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CCD與CMOS的區別

技術(shù)的角度比較，CCD與CMOS的區別有如下四個(gè)方面的不同：1.信息讀取方式CCD電荷耦合器存儲的電荷信息，需在同步信號控制下一位一位地實(shí)施轉移后讀取，電荷信息轉移和讀取輸出需要有時(shí)鐘控制電路和三組不同的電源相配
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CMOS逐步替代CCD

CMOS相比CCD有一些明顯的優(yōu)勢，最大優(yōu)勢就是成本，還有就是采樣速度以及當前很多產(chǎn)品都比較看重的功耗。1、首先我們來(lái)說(shuō)說(shuō)CMOS相對CCD傳感器的最大優(yōu)勢，那就是成本。生產(chǎn)單位數量的CMOS的成本卻要比CCD容易很多，因
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圖像傳感器知識大全

圖像傳感器*概述圖像傳感器是組成數字攝像頭的重要組成部分。根據元件的不同，可分為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體元件)兩大類(lèi)。CCD
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具有實(shí)時(shí)跟蹤功能的憶阻視覺(jué)傳感器架構

　　1.前言　　過(guò)去的幾十年，業(yè)界圍繞CMOS架構視覺(jué)傳感器理論進(jìn)行了大量廣泛的研究和探討，旨在于在成像早期階段處理圖像，從場(chǎng)景中提取最重要的特征，如果換作其它方式達到同樣目的，例如，使用普通計算技術(shù)，則需要為此花費昂貴的成本[1],[2],[3],[4],[5],[6]。在這個(gè)方面，運動(dòng)偵測是最重要的圖像特征之一，是多個(gè)復雜視覺(jué)任務(wù)的基礎。本文重點(diǎn)介紹時(shí)間對比概念，這個(gè)概念在很多應用中特別重要，包括交通監控、人體運動(dòng)拍照和視頻監視[2], [4], [5], [7]。這些應用要求圖像偵測精確并可靠，
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TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區別

　　本文主要講了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232通信電平的概念及區別，希望對你的學(xué)習有所幫助。　　電平的概念：　　什么是電壓、電流、電功率?無(wú)線(xiàn)電愛(ài)好者都十分清楚。而談及“電平”能說(shuō)清楚的人卻不多。盡管人們經(jīng)常遇到，書(shū)刊中亦多次談起電路中的高電平、低電平、電平增益、電平衰減，就連電工必備的萬(wàn)用表上都有專(zhuān)測電平的方法和刻線(xiàn)，而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字樣也常?？梢?jiàn)。盡管如此，
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基于單片機的低成本CMOS圖像采集系統

　　在很多場(chǎng)合，由于客觀(guān)條件限制，人們不可能進(jìn)入現場(chǎng)進(jìn)行直接觀(guān)察，只能用適應性更強的電子圖像設備來(lái)代替完成，在此背景下發(fā)展起來(lái)的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)應用技術(shù)之一，它以直觀(guān)、信息內容豐富而被廣泛應用于許多場(chǎng)合。在物聯(lián)網(wǎng)系統中實(shí)現圖像采集，必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點(diǎn)：　　(1)物聯(lián)網(wǎng)節點(diǎn)對價(jià)格敏感。　　物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規模應用，傳感節點(diǎn)數目成百上千，若每個(gè)節點(diǎn)的成本提高一點(diǎn)，整個(gè)物聯(lián)網(wǎng)系統的成本就會(huì )提高很多。所以傳感節點(diǎn)圖像采集的成本應盡量低。　　(2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應用對圖像質(zhì)量要求
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半導體制程技術(shù)競爭升溫

　　要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過(guò)早… 　　盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(huà)(參考閱讀)之后快速成長(cháng);而市場(chǎng)研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠(chǎng)是否會(huì )采用FD
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MIT開(kāi)發(fā)全新光達系統　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(LiDAR)更輕薄與低成本的光達系統，而且由于不采用運動(dòng)機件將更為耐用，其非機械式光束操控速度更比目前機械光達系統快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現有CMOS設備量產(chǎn)。　　據IEEESpectrum報導，光達是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù)，雖類(lèi)似雷達但卻可獲得更高解析度，因為光線(xiàn)波長(cháng)比無(wú)線(xiàn)電波長(cháng)小10萬(wàn)倍。光達系統借由測量在3D空間內的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。　　光達系統基本操作方式是傳輸光束并測量
關(guān)鍵字： MIT CMOS

MIT開(kāi)發(fā)全新光達系統　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開(kāi)發(fā)出比目前市面上光達(LiDAR)更輕薄與低成本的光達系統，而且由于不采用運動(dòng)機件將更為耐用，其非機械式光束操控速度更比目前機械光達系統快上1,000倍。另外，其優(yōu)點(diǎn)之一是可利用現有CMOS設備量產(chǎn)。　　據IEEE Spectrum報導，光達是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù)，雖類(lèi)似雷達但卻可獲得更高解析度，因為光線(xiàn)波長(cháng)比無(wú)線(xiàn)電波長(cháng)小10萬(wàn)倍。光達系統借由測量在3D空間內的每一個(gè)畫(huà)素離發(fā)光元件的距離以及畫(huà)素方向來(lái)形成全3D世界模型。　　光達系統基本操作方式是傳輸光束并測
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設計原則：?jiǎn)纹瑱C硬件系統擴展外設

每天新產(chǎn)品時(shí)刻新體驗一站式電子數碼采購中心專(zhuān)業(yè)PCB打樣工廠(chǎng)，24小時(shí)加
關(guān)鍵字： ROM PCB CMOS

Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢

新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導廠(chǎng)商運用這個(gè)平臺
關(guān)鍵字： Synopsys FinFET

移動(dòng)處理器工藝制程挑戰技術(shù)極限 FinFET成主流

　　隨著(zhù)半導體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠(chǎng)商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節點(diǎn)的SoC也已實(shí)現量產(chǎn)，那么半導體技術(shù)節點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節點(diǎn)之后傳統的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應用上帶來(lái)怎樣的發(fā)展變革? 　　 5納米節點(diǎn)是目前技術(shù)極限摩爾定律被修正意義仍在
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TTL和CMOS電平的特點(diǎn)、使用方式

　　1，TTL電平(什么是TTL電平)：　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。< p=""> 　　特點(diǎn)：　　1.CMOS是場(chǎng)效應管構成，TTL為雙極晶體管構成　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作　　3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
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關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平

　　本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識要點(diǎn)，希望對你的學(xué)習有所幫助。　　一、TTL電平：　　TTL 電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進(jìn)制規定，+5V等價(jià)于邏輯“1”，0V等價(jià)于邏輯“0”，這被稱(chēng)做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術(shù)。　　TTL 電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的
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全球首家：臺積電公布5納米FinFET技術(shù)藍圖

　　臺積電7月14日首度揭露最先進(jìn)的5納米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)技術(shù)藍圖。臺積電規劃，5納米FinFET于2020年到位，開(kāi)始對外提供代工服務(wù)，是全球首家揭露5納米代工時(shí)程的晶圓代工廠(chǎng)。　　臺積電透露，配合客戶(hù)明年導入10納米制程量產(chǎn)，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務(wù)。臺積電強化InFO布局，是否會(huì )威脅日月光、矽品等專(zhuān)業(yè)封測廠(chǎng)，業(yè)界關(guān)注。　　臺積電在晶圓代工領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，是公司維持高獲利的最大動(dòng)能，昨天的新聞發(fā)布會(huì )上，先進(jìn)制程布局，成為法人另一個(gè)關(guān)注焦點(diǎn)。　　
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