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意法半導體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅逆變器量身定制
- 意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標桿。在滿(mǎn)足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導體還針對電動(dòng)汽車(chē)電驅系統的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng )新成果，履行創(chuàng )新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續在器
- 關(guān)鍵字： STPOWER SiC MOSFET
【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退
- 隨著(zhù)MOSFET柵極長(cháng)度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問(wèn)題之一。在熱載流子效應中，載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì )引起測量器件參數的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓 (VTH)、跨導 (GM)以及線(xiàn)性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著(zhù)時(shí)間的推移，可能會(huì )發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數退化，從而導致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能：自動(dòng)提取設備參數創(chuàng )建具有各種應力時(shí)間的應力測量序列輕松導出測量數據進(jìn)行高級分析本文說(shuō)明描述了如何在Kei
- 關(guān)鍵字： 泰克科技 MOSFET
Littelfuse推出高頻應用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動(dòng)器
- 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動(dòng)器。這些柵極驅動(dòng)器專(zhuān)為驅動(dòng)MOSFET而設計，通過(guò)增加其余兩個(gè)邏輯輸入版本完善了現有的IX434x驅動(dòng)器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶(hù)提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅動(dòng)器具有16納秒的短傳播延遲時(shí)間和7納秒的短暫
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高壓柵極驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√
- 高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器，可能會(huì )產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動(dòng)集成電路（HVIC）是專(zhuān)為半橋開(kāi)關(guān)應用設計的高邊和低邊柵極驅動(dòng)集成電路，驅動(dòng)高壓、高速MOSFET 而設計?！陡邏簴艠O驅動(dòng)器的功率耗散和散熱分析》白皮書(shū)從靜態(tài)功率損耗分析、動(dòng)態(tài)功率損耗分析、柵極驅動(dòng)損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉換器和輸出驅動(dòng)級。柵極驅動(dòng)器損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 柵極驅動(dòng)器 功率耗散
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱(chēng)國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破
- 據南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開(kāi)資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當電流被
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型
- 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì )成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì )上，賽事組委會(huì )發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開(kāi)賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內容。武漢市體育局黨組成員、副局長(cháng)洪旭艷，江夏區人民政府黨組成員、副區長(cháng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì )；武漢市社會(huì )體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區文化和旅游局（體育局）局長(cháng)繆璐進(jìn)行江夏區文旅推介，向社會(huì )各界發(fā)出“跟著(zhù)賽事游江夏”的邀
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 極氪
PCIM2024論文摘要｜離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢
- 梗概隨著(zhù)全球低碳化的進(jìn)程，可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來(lái)越高，此種背景下，儲能系統的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動(dòng)性，PCS作為儲能系統的核心裝置應用廣泛。在工商業(yè)應用里，存在單相負載與三相不平衡負載，為了滿(mǎn)足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制，三相四線(xiàn)變流器拓撲是非常必要的，常見(jiàn)的拓撲形式有以下幾種：a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲，由于N線(xiàn)電流流過(guò)母線(xiàn)電容，電容容量需求增大，且直流電壓利用率較低，諧波畸變較大，抑制三相不平衡能力相對有限，平衡橋臂式拓撲通過(guò)硬件電路增強中
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性
- Nexperia近日宣布，公司正在持續擴充其N(xiāo)extPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
- 關(guān)鍵字： Nexperia NextPower MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出安裝可靠性高的車(chē)載Nch MOSFET，非常適用于汽車(chē)車(chē)門(mén)、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應用！
- ~符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101，有助于車(chē)載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出具有低導通電阻*1優(yōu)勢的車(chē)載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車(chē)門(mén)鎖和座椅調節裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前，3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售，未來(lái)會(huì )繼續擴大產(chǎn)品陣容。在汽車(chē)領(lǐng)域，隨著(zhù)安全性和便捷性的提高，電子產(chǎn)品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數量也
- 關(guān)鍵字： ROHM Nch MOSFET 汽車(chē)車(chē)門(mén) 座椅 電機 LED前照燈
很基礎的MOS管知識
- 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱(chēng)為單極型三極管，因為這種管子是利用電場(chǎng)效應控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應三極管（FET），簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應管。場(chǎng)效應管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結型場(chǎng)效應管（JFET），另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應管”你會(huì )發(fā)現，搜索出來(lái)的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應管。即使搜索“結型場(chǎng)效應管”，出來(lái)的也只有幾種，你是不是懷疑結型場(chǎng)效應管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué)，沒(méi)錯，JFE
- 關(guān)鍵字： 三極管 MOSFET JFET
實(shí)現3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數字電源方案
- 隨著(zhù)社會(huì )經(jīng)濟發(fā)展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統的需求量一直保持相當程度的增長(cháng)。2023年，全球家用儲能系統市場(chǎng)銷(xiāo)售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長(cháng)率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場(chǎng)經(jīng)過(guò)了一輪爆發(fā)式增長(cháng)的狂歡后，現在也迎來(lái)了穩定增長(cháng)期，從未來(lái)看，預計在2027年便攜儲能市場(chǎng)將達到900億元；AI Server市場(chǎng)規模持續增長(cháng)，帶來(lái)了數字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求，現在單機3KW的Power也成為了標配。對于
- 關(guān)鍵字： Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 雙向圖騰柱 PFC 數字電源
還分不清結型場(chǎng)效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現
- JFET 與 MOSFET的區別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結上的電場(chǎng)引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。JFET 與 MOSFET的區別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱(chēng)為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱(chēng)為“OFF 器件”，
- 關(guān)鍵字： 結型場(chǎng)效應管 jfet MOSFET 電路設計
貿澤開(kāi)售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jì)Υ嫦到y、電動(dòng)汽車(chē)充電、電源和電機驅動(dòng)應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
- 關(guān)鍵字： 貿澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
英飛凌OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET ，助力汽車(chē)控制器應用
- OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車(chē)規MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
- 關(guān)鍵字： OptiMOS MOSFET 英飛凌
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
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