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cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
探秘大基金，下一個(gè)投資目標瞄準了誰(shuí)？
- 自去年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱(chēng)大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務(wù)。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金的傳言不絕于耳。更有業(yè)者擔心大基金的投資會(huì )不會(huì )遍地開(kāi)花，甚至會(huì )毀了中國整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)。據最接近大基金的業(yè)內資深人士透露，這個(gè)擔心是多余的，大基金的“國家戰略+市場(chǎng)化運營(yíng)”的機制以及股權投資基金業(yè)的游戲規則決定了它不會(huì )這么干! 市場(chǎng)上的私募股權投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無(wú)非是它有了
- 關(guān)鍵字： 集成電路 FinFET
哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
- 關(guān)鍵字： FD- SOI FinFET
三維圖像指紋傳感器問(wèn)世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開(kāi)發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識別的安全性。指紋傳感器越來(lái)越被廣泛的應用在智能手機等設備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能，比傳統的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識別是通過(guò)傳感器提取的二維圖像，可以通過(guò)打印指紋圖案來(lái)繞過(guò)指紋認證。三維圖像的提取無(wú)疑將進(jìn)一步提高指紋識別的準確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機領(lǐng)域獨領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋(píng)果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
三維圖像指紋傳感器問(wèn)世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開(kāi)發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識別的安全性。指紋傳感器越來(lái)越被廣泛的應用在智能手機等設備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能，比傳統的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識別是通過(guò)傳感器提取的二維圖像，可以通過(guò)打印指紋圖案來(lái)繞過(guò)指紋認證。三維圖像的提取無(wú)疑將進(jìn)一步提高指紋識別的準確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機領(lǐng)域獨領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋(píng)果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字： 圖像指紋傳感器 CMOS
豪威“中國化”對圖像傳感器行業(yè)有何影響？
- 2015年對CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業(yè)來(lái)說(shuō)，是變動(dòng)比較大的一年。Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole)的報告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動(dòng)向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場(chǎng)今年將達到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢和業(yè)績(jì)出色的蘋(píng)果產(chǎn)品戰略而實(shí)施的產(chǎn)能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場(chǎng)份額，有在整個(gè)智能手機行業(yè)獨領(lǐng)風(fēng)騷之勢。 而索尼的競爭對
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
微光CMOS圖像傳感器讀出電路設計
- 當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著(zhù)CMOS工藝及電路設計技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過(guò)采用專(zhuān)項技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開(kāi)了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應用的序幕。隨著(zhù)對微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠的未來(lái)，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領(lǐng)域占據重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成后續信號處理電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀(guān)念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠(chǎng)，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點(diǎn)采用
- 關(guān)鍵字： FinFET FD-SOI
風(fēng)雨欲來(lái)，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現
- CMOS影像感測器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機大幅成長(cháng)，未來(lái)則可望在汽車(chē)、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長(cháng)率將高達10.6%?？春么艘簧虣C，中小型CIS晶片商正競相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠(chǎng)商為卡位新商機，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場(chǎng)應用大宗，但汽車(chē)、醫療和安全監控等新興應用需求已
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整，汽車(chē)/醫療/安全監控新商機浮現
- CMOS影像感測器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機大幅成長(cháng)，未來(lái)則可望在汽車(chē)、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長(cháng)率將高達10.6%?？春么艘簧虣C，中小型CIS晶片商正競相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠(chǎng)商為卡位新商機，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場(chǎng)應用大宗，但汽車(chē)、醫療和安全監控等新興應用需求已
- 關(guān)鍵字： 傳感器 CMOS
“中芯國際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝
- 近日，中國內地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國際集成電路制造有限公司，與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國際無(wú)晶圓半導體廠(chǎng)商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開(kāi)發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國際控股，華為、imec、Qualcomm各占
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 CMOS
IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術(shù)來(lái)達成以上目標。 上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現在該公司有另一個(gè)研究團隊則是聲稱(chēng)發(fā)現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。 IBMResearch先進(jìn)功能材料部門(mén)經(jīng)理、CMOS專(zhuān)家JeanFompeyr
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS
有關(guān)混合信號的技術(shù)方案及應用文獻，包括示波器、信號調節器等
- 混合信號，一種說(shuō)法是未來(lái)的系統將是大型的混合信號系統，它所占的比例將會(huì )增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說(shuō)法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數位晶片，將來(lái)的ASICs會(huì )用到多達一千五百萬(wàn)個(gè)邏輯們，而類(lèi)比和混合信號電路將會(huì )被留在晶片之外。 RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學(xué) 設計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規模獨立的模擬和分立IC市場(chǎng)，是因為模擬與數字IC相結合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過(guò)程。模擬和RF設計一直被認為是&l
- 關(guān)鍵字： ASICs CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
cmos finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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