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cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門(mén)電路 CMOS 門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法： 1、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
我的一些數字電子知識總結（3）
- 簡(jiǎn)介：繼續把我在學(xué)習數字電路過(guò)程中的一些“細枝末節”小結一下，和大家共享。 1、在數字電路中，BJT一般工作在截止區或飽和區，放大區的經(jīng)歷只是一個(gè)轉瞬即逝的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程越長(cháng)，說(shuō)明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區或可變電阻區，恒流區的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過(guò)程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過(guò)于“含糊”，否則數字系統內門(mén)電路之間的抗干擾性能會(huì )大打折扣! 2、數字IC內部很多門(mén)電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來(lái)，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
- 關(guān)鍵字： CMOS 電路
FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(cháng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著(zhù)先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導線(xiàn)技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
- 關(guān)鍵字： FinFET 3D NAND
CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導體晶圓接合暨微影技術(shù)設備廠(chǎng)商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著(zhù)劑的晶圓接合系統目前市場(chǎng)需求殷切，在過(guò)去12個(gè)月以來(lái)，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來(lái)自于晶圓代工廠(chǎng)以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(chǎng)(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長(cháng)系受惠于先進(jìn)封裝應用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關(guān)鍵字： CMOS 3D-IC
ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計劃
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應商ams晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺，幫助芯片設計者實(shí)現更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 該平臺是ams“More than Silicon”計劃中的另一項拓展，通過(guò)該平臺ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識產(chǎn)權、元件庫、工程咨詢(xún)及服務(wù)，利用其專(zhuān)業(yè)技術(shù)幫助客戶(hù)順利開(kāi)發(fā)先進(jìn)的模擬和混合信號電路。 ams專(zhuān)有的光電子晶圓代工平臺基于先進(jìn)的0.35µm CMOS
- 關(guān)鍵字： ams CMOS
ams收購恩智浦半導體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)
- 領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應商ams(艾邁斯)近日宣布收購恩智浦半導體公司CMOS傳感器業(yè)務(wù)。收購完成后，恩智浦公司旗下先進(jìn)的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下，有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線(xiàn)。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內同時(shí)測量相對濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數。 ams市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和策略執行副總裁Thomas Riener表示：“環(huán)境傳感器可通過(guò)監測氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為，提高人類(lèi)對周邊環(huán)境的敏感度。通過(guò)使用電子設備獲取這些信息后，我們可以主動(dòng)高效地
- 關(guān)鍵字： ams CMOS
聯(lián)華電子TSV技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，驅動(dòng)AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布，用于A(yíng)MD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù)，已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于A(yíng)MD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù)，在硅中介層上融合 連結 AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠超出現今GDDR5業(yè)界標準達4倍的每瓦性能
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華電子 CMOS
AMD終于用上了FinFET工藝
- 這么多年，新工藝一直是AMD的痛點(diǎn)。早年自己生產(chǎn)進(jìn)展跟不上，現在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺積電都跑去抱蘋(píng)果的大腿了，導致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。 不過(guò)在昨日的財務(wù)會(huì )議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，進(jìn)展順利，接下來(lái)就可以去投產(chǎn)了。 她并沒(méi)有說(shuō)具體是哪兩款產(chǎn)品(估計會(huì )是新架構ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰(shuí)，臺積電16nm、GF14nm都有
- 關(guān)鍵字： AMD FinFET
cmos finfet介紹
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