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美高森美與 New Wave DV合作開(kāi)發(fā)用于以太網(wǎng)和光纖通道解決方案的創(chuàng )新網(wǎng)絡(luò )產(chǎn)品和IP內核

  •   致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布與New Wave Design & Verification (New Wave DV)合作開(kāi)發(fā)網(wǎng)絡(luò )硬件和光纖通道IP內核?,F在,PMC/XMC 卡和IP內核均可用于美高森美的SmartFusion2® SoC FPGA和IGLOO2® FPGA器件,能夠為用以太網(wǎng)和/或光纖通道的新型國防、航空航天、企業(yè)網(wǎng)絡(luò )和存儲應用加快開(kāi)發(fā)周期。   美高
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Intel絕妙創(chuàng )意:同時(shí)兼容DDR3/DDR4規格

  •   以往每次內存更新?lián)Q代的時(shí)候,Intel總是同時(shí)提供支持,主板廠(chǎng)商也會(huì )推出一些同時(shí)有兩種插槽的板子,給大家更多選擇,但是這一次的Haswell-E,Intel狠心只支持DDR4(據說(shuō)其實(shí)也支持DDR3但屏蔽了),實(shí)在有點(diǎn)激進(jìn)。   不過(guò),Intel其實(shí)還有一個(gè)鬼點(diǎn)子“UniDIMM”(Universal DIMM),可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來(lái)的LPDDR4共享一種接口規格,隨便更換、升級。        Universal DIMM(U
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關(guān)于數Gpbs高速存儲器接口設計的分析

  •   游戲機、數字電視(DTV)和個(gè)人電腦等流行的消費類(lèi)電子產(chǎn)品的功能越來(lái)越多,性能也越來(lái)越高。這些產(chǎn)品數據處理能力的增強使它們的DRAM存儲器接口功能與產(chǎn)品本身的功能緊密聯(lián)系在一起,以支持更多功能和更高性能。數據速率達數Gbps的存儲器接口架構可以幫助這些產(chǎn)品實(shí)現所需的功能和性能,但是存儲器接口設計必須克服艱巨的挑戰才能達到想要的產(chǎn)品性能和質(zhì)量。   更新一代的DDR3DRAM和XDR DRAM物理層接口(PHY)具有一些特殊的性能,完全可以克服數Gbps存儲器接口架構帶來(lái)的挑戰。但是,DDR3 SDR
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第一季度DRAM營(yíng)業(yè)收入增長(cháng) 市場(chǎng)保持上行走勢

  •   據IHS公司的DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報,在平均銷(xiāo)售價(jià)格上升的推動(dòng)下,DRAM市場(chǎng)繼續上行,第一季度營(yíng)業(yè)收入連續第二個(gè)月環(huán)比增長(cháng)。   今年1-3月DRAM營(yíng)業(yè)收入從2012年第四季度的67億美元增長(cháng)到71億美元,而且高于第三季度的64億美元。第一季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng )出了將近兩年來(lái)的最高水平,僅低于2011年第二季度的81億美元,如圖2所示。   圖2:全球DRAM營(yíng)業(yè)收入概況(單位是10億美元)    ?   DRAM市場(chǎng)的強勁表現主要源于商品型DRAM領(lǐng)域的增長(cháng),此前由于出貨量未能跟上
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針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設計

  • 摘要   本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在設計印制線(xiàn)路板(PCB)時(shí),考慮信號完整性和電源完整性的設計事項,這些是具有相當大的挑戰性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數,特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù),其中
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IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內存緩沖芯片

  • 擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。
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IDT公司推出業(yè)界首款低功率內存緩沖芯片

  •   擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過(guò)提升 DDR3 減少負載雙列直插內存模塊 (LRDIMM) 的最高數據傳輸速率,并使系統制造商獲益于更高速度的內存容量,新器件彰顯了IDT在內存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。IDT 的內存緩沖芯片是用
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相當重口味!獨家華碩ROG主板暴力拆解

  •   泡泡網(wǎng)主板頻道3月7日 一提到華碩的高端主板,我們首先都會(huì )想到華碩的ROG些列主板產(chǎn)品,其定位頂級發(fā)燒用戶(hù),其極致的超頻性能以及相當奢華且精致的做工用料一直是廣大DIY愛(ài)好者做夢(mèng)都想得到的頂級裝備。   不過(guò),對于大多數DIYer來(lái)說(shuō)ROG主板還是比較陌生的產(chǎn)物,筆者今日有幸拿到了一款高貴的ROG系列主板,為了讓更多的DIY愛(ài)好者能夠對ROG主板有一個(gè)感性的認識,忍痛對此主板進(jìn)行了完全的拆解,包括每一個(gè)很小很小的MOS管元器件都要從PCB板上完全地拆除掉,總共拆成了2百多塊零件并把它們整齊地擺放好給
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DDR3測試的挑戰及解決方法

  • 前言作為DDR2的繼任者,根據JEDEC標準, 目前DDR3的數據速率跨度從800Mbps開(kāi)始直至1.6Gbps。在帶給用戶(hù)更快性能體驗的同時(shí), DDR3卻能保持較低的功耗,相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個(gè)DRAM市場(chǎng)低迷,DDR3的出貨量遠
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DRAM價(jià)格十一月繼續走低

  •   根據集邦科技旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調查,受到泰國水患影響硬盤(pán)供應鏈,以及正逢P(guān)C步入淡季,DRAM 11月下旬合約價(jià)再跌,DDR3 4GB跌幅約7.9%,2GB跌幅近7.3%,雖然南科與爾必達宣布減產(chǎn),但投片到產(chǎn)出需2個(gè)月的時(shí)間,因此效果要到明年第1季才有機會(huì )浮現。   集邦科技指出,由于11月份PC-OEM買(mǎi)貨意愿不高,甚至傳出部分訂單被取消,DRAM廠(chǎng)在出貨壓力下,只好再降價(jià)銷(xiāo)售,DRAM 11月下旬合約價(jià)公布,DDR3 4GB均價(jià)來(lái)到17.5美元,跌幅約7.9%,DDR3 2G
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爾必達25nm制程4Gbit內存顆粒開(kāi)發(fā)完成

  •   爾必達曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內存顆粒正式開(kāi)始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱(chēng),采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成,芯片面積在同類(lèi)產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。  
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是好是壞 全球內存現貨價(jià)格近日大漲

  •   內存現貨價(jià)格近日持續大漲,DDR32GB有效測試顆粒(eTT)現貨價(jià)19日大漲6.91%,順利站上1美元大關(guān),漲勢從而引發(fā)市況好轉的聯(lián)想。   南亞科技副總經(jīng)理白培霖表示,返校需求沒(méi)有預期差,加上內地十一長(cháng)假的備料需求,預計通路庫存大約剩下2至3周,比起7月中旬1個(gè)月以上的庫存來(lái)看,價(jià)格壓力可望寬緩一些。  
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第三季度及下半年 DRAM價(jià)格預計下挫

  •   據IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)報告,第三季度DRAM市場(chǎng)將面臨供應嚴重過(guò)剩和價(jià)格下滑的局面,導致下半年DRAM供應商陷入困境。   主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷(xiāo)售價(jià)格預計第三季度將降到1.60美元,比第二季度的2.10美元下降24%。這將是今年的最大降幅,此前在第二季度表現異常堅挺,價(jià)格只比第一季度下降5%,如圖4所示。第四季度價(jià)格可能進(jìn)一步下降22%至1.25美元,接近許多生產(chǎn)商的現金成本。一年前的第三季度,價(jià)格還保持在4.70美元。
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第3季度DRAM展望

  •   第2季DRAM報價(jià)下跌幅度相當大,主要是日本311地震后,下游客戶(hù)擔心斷鏈危機擴大,因此提前拉貨,但最后發(fā)現PC終端需求低于預期,導致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫存情況,且一直到第3季庫存水位仍是偏高,因此DRAM市場(chǎng)持續陷入供過(guò)于求情況。
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DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  •   據IHS iSuppli公司的研究,DDR3的市場(chǎng)份額穩定在85-90%,2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù),隨后才會(huì )逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。   
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ddr3介紹

目錄概述 設計 發(fā)展 DDR3內存的技術(shù)改進(jìn) 概述   針對Intel新型芯片的一代內存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下:   (1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓,在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。   (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實(shí)現更高的工作頻率,在一定程度 [ 查看詳細 ]

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