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ddr3 文章 進(jìn)入ddr3技術(shù)社區
爾必達推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒
- 最近，內存顆粒的工藝進(jìn)步速度非?？?，最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過(guò)了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(cháng)足的進(jìn)步。 今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開(kāi)發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng )下業(yè)界新紀錄。 據了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實(shí)現1600MHz頻率。同時(shí)，其工作電流相比同廠(chǎng)40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機電流下降10%。 爾必達聲稱(chēng)該內存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DDR3 30nm
DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)
- 韓國電子時(shí)報報導，DRAM價(jià)格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。據市調機構DRAMeXange統計，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來(lái)，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅 在1美元在線(xiàn)，其后持續上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。 D
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)
- 韓國電子時(shí)報報導，DRAM價(jià)格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業(yè)者也感到相當緊張。 據市調機構DRAMeXange統計，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來(lái)，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅在1美元在線(xiàn)，其后持續上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。DD
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三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內存芯片
- 今年早些時(shí)候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內存芯片的開(kāi)發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數據傳輸率下，加壓到1.5V之后數據傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務(wù)器，上網(wǎng)本，移動(dòng)設備的各種應用。 三星表示目前他們正在開(kāi)發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品，預計這款產(chǎn)品今年才會(huì )投入使用。
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茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒
- 臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠(chǎng)使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內存顆粒。首批測試結果顯示，顆粒規格符合業(yè)界規范，并全面兼容PC、數碼移動(dòng)電子品應用。茂德今年三月份開(kāi)始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒，計劃在今年三季度實(shí)現量產(chǎn)。到年底時(shí)，茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達到3.5萬(wàn)片。 茂德表示，他們預計將在明年下半年開(kāi)始使用爾必達的45nm工藝進(jìn)行生產(chǎn)，并計劃在明年年底
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Quamtum-SI DDR3仿真解析
- Automated DDR3 Analysis
Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam - 關(guān)鍵字： Quamtum-SI DDR3 仿真
Q1全球DRAM產(chǎn)值續增 三星穩居龍頭
- DRAM價(jià)格走揚，帶動(dòng)全球第一季DRAM產(chǎn)值持續攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長(cháng)6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩居全球DRAM龍頭寶座。 集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統淡季，不過(guò)，在電腦系統廠(chǎng)商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動(dòng)第 1季DRAM市場(chǎng)需求淡季不淡，價(jià)格也持續走揚。 根據統計，第一季DDR3合約季均價(jià)上漲16%，現貨季均價(jià)也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價(jià)上漲5%，現貨季均價(jià)則持平表現。 而在產(chǎn)品價(jià)格走揚，加上各
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三星將加大40nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)能
- 頂級內存/閃存芯片廠(chǎng)商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務(wù)器廠(chǎng)商對DDR3內存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內存芯片產(chǎn)品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內存條。 三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當與
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