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cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
FinFET并非半導體演進(jìn)最佳選項
- 在歷史上，半導體產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)仰賴(lài)制程節點(diǎn)每一次微縮所帶來(lái)的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì )再伴隨著(zhù)成本下降，這將會(huì )是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來(lái)面臨的最嚴重挑戰。 具體來(lái)說(shuō)，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體，不過(guò)每個(gè)邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問(wèn)題部分源自于在新制程節點(diǎn)，難以維持高參數良率(parametric yields)以及低
- 關(guān)鍵字： FinFET 半導體
FinFET并非半導體演進(jìn)最佳選項
- 在歷史上，半導體產(chǎn)業(yè)的成長(cháng)仰賴(lài)制程節點(diǎn)每一次微縮所帶來(lái)的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì )再伴隨著(zhù)成本下降，這將會(huì )是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來(lái)面臨的最嚴重挑戰。 具體來(lái)說(shuō)，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體，不過(guò)每個(gè)邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問(wèn)題部分源自于在新制程節點(diǎn)，難以維持高參數良率(parametric yields)以
- 關(guān)鍵字： FinFET 半導體
基于視覺(jué)的駕駛員輔助嵌入式系統(上)
- 本文簡(jiǎn)要描述了基于攝像頭的主動(dòng)安全系統的應用、引入它的動(dòng)機及好處。此外，本文還介紹了視覺(jué)處理的未來(lái)解決方案與技術(shù)進(jìn)步，可確保在功率有限的情況下實(shí)現最大性能。適用于前照燈控制、車(chē)道保持、交通標志識別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案，目前使用分辨率高達120萬(wàn)像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著(zhù)新一代傳感器的推出，分辨率將進(jìn)一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測物體，需要復雜的算法。車(chē)道保持、自動(dòng)緊急剎車(chē)或交通擁堵輔助等半自動(dòng)駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級別，但所有這些
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 CMOS FPGA MAC
Cadence物理驗證系統通過(guò)FinFET制程認證
- 重點(diǎn)： ·?認證確保精確性方面不受影響，并包含用于65納米至14納米FinFET制程的物理驗證簽收的先進(jìn)技術(shù) ·?雙方共同的客戶(hù)可通過(guò)它與Cadence?Virtuoso及Encounter平臺的無(wú)縫集成進(jìn)行版圖設計和驗證版圖 全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統公司今天宣布Cadence??Physical?Verification?System?(PVS)通過(guò)了GLOBALFOUNDRIES的認證，可用于65納米
- 關(guān)鍵字： Cadence FinFET Virtuoso Encounte
一種數字化的雙向微型無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統設計
- 本文提出了一種全新的數字化的雙向微型無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統， 該系統具有可實(shí)時(shí)觀(guān)察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數據等功能。 對消化道疾病的檢查， 目前最常用和最直接有效的方法就是內窺鏡檢查， 它在消化道疾病的診斷中起著(zhù)極為重要的作用。但現有的常用內窺鏡系統都不得不帶有引導插管， 給系統操作帶來(lái)不便， 同時(shí)給檢查病人也帶來(lái)很大的痛苦， 而且檢查的部位受到限制， 無(wú)法實(shí)現對小腸部分的檢查。隨著(zhù)微電子技術(shù)的發(fā)展， 以色列人開(kāi)發(fā)出了無(wú)線(xiàn)內窺鏡系統[1]，其發(fā)展還在起步階段， 存在一些局限性， 比如圖像
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線(xiàn) CMOS
安森美半導體推出高能效電池監測器
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON?Semiconductor，)推出新系列的互補金屬氧化物半導體(CMOS)?“電池電量監測器”集成電路(IC)，為智能手機、平板電腦及數碼相機等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級監測。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結合了高精度等級，以及業(yè)界最低能耗，優(yōu)于執行此功能的競爭器件。這些器件還減少元件數量及降低系統成本，因為它們跟競爭器件不同，并不要求電流感測電阻來(lái)組成方案?！ “采腊?/li>
- 關(guān)鍵字： 安森美 LC709201F CMOS 便攜 電池監測
一種基于混合信號技術(shù)的汽車(chē)電子單芯片設計
- 隨著(zhù)汽車(chē)部件電子化程度的不斷提高,汽車(chē)工程師們正積極地尋求車(chē)輛系統中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車(chē)系統中用來(lái)嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車(chē)工程師們正借助于新穎的高壓混合信號技術(shù)將復雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?，F在,應用與42V車(chē)載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復雜的數字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵源或開(kāi)關(guān)驅動(dòng)器)集成到一起。 LIN總線(xiàn)系統 由于其相對較低的造價(jià),LIN總線(xiàn)正被廣泛應用于汽車(chē)的分布式電氣
- 關(guān)鍵字： AMI CMOS
下一代晶體管技術(shù)何去何從
- 大量的金錢(qián)和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì )持續多久和為什么要替代他們? 在近期內，從先進(jìn)的芯片工藝路線(xiàn)圖中看已經(jīng)相當清楚。芯片會(huì )基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí)，目前的CMOS工藝路線(xiàn)圖已經(jīng)不十分清晰。 半導體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時(shí)，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來(lái)提高電荷的遷移率。然后，到5nm時(shí)，可能會(huì )有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
- 關(guān)鍵字： 晶體管 FinFET
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標志著(zhù)移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線(xiàn)和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線(xiàn)開(kāi)關(guān)，相信會(huì )在集成電路上實(shí)現前所未有的功能。 集成天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò )追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠(chǎng)商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )的單
- 關(guān)鍵字： 高通 CMOS
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設計
- 本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān) CMOS 開(kāi)關(guān)芯片 201402
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