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cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進(jìn)行了較為詳細的說(shuō)明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問(wèn)題?！ MOS門(mén)電路 CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法： 與門(mén)和與非門(mén)電路 由
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
干貨分享：工程師教你如何設計D類(lèi)放大器
- D類(lèi)放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類(lèi)放大器?它們與其它類(lèi)型的放大器相比如何? 為什么D類(lèi)放大器對于音頻應用很有意義?設計一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類(lèi)音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?！ ∫纛l放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動(dòng)頻帶有限的揚聲器時(shí)頻率
- 關(guān)鍵字： D類(lèi)放大器 CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據HPC Wire網(wǎng)站報導，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
針對高性能計算7納米 FinFET工藝，ARM與臺積電簽訂長(cháng)期戰略合作協(xié)議
- ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(cháng)期戰略合作協(xié)議，涵蓋了未來(lái)低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴展了雙方的長(cháng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機延伸至下一代網(wǎng)絡(luò )和數據中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于A(yíng)RM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作?！ RM全球執行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
- 關(guān)鍵字： ARM FinFET
使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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三星14nm LPE FinFET電晶體揭密
- 三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項消息持續引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋(píng)果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。 業(yè)界目前共有三座代工廠(chǎng)有能力制造這種鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬(wàn)美元的計劃重點(diǎn)是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統。 除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
5納米制程技術(shù)挑戰重重 成本之高超乎想象
- 半導體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)(DP)。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來(lái)到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無(wú)懸念，只是芯片的制造成本會(huì )迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)(FP)，這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。 而對于更先進(jìn)5納米生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)說(shuō)，至今業(yè)界
- 關(guān)鍵字： 5納米 finFET
安森美半導體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結合高性能的SuperPD?相位檢測自動(dòng)對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過(guò)采用其片上PDAF處理，大大簡(jiǎn)化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場(chǎng)上其它
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS
應用材料:2016年晶圓廠(chǎng)設備支出有望擴增
- 應用材料集團副總裁暨臺灣區總裁余定陸認為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動(dòng)下，今年晶圓代工資本支出有望回升?！ ?nbsp;用材料集團副總裁暨臺灣區總裁與全球半導體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來(lái)晶圓代工的資本支出進(jìn)入谷底，預估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對晶圓代工來(lái)說(shuō)，10奈米不同于16奈米，最顯著(zhù)變化在于鰭式場(chǎng)效電晶體 (FinFET)
- 關(guān)鍵字： 晶圓 FinFET
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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