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ddr3 文章 進(jìn)入ddr3技術(shù)社區
廠(chǎng)商采取搭售策略 挽回DDR2銷(xiāo)售頹勢
- 全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續上漲，DDR2價(jià)格卻嚴重下跌，且累積庫存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠(chǎng)開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略，希望系統廠(chǎng)和模塊廠(chǎng)不要只購買(mǎi)DDR3模塊，由于DDR3模塊在現貨市場(chǎng)貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進(jìn)DRAM大廠(chǎng)，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時(shí)，避免產(chǎn)品價(jià)格嚴重背道而馳。 近期DRAM市場(chǎng)已呈現兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場(chǎng)缺貨情況持續惡化，但DDR2芯片庫存卻是愈堆愈多，存儲
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海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求
- 據國外媒體報道，由于計算機內存芯片供不應求可能有助于利潤創(chuàng )下4年來(lái)新高，全球第二大內存芯片廠(chǎng)商海力士計劃今年償還逾1萬(wàn)億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 海力士首席執行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，“我們的目標是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬(wàn)億韓元(約合62.16億美元)。” 更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱(chēng)，由于PC需求增長(cháng)，今年
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臺灣DRAM廠(chǎng)商大舉轉產(chǎn)DDR3
- 2010年P(guān)C主流內存標準從DDR2向DDR3的轉換正在逐步成為現實(shí)。據臺灣媒體報道，由于下游廠(chǎng)商的DDR2訂單量近期出現急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉換的步伐。根據稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開(kāi)始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 另一家DRAM大廠(chǎng)
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DDR2乏人問(wèn)津 DRAM廠(chǎng)搶轉產(chǎn)能
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠(chǎng)紛搶著(zhù)將產(chǎn)能轉移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過(guò)，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著(zhù)把DDR2產(chǎn)能轉走，說(shuō)不定會(huì )意外讓DDR2跌勢止穩，反而有利于DDR2價(jià)格走勢。 臺 DRAM廠(chǎng)表示，原本業(yè)者認為在農歷春節前DDR2買(mǎi)氣還有最后一搏機會(huì )，因為DDR2若
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力晶半導體稱(chēng)第四財季實(shí)現凈利潤
- 臺灣力晶半導體表示，經(jīng)過(guò)連續十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩步上漲的推動(dòng)，第四財政季度公司實(shí)現凈利潤。 力晶半導體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱(chēng)，已有大量現金流入公司，這將顯著(zhù)改善公司的財務(wù)結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。 力晶半導體稱(chēng)，公司將通過(guò)增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。 分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比，DDR3的處理速度更快，
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力晶半導體稱(chēng)第四財季實(shí)現凈利潤
- 據國外媒體報道，臺灣力晶半導體近日表示，經(jīng)過(guò)連續十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩步上漲的推動(dòng)，第四財政季度公司實(shí)現凈利潤。 力晶半導體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱(chēng)，已有大量現金流入公司，這將顯著(zhù)改善公司的財務(wù)結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。 力晶半導體稱(chēng)，公司將通過(guò)增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。 分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比，DD
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美光爭取華亞科主導權 臺塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認購現增額度，但近期傳出美光向臺塑集團攤牌，希望能增加認購比例，爭取華亞科更多股權，惟臺塑集團回決此提議，認為目前「等權共治」策略較佳。內存業(yè)者表示，在瑞晶股權落入爾必達(Elpida)手中后，華亞科主導權亦成為臺、美雙方角力戰場(chǎng)，背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過(guò)，針對美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評。 2009年臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合計劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
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2010年內存市場(chǎng)預測:價(jià)格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著(zhù)2010年寒假及春節的臨近，電子賣(mài)場(chǎng)即將迎來(lái)新一輪的銷(xiāo)售高潮。記者在走訪(fǎng)中關(guān)村電子賣(mài)場(chǎng)時(shí)了解到，步入2010年，多數型號內存價(jià)格已有小幅上漲，或已計劃漲價(jià)。銷(xiāo)售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內存價(jià)格一路上揚，其主要原因在于金融危機對中國市場(chǎng)的影響逐漸消逝，而各廠(chǎng)家的出貨量沒(méi)有迅速提高，導致部分廠(chǎng)家、型號的內存出現短時(shí)間缺貨。 據商家預計，2010年內存價(jià)格仍會(huì )緩慢上漲，寒假銷(xiāo)售情況被普遍看好。 據國外專(zhuān)業(yè)分析機構DRAMeXchange報道，受2010年P(guān)C銷(xiāo)量看漲以及OEM
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華亞科現金增資案過(guò)關(guān)
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺系DRAM廠(chǎng)忙著(zhù)搶錢(qián)擴大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現金增資，預計再募資超過(guò)新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資本支出高達640億元，2家DRAM廠(chǎng)雙雙展開(kāi)搶錢(qián)大作戰，一同轉進(jìn)50奈米制程世代，且同時(shí)增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重，屆時(shí)生產(chǎn)成本可持續降低。 經(jīng)歷2008年金融風(fēng)暴洗禮，全球DRAM廠(chǎng)從破產(chǎn)邊緣逐漸爬起，也使得各廠(chǎng)都沒(méi)有多余的資金可以擴產(chǎn)和進(jìn)行制程微縮，配合終端需求有Windo
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DRAMeXchange：明年下半年內存市場(chǎng)將出現嚴重缺貨現象
- 據DRAMeXchange預測，由于同期的PC銷(xiāo)量看好，加上OEM廠(chǎng)商為了保證庫存會(huì )開(kāi)始大量進(jìn)貨，因此明年下半年內存市場(chǎng)可能會(huì )出現嚴重的缺貨現象。另外，內存價(jià)格的低迷走勢有望于明年第二季度開(kāi)始減緩，而各大內存廠(chǎng)商則有望于明年年底實(shí)現扭虧為盈。 DRAMeXchange還預測稱(chēng)，明年第一季度，DDR3內存將力壓DDR2成為內存市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，到明年年底，DDR3內存的銷(xiāo)量將可占據內存市場(chǎng)整體份額的80%。相比另外一家市場(chǎng)分析機構iSuppli上個(gè)月的預測而言，DRAMeXchange對DDR3的信
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爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內存芯片已投入量產(chǎn)
- 爾必達公司近日宣布其位于廣島的芯片廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品，爾必達公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內存芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)工作，而他們只用了兩個(gè)月的時(shí)間便將這項技術(shù)投入了量產(chǎn)。 ? 比較現有的50nm制程技術(shù)，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規格的DDR3內存芯片時(shí)的良率可達100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達到1
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爾必達開(kāi)發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內存芯片
- 爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作，并稱(chēng)使用這種新制程技術(shù)制作出的內存芯片在制作成本方面要比現有的50nm制程內存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶 圓上時(shí)，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開(kāi)發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進(jìn)一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著(zhù)減小廠(chǎng)方在制造設備上的費用投資。 這種65nm XS制程技術(shù)的1Gb DDR3內存芯片面向的
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DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術(shù)。 DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內也不會(huì )過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)。 主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
DDR2仍未過(guò)時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術(shù)。 DDR2 還不算過(guò)時(shí)，而且未來(lái)一段時(shí)間之內也不會(huì )過(guò)時(shí)，它的價(jià)格在過(guò)去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢(qián)大樹(shù)。 主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過(guò)渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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