夏普聯(lián)袂爾必達開(kāi)發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

　　日經(jīng)新聞報道，夏普正與爾必達聯(lián)手開(kāi)發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預計在2013年實(shí)現量產(chǎn)。

　　早在2007年，富士通就宣布開(kāi)發(fā)出了這種可變電阻式閃存芯片，它在降低功耗的同時(shí)寫(xiě)入速度達到目前手機所用NAND閃存芯片的10000倍。日經(jīng)新聞稱(chēng)，采用ReRAM芯片的設備可以在幾秒鐘的時(shí)間內下載一部高清電影，待機模式下功耗幾乎為零。

　　除了夏普和爾必達外，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所、東京大學(xué)以及其它芯片設備制造商也將加入到研發(fā)工作當中。該芯片最早將在2013年實(shí)現量產(chǎn)，爾必達將可能負責這一生產(chǎn)工作。

　　此外其它競爭對手同樣也在積極研發(fā)新型存儲芯片，東芝就在開(kāi)發(fā)一種層式結構(layered structure)閃存芯片;三星除了研發(fā)ReRAM外，相變式存儲芯片和磁性存儲芯片的開(kāi)發(fā)工作也在進(jìn)行中。