據美國紐約哥倫比亞大學(xué)(Columbia University)的研究人員指出，這種單向的“全雙工”其實(shí)是騙人的。 哥倫比亞大學(xué)研究人員們最近展示一種稱(chēng)為“哥倫比亞高速與毫米波IC”(CoSMIC)的互補金
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