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high-na 文章 進(jìn)入high-na技術(shù)社區
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場(chǎng)
- 據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì )ITF World 2023表示，半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿(mǎn)足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì )在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
- 關(guān)鍵字： ASML NA EUV 光刻設備
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術(shù)系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實(shí)現了晶體管性能的顯著(zhù)提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
- 關(guān)鍵字： high-current Derive simple source
半導體設備業(yè)研發(fā)經(jīng)費拮據 聯(lián)盟關(guān)系將成救星
- 市場(chǎng)研究機構Gartner警告，半導體設備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預算恐怕在接下來(lái)的五年內大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機。不過(guò)該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。 缺乏適當的投資將導致技術(shù)藍圖延遲，而且公司恐怕無(wú)法做好迎接未來(lái)挑戰的準備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導體設備業(yè)正面臨著(zhù)如此的危機點(diǎn)。不過(guò)Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過(guò)去十年來(lái)有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對研發(fā)所帶來(lái)的沖擊。 Fr
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 通孔硅 high-k金屬閘極
臺灣晶圓廠(chǎng)選擇 ASM 提供 High-k ALD工具
- ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠(chǎng)為其28 納米節點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠(chǎng)也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節點(diǎn)開(kāi)發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠(chǎng)在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來(lái)開(kāi)發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。 納米節點(diǎn)上實(shí)現成功的high-K制程
- 關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓
凌華推出High Speed Link延伸模塊
- 凌華科技推出High Speed Link系統延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶(hù)提供最長(cháng)可達2400公尺的長(cháng)距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線(xiàn)架構，搭配高達十余種I/O及運動(dòng)控制模塊的組合，提供客戶(hù)實(shí)時(shí)控制的完整解決方案。 凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠程I/O實(shí)時(shí)控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線(xiàn)的
- 關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制 凌華 汽車(chē)電子 通訊 網(wǎng)絡(luò ) 無(wú)線(xiàn) 延伸 模塊 工業(yè)控制
瑞昱推出High Definition 音訊轉換芯片
- 音訊內容保護 (Content Protection) 技術(shù)與透過(guò)傳統電話(huà)的Skype應用功能加速音訊轉換芯片在數字家庭的應用 瑞昱半導體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內建內容保護與防拷&nbs
- 關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉換 瑞昱 通訊與網(wǎng)絡(luò ) 芯片
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