EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mosfet
mosfet 文章 進(jìn)入mosfet技術(shù)社區
ROHM開(kāi)發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列
- ROHM株式會(huì )社最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導向系統、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機驅動(dòng)器使用的「MPT6 Dual(2元件)」型系列產(chǎn)品,這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng )的小型大功率封裝,低導通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應樣品;預定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì )社(茨城縣)進(jìn)行;包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) 
- 關(guān)鍵字: MOSFET ROHM 消費電子 封裝 消費電子
帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩壓器
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩壓器,輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個(gè)輸出電壓,可以在1V至電壓電源的80%的范圍內進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調節,并且總輸出電流高達6A。2個(gè)PWM是180o異相同步的,降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 ISL65426的獨特電源模塊架構允許對6個(gè)電流高達1A的模塊進(jìn)行分配,以便支持4個(gè)輸出配置選項之一。一個(gè)主電源模塊與各個(gè)同步轉換器通道相關(guān)聯(lián)。4個(gè)浮動(dòng)從電源模塊允許用戶(hù)將其分配給任一條通
- 關(guān)鍵字: MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩壓器
ZETEX推出帶診斷功能的自保護MOSFET ZXMS6002/3
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET,它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋,有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員,均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件,特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載,如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能,可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示,無(wú)需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現智能的
- 關(guān)鍵字: MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制 工業(yè)控制
Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET,它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋,有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員,均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件,特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載,如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能,可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
- 關(guān)鍵字: MOSFET Zetex 單片機 嵌入式系統 封裝
飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET,這兩款產(chǎn)品經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計,可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專(zhuān)利的PowerTrench® 工藝技術(shù),這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類(lèi)型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐;FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
- 關(guān)鍵字: MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
- 摘 要:本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應用,分析了以L(fǎng)DMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結構和制造工藝特點(diǎn)。文中結合6寸芯片生產(chǎn)線(xiàn),設計了產(chǎn)品的制造工藝流程,分析了制造工藝的難點(diǎn),并提出了解決方案。關(guān)鍵詞:RF 功率 MOSFET;LDMOSFET;器件結構;制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無(wú)線(xiàn)通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字: LDMOSFET MOSFET RF RF專(zhuān)題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結構 制造工藝
Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅動(dòng)操作
- 模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動(dòng)電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。 這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封裝)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(兩者均為SOT23封裝)。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開(kāi)關(guān)功能,可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅動(dòng)。其超低柵極驅動(dòng)意味著(zhù)可
- 關(guān)鍵字: MOSFET Zetex 超低柵極驅動(dòng) 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅動(dòng)器
- 能夠驅動(dòng)工業(yè)應用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成, 為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員,宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品,能夠在工業(yè)應用中驅動(dòng)高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
- 關(guān)鍵字: MOSFET 單片機 飛兆半導體 光隔離 嵌入式系統 柵極驅動(dòng)器
常用MOSFET技術(shù)參數
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字: MOSFET
英飛凌推出新一代MOSFET節能器件
- 英飛凌推出新一代MOSFET節能器件,助力電源制造商實(shí)現能效目標 英飛凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)日前發(fā)布應用于計算機、電信設備和消費電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%,并在導通電阻、功率密度和門(mén)極電荷等主要功率轉換指標上達到業(yè)界領(lǐng)先水平。 許多電源產(chǎn)品,如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: MOSFET 電源技術(shù) 節能器件 模擬技術(shù) 英飛凌
單芯片大電流同步降壓方案助力簡(jiǎn)化電源設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字: MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場(chǎng)效晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數位電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
