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ddr3 文章 進(jìn)入ddr3技術(shù)社區
DDR3單元測試規范
- 一、測試目的DDR3的測試分為三類(lèi)：1、直流參數測試（DC Parameter Testing）：校驗工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數特性。內存的工作電流與功耗、負載有關(guān)，工作電流過(guò)高時(shí)，將造成功耗過(guò)高，給系統造成的負載過(guò)大，嚴重情況下將造成系統無(wú)法正常工作。存儲芯片也存在漏電流，當漏電流超出閾值時(shí)可能造成系統無(wú)法正常工作。2、交流參數測試（AC Parameter Testing）：檢測諸如建立時(shí)間、保持時(shí)間、訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間等時(shí)間參數特性。3、可靠性測試（Functional Testing）：測
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DDR3內存正式終結！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％
- 5月15日消息，據市場(chǎng)消息稱(chēng)，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò )交換機等。但對于芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，DDR3利潤微薄，無(wú)利可圖，形同雞肋。而在A(yíng)I的驅動(dòng)下，HBM高帶寬內存需求飆升，產(chǎn)能遠遠無(wú)法滿(mǎn)足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿(mǎn)，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預計明年
- 關(guān)鍵字： 存儲 DDR3 三星 SK海力士
「落后」的內存要大幅漲價(jià)，中國廠(chǎng)商迎來(lái)商機
- 當下，AI 服務(wù)器系統和應用最為火爆，其對 DDR5 和 HBM 的需求量大增，因此，在全球內存市場(chǎng)，DDR5 和 HBM 成為大宗存儲器市場(chǎng)的寵兒。AI 大模型持續迭代升級，參數持續增長(cháng)，大模型的參數規模越大，算力負擔越重，而 AI 服務(wù)器是算力的核心。2023 年，AI 服務(wù)器出貨量近 120 萬(wàn)臺，年增 38.4%，占整體服務(wù)器出貨量的 9%，按照這個(gè)勢頭發(fā)展下去，2026 年將占到 15% 的市場(chǎng)份額。更多的大模型參數需要大容量、高速的內存支持。針對 AI 服務(wù)器的高性能要求，更強大的內存——DD
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第三季利基型DRAM價(jià)格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心最新調查，DRAM原廠(chǎng)已陸續與客戶(hù)談定7月份利基型內存合約價(jià)，價(jià)格大致和6月相同。展望第三季，預期DDR4利基型內存報價(jià)水平將較接近主流標準型與服務(wù)器內存，因原廠(chǎng)可透過(guò)封裝打線(xiàn)形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類(lèi)別更換。DDR3則呈現相對穩健的供需結構，報價(jià)預期沒(méi)有明顯變動(dòng)。整體而言，第三季利基型內存價(jià)格走勢預估將持平?！ DR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內存主流 就產(chǎn)品應用種類(lèi)觀(guān)察，首先在利基型內存需求大宗的電視，今年出貨量持穩，約為2.157億臺。不過(guò)
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內存狂漲價(jià)：臺灣南亞量產(chǎn)DDR3/4
- 內存價(jià)格持續上漲，主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應嚴重不足，而且整個(gè)2018年都不會(huì )緩和。 其實(shí)在臺灣還有一家DRAM廠(chǎng)商南亞科技，只是市場(chǎng)規模偏小而已。DRAM市場(chǎng)需求如此旺盛的情況下，南亞也積極動(dòng)手了，首先已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)20nm4GbDDR3顆粒，今年第四季度還會(huì )量產(chǎn)20nm8GbDDR4。 DDR4的時(shí)代為何還要大規模生產(chǎn)DDR3?主要還是DDR4產(chǎn)能即便再怎么擴充，也需要時(shí)間，一時(shí)半會(huì )不可能緩解，而在很多領(lǐng)域，DDR3仍然有很大的需求。 最近不少主板廠(chǎng)商
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DDR4陣營(yíng)持續擴大 將首度超越DDR3
- 第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷(xiāo)售額在整體DRAM存儲器總銷(xiāo)售額中的占比不斷成長(cháng)。尤其是隨著(zhù)2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷(xiāo)售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調研機構ICInsights預估，隨著(zhù)如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷(xiāo)售額占比將會(huì )揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過(guò)去6年DDR3占比持續維持第一的
- 關(guān)鍵字： DDR4 DDR3
基于FPGA的DDR3控制器設計
- 基于FPGA的DDR3控制器設計,摘要 介紹了DDR3 SDRAM的技術(shù)特點(diǎn)、工作原理，以及控制器的構成。利用Xilinx公司的MIG軟件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上，實(shí)現了控制器的設計方法，并給出了ISim仿真驗證結果，驗證了該設計方案的可行性。DDR3 SDRAM
- 關(guān)鍵字： FPGA DDR3 SDRAM控制器 MIG ISim
Xilinx MIG IP核的研究及大容量數據緩沖區的實(shí)現
- 為了使DDR3 SDRAM更方便、多樣地用于工程開(kāi)發(fā)中，本文對XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核進(jìn)行了分析研究，并在此基礎上實(shí)現了大容量數據緩沖區的邏輯設計。通過(guò)對系統中各模塊的作用及相互間關(guān)系的研究，發(fā)現該控制器256位接口對工程開(kāi)發(fā)十分不便，通過(guò)創(chuàng )建FIFO控制系統和讀寫(xiě)接口FIFO的方式，將接口轉換為64位。該方案對控制核重新構建并上板測試，均符合高速數據傳輸緩存的要求，使DDR3成為一個(gè)大容量且可控的高速FIFO。
- 關(guān)鍵字： MIG核 FIFO DDR3 SDRAM 201608
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