EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cmos finfet
cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
應用材料公司推出面向3D芯片結構的先進(jìn)離子注入系統
- 應用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統。作為業(yè)內領(lǐng)先的中電流離子注入設備，該系統專(zhuān)為2x納米以下節點(diǎn)的FinFET和3D NAND制程而開(kāi)發(fā)，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復雜3D器件實(shí)現器件性能優(yōu)化，降低可變性，提高良率，是應用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。 VIISta 900 3D系統能有效提高離子束角度精度和束線(xiàn)形狀準確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶(hù)實(shí)現制程的可重復性，優(yōu)化器件性
- 關(guān)鍵字： VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
整體16/14納米FinFET設備訂單恐延一季
- Needham & Co.半導體設備分析師Edwin Mok 27日針對晶圓代工領(lǐng)域提出了透徹分析，認為相關(guān)的半導體設備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)訂單卻將遞延一季。 barron`s.com報導，Mok發(fā)表研究報告指出，據了解晶圓代工廠(chǎng)格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠(chǎng)的20奈米制程產(chǎn)能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠(chǎng)的設備，這似乎支持了近來(lái)傳出的高通(Qualco
- 關(guān)鍵字： FinFET 14納米
英飛凌推出最小的天線(xiàn)調諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)
- 英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線(xiàn)調諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)。新款天線(xiàn)調諧開(kāi)關(guān)(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶(hù)體驗助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線(xiàn)特性，在相關(guān)的LTE頻帶上可讓運行中的數據率達到最高水平。BGS1xGN10系列開(kāi)關(guān)采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機和其他便攜式設備等空間受限的應用而言至關(guān)重要。此外，該系列進(jìn)一步降低電流消耗，延長(cháng)此類(lèi)設備的待機和工作時(shí)間?！ 〔捎糜w凌射頻CMOS開(kāi)關(guān)技術(shù)的天線(xiàn)調諧專(zhuān)用開(kāi)關(guān)有利于開(kāi)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 BGSA14GN10 CMOS
英飛凌面向智能電話(huà)和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)出貨量突破10億大關(guān) Bulk RF CMOS技術(shù)實(shí)現最快增速
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話(huà)和平板電腦的射頻開(kāi)關(guān)的出貨量已經(jīng)突破10億大關(guān)。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開(kāi)關(guān)領(lǐng)先供應商之一的地位。預計，今后數年，隨著(zhù)新一代智能電話(huà)和平板電腦集成越來(lái)越多的LTE頻段，射頻開(kāi)關(guān)需求將呈兩位數增長(cháng)?！ ‰S著(zhù)4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來(lái)越多，其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應用之外，天線(xiàn)開(kāi)關(guān)也是射頻前端至關(guān)重要的主要組件。這些天線(xiàn)開(kāi)關(guān)要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線(xiàn)的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 LTE CMOS
RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器
- 專(zhuān)注于為無(wú)線(xiàn)連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng )新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無(wú)晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò )(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！ FX241最新加入RFaxis瞄準快速增長(cháng)的無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無(wú)線(xiàn)基礎設施市場(chǎng)的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場(chǎng)上
- 關(guān)鍵字： RFaxis RF CMOS
應用材料公司突破導線(xiàn)技術(shù)傳統瓶頸
- 應用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學(xué)氣相沈積(CVD)系統加入獨特的鈷金屬后，一舉突破導線(xiàn)技術(shù)傳統瓶頸，讓“摩爾定律”持續向下進(jìn)展到20納米。此外，應材的EnduraVentura實(shí)體氣相沈積(PVD)系統不但成功協(xié)助客戶(hù)降低成本，更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。 在強大技術(shù)創(chuàng )新突破的支持下，應用材料公司在營(yíng)運方面也頗有斬獲。應用材料公司臺灣區總裁余定陸表示，拜半導體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應用材料公司不
- 關(guān)鍵字： 應用材料 FinFET
德國開(kāi)發(fā)出可耐高溫的新型微芯片
- 在地熱生產(chǎn)和石油生產(chǎn)過(guò)程中溫度通常會(huì )超過(guò)200℃，高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開(kāi)發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。 傳統的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會(huì )迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實(shí)施持續冷卻，但是很難實(shí)現。此外，市場(chǎng)上也存在專(zhuān)門(mén)的高溫芯片，但是尺寸過(guò)大(最小尺寸也達1微米)。 IMS開(kāi)發(fā)的微芯片尺寸僅有0
- 關(guān)鍵字： 微芯片 CMOS
一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡(jiǎn)介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì )遠低于現有標準，于是采用襯底驅動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開(kāi)。襯底驅動(dòng)MOS晶體管的原理類(lèi)似于結型場(chǎng)效應晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
- 關(guān)鍵字： MOS CMOS
卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬(wàn)顆
- 作為專(zhuān)注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求，同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力?！? 卓勝微電子的GPS
- 關(guān)鍵字： 卓勝微電子 CMOS
卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆
- 2014年5月5日，作為專(zhuān)注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求，同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的G
- 關(guān)鍵字： GPSLNA 卓勝 RF CMOS
分析師預測2019年MRAM市場(chǎng)可達21億美元
- 市場(chǎng)研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來(lái)因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長(cháng)至21億美元;期間的復合年平均成長(cháng)率(CAGR)估計為50%。
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
先進(jìn)封裝技術(shù)：可穿戴電子設備成功的關(guān)鍵
- 最近以來(lái)智能手表、體征監測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關(guān)注，但市場(chǎng)一直處于“雷聲大，雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因，有以下幾個(gè)因素制約了穿戴式電子設備實(shí)現突破：小型化低功耗技術(shù)還滿(mǎn)足不了需求、“殺手級”應用服務(wù)缺失、外觀(guān)工藝粗糙、用戶(hù)使用習慣仍需培養?！ 募夹g(shù)層面上看，先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一，特別是系統級封裝(SiP)以及3D封裝等。據深圳市半導體行業(yè)協(xié)會(huì )秘書(shū)長(cháng)蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應用處理器、
- 關(guān)鍵字： 穿戴式 SiP 3D CMOS
cmos finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
cmos finfet電路
cmos finfet相關(guān)帖子
cmos finfet資料下載
cmos finfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473