ReRAM將能代替內存和硬盤(pán)

　　固態(tài)硬盤(pán)供應商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統存儲器，未來(lái)也許能一舉替代內存和硬盤(pán)。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結合于一身。換句話(huà)說(shuō)，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數據。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。

　　基礎電子學(xué)教科書(shū)列出三個(gè)基本的被動(dòng)電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教于加州大學(xué)伯克利分校，并且是新竹交通大學(xué)電子工程系榮譽(yù)教授的蔡少堂(Leon Chua)，37年前就預測有第四個(gè)元件的存在，即憶阻器(memristor)，實(shí)際上就是一個(gè)有記憶功能的非線(xiàn)性電阻器。

　　惠普公司實(shí)驗室的研究人員最近證明憶阻器的確存在，研究論文在5月1日的《自然》期刊上發(fā)表。加州大學(xué)伯克利分校電機工程和計算機科學(xué)系教授蔡少棠，1971年發(fā)表《憶阻器：下落不明的電路元件》論文，提供了憶阻器的原始理論架構，推測電路有天然的記憶能力，即使電力中斷亦然。惠普實(shí)驗室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標題，呼應前人的主張。蔡少棠接受電話(huà)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，當年他提出論文后，數十年來(lái)不曾繼續鉆研，所以當惠普實(shí)驗室人員幾個(gè)月前和他聯(lián)系時(shí)，他吃了一驚。

　　憶阻器可使手機將來(lái)使用數周或更久而不需充電;使個(gè)人電腦開(kāi)機后立即啟動(dòng);筆記型電腦在電池耗盡之后很久仍記憶上次使用的信息。憶阻器也將挑戰掌上電子裝置目前普遍使用的閃存，因為它具有關(guān)閉電源后仍記憶數據的能力。利用惠普公司這項新發(fā)現制成的晶片，將比今日的閃存更快記憶信息，消耗更少電力，占用更少空間。憶阻器跟人腦運作方式頗為類(lèi)似，惠普說(shuō)或許有天，電腦系統能利用憶阻器，像人類(lèi)那樣將某種模式(patterns)記憶與關(guān)聯(lián)。