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爾必達蠶食臺12寸廠(chǎng)DRAM產(chǎn)能

  •   日系DRAM大廠(chǎng)爾必達(Elpida)社長(cháng)坂本幸雄再度訪(fǎng)臺,8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長(cháng)陳民良聯(lián)合召開(kāi)記者會(huì ),說(shuō)明雙方合作代工細節。由于坂本幸雄過(guò)去慣常與力晶合作亮相,這次換成茂德,變化過(guò)程頗耐人尋味,爾必達2009年以來(lái)除拉攏茂德合作DDR3代工,亦與華邦電展開(kāi)繪圖存儲器(GDDR)代工合作,日廠(chǎng)在臺灣存儲器領(lǐng)域勢力越來(lái)越龐大,不論臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)未來(lái)怎么走,爾必達可說(shuō)是這場(chǎng)臺美日DRAM廠(chǎng)整并下的大贏(yíng)家。   爾必達經(jīng)過(guò)2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤(pán)襲擊,2009年元氣逐漸恢復后,
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基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設計

  •  1 引言  DDR3 SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯(lián)合委員會(huì ))制定的全新下一代內存技術(shù)標準,具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn),對于解決高速系統(例如某些高速圖 像處理系統)設計中由于存儲
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iSuppli:DDR3將成DRAM市場(chǎng)主流,市占一半以上

  •   根據市場(chǎng)研究機構iSuppli的最新預測,DDR3(Double Data Rate 3)標準型內存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球DRAM市場(chǎng)出貨占比可望突破50%。   據國外媒體報道,以單位出貨量計算,DDR3明年第2季的市占率將達50.9%,較今年第2季的14.2%大幅竄升。   iSuppli另預估,至2010年底,DDR3出貨市占率將達到71%。   iSuppli分析師Mike Howard于報告中寫(xiě)道,DDR3的速度比DDR2快50%,耗電量則低30%。他強調:&ldquo
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iSuppli:明年第2季DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流

  •   根據市場(chǎng)研究機構 iSuppli 的最新預測,DDR3 (Double Data Rate 3) 標準型內存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球 DRAM 市場(chǎng)出貨占比可望突破 50%。   以單位出貨量計算,DDR3 明年第 2 季的市占率將達 50.9%,較今年第 2 季的 14.2% 大幅竄升。   iSuppli 另預估,至 2010 年底, DDR3 出貨市占率將達到 71%。   iSuppli 分析師霍華 (Mike Howard) 于報告中寫(xiě)道,DDR3 的速度比 DD
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DRAM廠(chǎng)想靠DDR3翻身 得先過(guò)技術(shù)門(mén)檻

  •   市場(chǎng)研究機構DIGITIMES Research指出,2007年以來(lái),全球DRAM廠(chǎng)商在過(guò)度樂(lè )觀(guān)的預期下,相繼投入產(chǎn)能擴充競賽,這也使得DRAM供過(guò)于求的陰影揮之不去;自此,DRAM價(jià)格持續下挫,過(guò)去八季中,除龍頭廠(chǎng)商三星電子外,多數DRAM廠(chǎng)商也都難逃嚴重虧損的命運。   其中,德國DRAM制造商奇夢(mèng)達更因不堪虧損,于2009年第一季宣布破產(chǎn),自此退出DRAM市場(chǎng)。正因如此,新一代DRAM規格DDR3的推出,被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關(guān)鍵。   DIGITIMES Research指出,事
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DDR內存合約價(jià)格大漲 南科華亞科受惠

  •   據臺灣媒體報道,11月上旬動(dòng)態(tài)隨機存取內存(DRAM)合約價(jià)出爐,DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)皆大漲超過(guò)15%,DDR2 2Gb合約均價(jià)漲幅也達13.9%,預估11月下旬DDR2合約價(jià)可望持續攀高,以合約市場(chǎng)為主的南科、華亞科預估受惠較大。   集邦科技昨最新報價(jià),11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價(jià)達2.38美元,比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價(jià)達2.25美元,大漲15.98%。   另DDR2 2Gb合約均價(jià)從36美元上漲到41美元,漲幅達13.9
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DRAM合約價(jià)大漲,今年沒(méi)淡季

  •   2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒(méi)有淡季,11月上旬DDR2和DDR3合約價(jià)持續大漲近20%,2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價(jià),足見(jiàn)PC OEM廠(chǎng)拉貨力道沒(méi)有休息跡象,DRAM廠(chǎng)為確保DDR2和DDR3買(mǎi)氣同步增溫,趁機向下游廠(chǎng)祭出搭售方式。DRAM廠(chǎng)認為,隨著(zhù)PC OEM廠(chǎng)第4季大量轉進(jìn)DDR3平臺,未來(lái)DDR3現貨及合約價(jià)將同步凌駕DDR2,而現貨市場(chǎng)DDR3報價(jià)亦展開(kāi)攻勢,一舉站上3美元大關(guān)。   DRAM價(jià)格11月上旬漲幅超乎預期,2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈,大漲19~21%,平均價(jià)
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爾必達和茂德簽署DRAM代工協(xié)議

  •   茂德(ProMos)已和爾必達(Elpida)簽署DRAM代工合約,爾必達將提供先進(jìn)的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德,茂德將以中科12寸晶圓廠(chǎng)提供爾必達DRAM代工服務(wù)。   茂德表示,代工服務(wù)以爾必達最先進(jìn)的1G DDR3產(chǎn)品為主,預計2010年上半完成試產(chǎn),2010年下半大量生產(chǎn)。此外,爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示,茂德每月將使用多達3.5萬(wàn)片12寸晶圓為爾必達制造芯片,同時(shí),采用65奈米制程技術(shù)。   茂德董事長(cháng)暨總經(jīng)理陳民良表示,爾必達在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng )新研發(fā)
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集邦:全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收季增率高達40.7%

  •   根據調查,今年第三季,DDR3在計算機系統廠(chǎng)商積極拉抬PC搭載DDR3比例下,需求量激增,DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%,現貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面,由于DDR3合約價(jià)格大漲,亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢,且在第三季國際DRAM大廠(chǎng)轉進(jìn)DDR3相當積極,導致DDR2出貨量減少效應持續發(fā)酵,部份PC OEM廠(chǎng)商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位,使得本季DDR2合約價(jià)漲幅高達31%、現貨價(jià)格漲幅亦高達30%,漲幅與DDR3不惶多讓。   第三季各DRAM廠(chǎng)商營(yíng)收在DDR3合約價(jià)
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金士頓:看好明年NAND Flash市場(chǎng)前景

  •   遠東金士頓(Kingston)董事長(cháng)蔡篤恭指出,目前PC OEM廠(chǎng)對于DDR2和DDR3貨源都很缺,產(chǎn)業(yè)鏈庫存水位不高,預計到2009年底前都沒(méi)有淡季,展望2010年存儲器產(chǎn)業(yè),NAND Flash市場(chǎng)受惠終端應用多元化發(fā)展,包括手機應用起飛和固態(tài)硬碟(SSD)應用浮出水面,加上NAND Flash端的供應商有限,預計NAND Flash產(chǎn)業(yè)表現可優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè),而DRAM產(chǎn)業(yè)供不應求偏向是短期產(chǎn)能不足,DRAM價(jià)格在2.5美元上下是健康的水位,對PC廠(chǎng)、DRAM廠(chǎng)雙方是可接受的價(jià)位。   蔡篤恭
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海力士半導體預期第四季DRAM價(jià)格上揚 明年市場(chǎng)趨緊

  •   韓國海力士半導體預估,動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)晶片市場(chǎng)將在第四季維持強勁,并指出合約價(jià)格可能在11月進(jìn)一步揚升,12月時(shí)趨穩。   海力士公司主管在投資人電話(huà)會(huì )議中稱(chēng),由于產(chǎn)業(yè)供應增長(cháng)有限,2010年料出現DRAM短缺。   他們表示,低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場(chǎng)的主流。
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南亞科、華亞科沖刺50納米 明年資本支出逾600億新臺幣

  •   臺塑集團旗下DRAM廠(chǎng)南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小,并紛摩拳擦掌準備沖刺先進(jìn)制程,其中,南亞科10月中已全數轉換至 68納米制程,首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功,目標2010年第2季全數轉至50納米制程,屆時(shí)將全數出貨2Gb DDR3芯片,趕搭DDR3主流列車(chē);華亞科則預計2010年第1季50納米制程量產(chǎn),2010年底旗下13萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能全轉至50納米制程,南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達640億元,主要用于50納米制程。   南亞科和華亞科第3季營(yíng)運表現明顯好轉,對于先
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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  •   隨著(zhù)DRAM價(jià)格開(kāi)始反彈,南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少,南亞科發(fā)言人白培霖指出,11月DRAM合約價(jià)可持續成長(cháng),更看好PC市場(chǎng)因為Vista因素,累計整整3年未換機的能量,加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒(méi)有新產(chǎn)能開(kāi)出,將在2010年出現供不應求的情況,甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代,當時(shí)1年的DRAM產(chǎn)值超過(guò)400億美元,達到史上最高紀錄。   白培霖指出,2009年DRAM合約價(jià)從8月開(kāi)始,每個(gè)月以成長(cháng)20%的速度往上調,11月DRAM合約價(jià)可持續成長(cháng)近2個(gè)月DDR3幾乎是持平,主要漲幅
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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內存芯片

  •   據報道,海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片,新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種,并將會(huì )在本月開(kāi)始投入量產(chǎn)。   此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓,但功耗降低了30%,號稱(chēng)是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內存芯片。根據iSuppli的統計,1Gb DDR3內存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達到了87%,更高密度的內存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。   根據海力士的介紹,數據中心、服務(wù)器、超級計算機或
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留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個(gè)月

  •   據摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱(chēng),DDR2芯片的價(jià)格未來(lái)將繼續上漲,并很有可能會(huì )超過(guò)DDR3芯片的售價(jià),不過(guò)漲價(jià)期應該不會(huì )超過(guò)6個(gè)月,而DDR3芯片則將在這段時(shí)間內漸成市場(chǎng)主流。據Wang分析,驅動(dòng)最近DDR2芯片價(jià)格上漲的主要因素是各大內存芯片廠(chǎng)商紛紛將產(chǎn)能轉而投放到DDR3芯片的生產(chǎn)上。三星,海力士,爾必達以及鎂光幾家大廠(chǎng)均在積極抬高DDR3芯片的產(chǎn)能,同時(shí)壓低DDR2芯片的產(chǎn)能。   盡管如此,如果中國大陸國慶節期間DDR2芯片的市場(chǎng)需求不如預期的強勢,那么DDR2芯片的價(jià)格仍有
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ddr3介紹

目錄概述 設計 發(fā)展 DDR3內存的技術(shù)改進(jìn) 概述   針對Intel新型芯片的一代內存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內存),頻率在800M以上,和DDR2相比優(yōu)勢如下:   (1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓,在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量,使得DDR3更易于被用戶(hù)和廠(chǎng)家接受。   (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實(shí)現更高的工作頻率,在一定程度 [ 查看詳細 ]

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