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90納米
90納米 文章 進(jìn)入90納米技術(shù)社區
Tensilica90納米工藝流程下實(shí)現全面支持
- 可配置處理器內核供應商TensilicaÒ公司宣布增加了其自動(dòng)可配置處理器內核的設計方法學(xué)以面對90納米工藝下普通集成電路設計的挑戰。這些增加支持Cadence公司和Synosys公司的工具的最新能力，包括自動(dòng)生成物理設計流程腳本，這些腳本可以大幅降低功耗，自動(dòng)輸入用戶(hù)定義的功耗結構以及支持串繞分析。 “90納米設計代表了IC設計工程師所面臨的最重要的新挑戰，”Tensilica公司市場(chǎng)副總裁Steve Roddy指出，“通過(guò)針對同級別最佳（best-in-class）的設
- 關(guān)鍵字： 90納米 Tensilica 工藝流程
英飛凌與中芯將合作協(xié)議擴展至90納米
- 英飛凌科技股份有限公司和中芯國際集成電路制造有限公司 近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴展在標準記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現有合作，開(kāi)始90納米標準的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。 根據新協(xié)議的內容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉讓于中芯國際，并可以在未來(lái)期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內的產(chǎn)品。預計在2006年中期完成產(chǎn)品的最終驗證之后，中芯國際將開(kāi)始將其目前用于英飛凌110納米D
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90納米介紹
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