次世代內存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結盟熱潮

　　繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開(kāi)發(fā)新世代內存ReRAM技術(shù)和材料，Elpida(爾必達)與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結盟熱潮。內存業(yè)者預期，未來(lái)ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內存)和MRAM(磁性隨機存取內存)等次世代內存，將會(huì )有一番激烈競爭。

　　值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開(kāi)發(fā)ReRAM技術(shù)，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術(shù)，采用十字結構，相較于傳統內存電路，更容易在層內堆棧，藉以讓晶體管儲存更多數據，惠普已研發(fā)逾10年之久，藉由惠普的材料技術(shù)，以及海力士在內存領(lǐng)域量產(chǎn)和技術(shù)實(shí)力，雙方合作開(kāi)發(fā)ReRAM芯片，預計在3年內第1款產(chǎn)品問(wèn)世，采22奈米制程生產(chǎn)。

　　爾必達在內存領(lǐng)域布局越來(lái)越廣泛，2010年取得已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(QimONda)繪圖卡內存(GDDR)技術(shù)，又與飛索(SpaNSion)合作研發(fā)電荷捕獲 (charging-trapping)NAND Flash技術(shù)，未來(lái)可能跨足到NOR Flash市場(chǎng)，近期則宣布與夏普合作開(kāi)發(fā)ReRAM。未來(lái)爾必達將以?xún)却嬷瞥碳夹g(shù)，輔以夏普最擅長(cháng)的材料技術(shù)和制作工法，切入30奈米制程，最快2011年研發(fā)出ReRAM相關(guān)材料和制造技術(shù)，并由爾必達負責量產(chǎn)。

　　內存業(yè)者指出，海力士和爾必達紛攜手異業(yè)，進(jìn)軍次世代內存技術(shù)領(lǐng)域，顯示次世代內存的材料和技術(shù)門(mén)坎相當高，需要靠異業(yè)結盟來(lái)推動(dòng)產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)。至于惠普和夏普會(huì )投入內存開(kāi)發(fā)，主要亦是為旗下PC、手持式產(chǎn)品等終端產(chǎn)品鋪路，確保能擁有效能最佳的內存產(chǎn)品。

　　ReRAM是一種次世代內存技術(shù)，未來(lái)應用目標是取代NAND Flash和DRAM，ReRAM芯片能利用現有半導體制程制造，讀寫(xiě)速度較NAND Flash芯片快許多，且大幅減少耗能。除ReRAM芯片外，其它次世代內存技術(shù)包括3D NAND Flash、PRAM和MRAM等，都有不同的內存大廠(chǎng)投入開(kāi)發(fā)，都是為銜接NAND Flash和DRAM技術(shù)瓶頸，未來(lái)各種次世代內存都得經(jīng)過(guò)導入量產(chǎn)考驗。