閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)
全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱(chēng)為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠(chǎng)內投入試生產(chǎn),于2016年進(jìn)行規?;虡I(yè)生產(chǎn)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/271855.htm閃迪存儲技術(shù)部執行副總裁Siva Sivaram博士表示:“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND,它是一種48層架構,與我們的合作伙伴T(mén)oshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎,完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開(kāi)發(fā);我們相信,它將為我們的客戶(hù)提供讓人贊嘆的存儲解決方案。”
閃迪計劃將第二代3D NAND技術(shù)廣泛地應用于各種解決方案中,范圍涵蓋可移動(dòng)產(chǎn)品到企業(yè)級SSD。
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