GLOBALFOUNDRIES介紹22納米及更小尺寸技術(shù)

　　GLOBALFOUNDRIES日前介紹了一種創(chuàng )新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進(jìn)高 k金屬柵(HKMG)晶體管的一個(gè)主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強計算能力和大大延長(cháng)的電池使用壽命的下一代移動(dòng)設備推進(jìn)了一步。

　　眾所周知，半導體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續更小、更快、更節能的產(chǎn)品趨勢。研究是通過(guò)GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術(shù)聯(lián)盟來(lái)與IBM合作的形式進(jìn)行的，旨在繼續將半導體元件的尺寸縮小到22納米節點(diǎn)及更小尺寸。

　　在2009年于日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì )上，GLOBALFOUNDRIES首次展示了可使高k金屬柵(HKMG)晶體管的等效氧化層厚度(EOT)縮小到遠遠小于22納米節點(diǎn)所需水平，同時(shí)保持了低漏電、低閾值電壓和優(yōu)越的載流子遷移率等優(yōu)點(diǎn)的技術(shù)。

　　GLOBALFOUNDRIES技術(shù)與研發(fā)高級副總裁Gregg Bartlett說(shuō)：“HKMG是GLOBALFOUNDRIES技術(shù)路線(xiàn)圖的關(guān)鍵組成部分。這種進(jìn)展可能最終為客戶(hù)提供另一種提高其產(chǎn)品性能的工具，尤其是在快速增長(cháng)的具有長(cháng)電池壽命的超便攜筆記本電腦和智能手機市場(chǎng)。通過(guò)與IBM及聯(lián)盟伙伴的合作，我們利用我們的全球知識庫開(kāi)發(fā)先進(jìn)的技術(shù)，幫助我們的客戶(hù)處于半導體制造的前沿。”

　　為了保持HKMG晶體管的開(kāi)關(guān)精度，必須減少高k氧化層的等效氧化層厚度。然而，減少EOT會(huì )增加泄漏電流，從而增加微芯片的功耗。GLOBALFOUNDRIES和IBM已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種可克服這一障礙的新技術(shù)，首次展示了將EOT縮小到遠遠低于22納米節點(diǎn)，同時(shí)保持所需的漏電流、閾值電壓和載流子遷移率是可以實(shí)現的。通過(guò)使用0.55nm的EOT制造n-MOSFET器件和0.7nm的EOT制造p-MOSFET期間，結果得到了成功的展示。