ReRAM公布最新成果,性能接近理論數據

　　可變電阻式ReRAM 作為新的存儲技術(shù)，從研發(fā)到商用總是要歷經(jīng)漫長(cháng)的艱難坎坷?，F在ReRAM芯片的研制已經(jīng)初見(jiàn)成效，日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果，稱(chēng)他們試制的產(chǎn)品在性能上已經(jīng)非常接近理論數據。

　　索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb(2GB)的ReRAM芯片，據稱(chēng)這款芯片基于27nm CMOS工藝打造，可以用于替換現有的DDR SDRAM芯片，可用于移動(dòng)設備或者是PC上。

　　按照公布的信息稱(chēng)，索尼和Micron聯(lián)手公布的這顆芯片實(shí)際性能是讀取900MB/s，寫(xiě)入180MB/s，和它讀取1000MB/s、寫(xiě)入200MB/s的理論性能已經(jīng)非常接近，進(jìn)入量產(chǎn)、商品化的可能性很高。