Peregrine半導體公司在電子設計創(chuàng )新會(huì )議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

　　Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng )始人、先進(jìn)的射頻解決方案之先驅?zhuān)裉?，在電子設計創(chuàng )新會(huì )議(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中華地區首次亮相。UltraCMOS Global 1是行業(yè)中第一個(gè)可重構射頻前端( RFFE )系統。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS Global 1是單一平臺的設計── 一個(gè)SKU，全球使用──能夠在全球所有地區運作。該系統包括產(chǎn)業(yè)界第一個(gè)LTE CMOS功率放大器(PA)，它達到砷化鎵(GaAs )技術(shù)功率放大器的性能。UltraCMOS Global 1 功率放大器提供寬頻帶功放通道，支持中國近期發(fā)放了牌照的TDD -LTE技術(shù)網(wǎng)絡(luò )。UltraCMOS Global 1是可重構系統LTE設備市場(chǎng)的迅速增長(cháng)對射頻前端的性能提出了前所未有的要求。為了滿(mǎn)足40個(gè)以上頻段和運行狀態(tài)數目可能增加5000倍以上的需要，產(chǎn)業(yè)界現在需要可重新配置、可調諧的射頻前端。 Peregrine半導體公司的UltraCMOS Global 1是一種易于使用的數字控制射頻前端，適用于一切模式和頻段，隔離性能好，解決了互操作問(wèn)題。它可以擴展，輕而易舉地支持更多的頻

　　段，而且開(kāi)關(guān)損耗小，可調諧。這樣高水平的可重構能力只有用Peregrine半導體公司的UltraCMOS 10技術(shù)平臺方能做到。UltraCMOS 10是先進(jìn)的CMOS工藝，它利用射頻SOI基片，比起同類(lèi)的解決方案，在性能方面提高了50 %。UltraCMOS Global 1就是在這個(gè)先進(jìn)的技術(shù)平臺上制造而成的。

　　Peregrine半導體的UltraCMOS Global 1，是第一個(gè)可重構的射頻前端(RFFE)系統，它包含多模式、多頻帶功率放大器，置于功放之后的開(kāi)關(guān)，天線(xiàn)開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器，這些都做在一塊芯片上。

　　UltraCMOS Global 1是在一塊芯片上，把Peregrine半導體最好的、成熟的射頻開(kāi)關(guān)和調諧器緊密無(wú)間地與CMOS功率放大器集成在一起。UltraCMOS Global 1射頻前端系統包含：

　　• 3路MMMB功率放大器 ，置于功放之后的開(kāi)關(guān)，天線(xiàn)開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器

　　• 支持包絡(luò )跟蹤

　　• 通用射頻前端 MIPI接口

　　UltraCMOS Global 1對于整個(gè)無(wú)線(xiàn)生態(tài)系統是有利的。平臺提供商和原始設備制造商(OEM)可以建立一個(gè)單一的平臺設計，面向全球市場(chǎng)，從而加快產(chǎn)品上市時(shí)間。消費者可以得到更長(cháng)的電池壽命，更好的接收效果，更快的數據傳輸速率和更廣闊的漫游范圍。最后，使用性能改進(jìn)了的射頻前端，可以擴大覆蓋范圍并減少掉線(xiàn)，無(wú)線(xiàn)運營(yíng)商可以降低他們在網(wǎng)絡(luò )上的資本投入。UltraCMOS Global 1射頻前端系統的平臺整合將在2014年完成，將在2015年后期投入大批量生產(chǎn)。UltraCMOS Global 1功放在性能方面有許多優(yōu)勢UltraCMOS Global 1采用業(yè)界第一個(gè)LTE CMOS功率放大器，它的性能與領(lǐng)先的砷化鎵功率放大器相同。在相鄰信道泄漏比(ACLR)為-38 dBc的情況下，使用WCDMA (語(yǔ)音)波形，UltraCMOS Global 1功放的PAE(功率附加效率)性能接近50%。這個(gè)性能與領(lǐng)先的GaAs功放的性能在同一個(gè)水平，超過(guò)其他CMOS功放十個(gè)百分點(diǎn)，這表示效率提高了33 %。此外，對于LTE波形，在不同資源塊分配的情況下，UltraCMOS Global 1功放的PAE性能與GaAs功放相當。達到這個(gè)水平性能，并不需要增強包絡(luò )跟蹤，也不需要數字預失真，在CMOS功放與砷化鎵功放進(jìn)行性能對比測試時(shí)，往往加強包絡(luò )跟蹤，并使用數字預失真。“Peregrine半導體公司的UltraCMOS Global 1 功放在市場(chǎng)上掀起了軒然大波，它將加速功放前端市場(chǎng)從砷化鎵技術(shù)過(guò)渡到CMOS功率放大器。”Strategy Analytics公司射頻和無(wú)線(xiàn)元件總監Christopher Taylor說(shuō)。“在2014年世界移動(dòng)通信大會(huì )上進(jìn)行的演示中，在所有功率電平上，Peregrine半導體的UltraCMOS Global 1 功率放大器與具有領(lǐng)先優(yōu)勢的砷化鎵功放顯然不相伯仲，在此基礎上，由于CMOS的集成能力，Peregrine半導體的功放具有更強的靈活性。”

　　UltraCMOS Global 1功率放大器(PA )是業(yè)界第一個(gè)性能與GaAs功放的性能不分伯仲的功放，它的性能超過(guò)現有的CMOS功放十個(gè)百分點(diǎn)，這表示效率提高了33個(gè)百分點(diǎn)。

　　UltraCMOS Global 1支持TDD-LTE網(wǎng)絡(luò )在中國，近期得到牌照的TDD-LTE網(wǎng)絡(luò )已經(jīng)在2.3至2.7 GHz頻率范圍增加了對頻帶的要求。UltraCMOS Global 1功放提供寬頻帶功放的通路，支持這個(gè)頻率范圍。“Peregrine致力為大中華地區市場(chǎng)服務(wù)。”Peregrine半導體公司行政總監Jim Cable說(shuō)。“為了更好地為我們的客戶(hù)服務(wù)，我們在最近擴大了我們在中國的辦事處，包括設立新的實(shí)驗室設施以及其他技術(shù)資源。今天，在電子設計創(chuàng )新會(huì )議(EDI CON)上 ，我們推出UltraCMOS Global 1射頻前端(RFFE)解決方案，以滿(mǎn)足TDD - LTE網(wǎng)絡(luò )的需要。”關(guān)于前瞻性陳述的使用本新聞稿包含有關(guān)本公司管理層對于未來(lái)的預期、信念、意圖、目標、策略、計劃和前景的前瞻性陳述。這些陳述是“前瞻性"陳述遵守1995年私人證券訴訟改革法案(Private Securities Litigation Reform Act )中安全港條款的規定。這種前瞻性陳述的事項之實(shí)現存在風(fēng)險、不確定性和假設。如果任何這些風(fēng)險或者不確定性出垷，或者任何假設經(jīng)過(guò)證明是不正確的，我們的實(shí)際達到的結果、業(yè)績(jì)或者成就與前瞻性陳述中表達或暗示的任何未來(lái)結果、業(yè)績(jì)、成就會(huì )有重大差別。這些風(fēng)險和不確定因素包括，但不限于，本公司收入的主要部分依賴(lài)對數量有限的客戶(hù)，知識產(chǎn)權風(fēng)險，在這個(gè)行業(yè)中的激烈競爭，我們及時(shí)開(kāi)發(fā)并推出的新的和增強的產(chǎn)品的能力以及這些產(chǎn)品得到市場(chǎng)接受的能力，消費者接受我們的客使用本公司解決方案的產(chǎn)品的能力，我們缺乏長(cháng)期的供應合同，我們對有限的供貨源的依賴(lài)，以及我們的產(chǎn)品平均銷(xiāo)售價(jià)格可能出現的下跌。

　　關(guān)于與Peregrine的業(yè)務(wù)相關(guān)的風(fēng)險和不確定性的更多信息，請不時(shí)參閱我們向證券交易委員會(huì )提交的材料，包括我們在10-K表格中“風(fēng)險因素"一欄中截至于2012年12月29日提供的內容，以及本公司在2013年12月28日之前的一年中在10-K表格中提供的其他信息，這些資料應當與財務(wù)業(yè)績(jì)結合起來(lái)一起閱讀。這些文件可在我們的網(wǎng)站中“投資者關(guān)系"部份的證券交易委員會(huì )(SEC)文件部分找到，網(wǎng)址：http://investors.psemi.com/。另外請注意，前瞻性陳述僅代表本公司管理層截至本新聞稿發(fā)布之日的信念和假設。除非法律要求，即使在將未來(lái)，可以得到新的信息，我們不承擔任何義務(wù)公開(kāi)地提供前瞻性陳述的新的內容，或者提供實(shí)際結果與這些前瞻性陳述中的預期結果大相徑庭的原因。