GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數

　　在最近召開(kāi)的GSA會(huì )議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱(chēng)其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì )在這個(gè)會(huì )議上展示其最新的制造設備。

　　據稱(chēng)目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進(jìn)入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過(guò)按AMD原來(lái)的計劃，32nm SOI制程將在2011年前開(kāi)始采用，所以留給GlobalFoundries公司的時(shí)間應該是足夠的。

　　GlobalFoundries公司的這種32nm SOI制程工藝中啟用了HKMG(High-k+金屬門(mén)結構)技術(shù)，同時(shí)采用的是“Gate First”工藝(金屬門(mén)積淀過(guò)程排在漏源級高溫處理工步之前)，而他們的32nm Bulk HKMG制程也將采用“GATE First"工藝進(jìn)行制作。有趣的是，不久前GlobalFoundries的東家ATIC又收購了新加坡特許半導體公司，這家公司也是”Gate first“工藝的堅定擁護者。

　　而Intel則自采用金屬門(mén)結構后，一直都在采用”Gate last“技術(shù);另外一家大廠(chǎng)臺積電則屬于騎墻派，兩種技術(shù)皆有采用，但現階段以“Gate first”為主。

　　除了主力的SOI工藝之外，在Bulk工藝部分，GlobalFoundries也宣稱(chēng)他們已經(jīng)制出首片28nm制程的SRAM芯片，并稱(chēng)這種芯片內部的SRAM存儲單元尺寸為業(yè)界最小，僅0.12平方納米.