ReRAM即將跨入3D時(shí)代？

　　莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱(chēng)成功為ReRAM開(kāi)發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…

　　可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類(lèi)型的“通用”存儲器，不僅提供了隨機存取存儲器(RAM)的速度，又兼具快閃存儲器(flash)的密度與非揮發(fā)性。然而目前，flash由于搶先進(jìn)入3D時(shí)代而較ReRAM更勝一籌。

　　如今，莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(Moscow Institute of Physics and Technology;MIPT)的研究人員已成功為ReRAM開(kāi)發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現適于3D堆疊的薄膜技術(shù)。

　　ReRAM的研發(fā)一般采用憶阻器進(jìn)行，其中，在介電層中遷移的氧空缺(oxygen vacancy)，將電介質(zhì)的電阻改變?yōu)椤?’與‘0’。除了MIPT，還有來(lái)自4DS Memory Ltd.、Crossbar Inc.、HP Inc.、Knowm Inc.以及美國德州萊斯大學(xué)(Rice University)的研究人員們也為ReRAM創(chuàng )造了原型。

　　針對3D ReRAM，MIPT科學(xué)家Konstantin Egorov表示，“我們不僅需要在介電層中形成氧空缺，還必須為其進(jìn)行檢測”。為此，MIPT的研究人員們采用的方法是，在出現氧空缺的介電層中，觀(guān)察其能隙中的電子狀態(tài)

　　Egorov說(shuō)：“為了研究在氧化鉭薄膜生長(cháng)過(guò)程中形成的氧空缺，我們使用了一種整合生長(cháng)PEALD[電漿輔助原子層沉積]和分析XPS(X射線(xiàn)光電子能譜儀)腔室(以真空管相互連接)的實(shí)驗叢集。該叢集讓我們能生長(cháng)和研究沉積層，而不至于破壞真空狀態(tài)?！?/p>

　　他強調，“這一點(diǎn)非常重要，因為一旦從真空中取出實(shí)驗樣本，介電質(zhì)的納米層就會(huì )在其表面上氧化，導致氧空缺的消失?！?/p>

　　用于生長(cháng)和研究薄膜的實(shí)驗叢集，可在真空狀態(tài)下實(shí)現3D堆疊 (來(lái)源：MIPT)

　　任何半導體研究實(shí)驗室都可以建構這種獨特的原子層沉積(ALD)叢集，其方式是連接PEALD和XPS腔室，然后再添加自動(dòng)操縱器，在腔室之間傳輸晶圓。除了樣本測試晶圓以外，在大量生產(chǎn)時(shí)并不需要這種叢集。然而，必須建立一條的的組裝線(xiàn)，以補償ALD薄膜緩慢的生長(cháng)速度。

　　如果這些研究取得成功，MIPT聲稱(chēng)所產(chǎn)生的ReRAM就可以垂直堆疊，成就一種可克服3D flash限制的通用存儲器;目前，3D flash僅限于64層。

　　與沉積氧空缺氧化鉭薄膜有關(guān)的化學(xué)反應階段(左)，以及透過(guò)X射線(xiàn)光電子能譜儀進(jìn)行分析的結果(右)。 (來(lái)源：MIPT)

　　雖然ALD的生長(cháng)緩慢，但它能實(shí)現3D結構的共形涂層，取代MIPT和其他研究實(shí)驗室迄今所使用的納米薄膜沉積技術(shù)。其關(guān)鍵的區別在于A(yíng)LD依次將基底暴露于前體材料和反應物材料，并且取決于二者之間的化學(xué)反應以產(chǎn)生主動(dòng)層。MIPT的技術(shù)還使用連接至金屬前體的化學(xué)分子配體，以便加速化學(xué)反應，但在用于元件的主動(dòng)層之前必須先移除這種配體。

　　MIPT首席研究員Andrey Markeev說(shuō)：“沉積缺氧薄膜需要找到正確的反應物，才能移除金屬前體中所含的配體，并且控制涂層的氧含量。因此，在經(jīng)過(guò)多次實(shí)驗后，我們成功地使用含氧的鉭前體，以及電漿激發(fā)的氫反應物?！?/p>

　　MIPT研究人員Dmitry Kuzmichev、Konstantin Egorov、Andrey Markeev和Yury Lebedinskiy，及其背后的原子層沉積機器。(來(lái)源：MIPT)

　　接下來(lái)，研究人員打算為這一流程進(jìn)行最佳化，并提高ALD的速度，從而為3D ReRAM實(shí)現大量生產(chǎn)。

　　MIPT的研究資金是由俄羅斯科學(xué)基金會(huì )(RSF)和MIPT共同提供。這項研究細節已發(fā)表于《ACS應用材料和介面》(ACS Applied Materials & Interfaces)期刊的“以電漿輔助原子層沉積控制TaOx薄膜的氧空缺，實(shí)現可變電阻式切換的存儲器應用”(In Situ Control of Oxygen Vacancies in TaOx Thin Films via Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for Resistive Switching Memory Applications)一文中。