NRAM已準備好進(jìn)軍市場(chǎng)？

　　美國記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商Nantero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱(chēng)Nano-RAM)，已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場(chǎng)上的儲存級記憶體。

　　Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執行長(cháng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話(huà)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈米管為基礎，也就是碳原子組成的圓柱體。那些直徑僅1~2奈米的奈米管比鋼更強韌，而且導電特性比其他已知的晶片制造材料更好。

　　其實(shí)Nantero早在2001年就已經(jīng)成立，但是目前仍然像是一家新創(chuàng )公司，它曾經(jīng)名列EE Times的2013年版“前十大值得關(guān)注新創(chuàng )公司”排行榜;Schmergel透露，與系統與元件制造商的合作進(jìn)展，將讓Nantero漸漸脫離潛水模式。他指出，NRAM已經(jīng)準備好商業(yè)化以及量產(chǎn)，Nantero已經(jīng)開(kāi)始提供4Mb的高良率NRAM晶片樣品，而目前已經(jīng)有7座量產(chǎn)CMOS晶圓廠(chǎng)安裝了NRAM制程。

　　Schmergel強調，NRAM技術(shù)能提供許多優(yōu)勢，包括讀寫(xiě)次數與DRAM相同，而速度則比手機與固態(tài)硬碟(SSD)使用的NAND快閃記憶體高一百倍：“其耐久性基本上是無(wú)限制的，因為碳奈米管永遠不會(huì )耗損。”測試結果顯示，NRAM在極端溫度下仍能維持穩定運作，該種記憶體甚至接受了航太業(yè)者洛柯希德˙馬丁(Lockheed Martin)與美國太空總署(NASA)在太空梭亞特蘭提斯號(Atlantis)上的輻射線(xiàn)轟炸測試。

　　回到地球上;Schmergel表示，NRAM的商業(yè)化優(yōu)勢還包括比DRAM或快閃記憶體功耗更低，此外碳奈米管的小尺寸，意味著(zhù)能以更小體積元件儲存更多資料，使其適合筆記型電腦、手機、甚至可穿戴式裝置與物聯(lián)網(wǎng)設備等終端系統：“還有很多我們無(wú)法預期的應用。”

　　而Schmergel指出，NRAM在成本上也有顯著(zhù)優(yōu)勢，因為碳奈米管體積小，元件尺寸能輕易微縮，意味著(zhù)NRAM不會(huì )面臨與其他種類(lèi)記憶體相同的制造挑戰;現有的CMOS晶圓廠(chǎng)也不需要額外的設備就能生產(chǎn)NRAM，因為該技術(shù)多年來(lái)的開(kāi)發(fā)成果，已經(jīng)使其能完全相容于現有半導體設備：“你能使用任何一種你想用的微影技術(shù)，這非常具成本效益。”

　　Nantero獨家開(kāi)發(fā)的NRAM記憶體是以碳奈米管為基礎

　　不過(guò)Schmergel也表示，Nantero不會(huì )自己生產(chǎn)NRAM，而是會(huì )將技術(shù)授權給元件或裝置制造商;他透露低第一款NRAM產(chǎn)品，會(huì )是與DRAM記憶體插槽相容的模組，而裝置業(yè)者能將該碳奈米管儲存方案，布署在NAND快閃記憶體電路的頂層。

　　對于Nantero，市場(chǎng)研究機構WebFeet Research執行長(cháng)Alan Niebel表示，該公司埋首于NRAM技術(shù)開(kāi)發(fā)超過(guò)十年，現在終于是展現成果的時(shí)候;而該技術(shù)最嚴峻的考驗，是能在多快的時(shí)間內整合進(jìn)晶片。存取次數、功耗、耐久性、可擴展性以及制程簡(jiǎn)易度等條件的表現，則將決定NRAM是否可行或能否被大量采用;但他預期嵌入式NRAM在2016年以前不會(huì )出現在市場(chǎng)上，而還要再過(guò)一年時(shí)間才能見(jiàn)到獨立式的NRAM元件問(wèn)世。

　　Niebel認為，碳奈米管的耐久性確實(shí)頗具吸引力，而若Nantero真能降低該技術(shù)成本、實(shí)現其通用性，NRAM將會(huì )是非常值得關(guān)注的技術(shù)。不過(guò)他也指出，NRAM的制造成本可能會(huì )比DRAM便宜，可能還是會(huì )高于NAND快閃記憶體;此新記憶體技術(shù)還需要大量的實(shí)作、測試與制程最佳化。

　　Nantero可能會(huì )在某些應用領(lǐng)域看到NRAM能取代DRAM的機會(huì )，但是DRAM恐怕不是那么容易在短時(shí)間之內被大量替代的;根據韓國業(yè)界消息，三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)等廠(chǎng)商，都計劃在DRAM產(chǎn)能上投資更多，以因應來(lái)自手機等行動(dòng)裝置對該記憶體技術(shù)的穩定需求。

　　在記憶體領(lǐng)域，總是會(huì )有新興技術(shù)想取代DRAM或NAND快閃記憶體，不過(guò)只是某些特定應用領(lǐng)域，例如電阻式記憶體(resistive RAM，RRAM)、磁阻式記憶體(MRAM)，以及還需要進(jìn)一步最佳化的相變化記憶體(phase-change memory，PCM)技術(shù)。