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65nm
65nm 文章 進(jìn)入65nm技術(shù)社區
最高提升81% 英特爾45nm VS 65nm測試
- 次世代x86處理器大戰即將上演,面對著(zhù)AMDK10全新微架構產(chǎn)品,Intel將以45nm制程配合經(jīng)強化改良的Core微架構應戰,為了不讓對手重奪技術(shù)主導權,Intel防堵大計預將陸續登場(chǎng)?為進(jìn)一步了解Intel迎擊戰略,HKEPC將分析Intel未來(lái)半年的桌面處理器產(chǎn)品布局,并獨家找來(lái)全港首顆45nm四核心Yorkfieled,與上代Kensfield作對比測試。 ● Intel計劃于11月11日發(fā)布首款45nm產(chǎn)品  
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制程工藝再次革命 看45nm向65nm的大躍進(jìn)
- 11月8日消息 英特爾在即將到來(lái)的11月16日會(huì )再次兌現自己偶數年實(shí)現技術(shù)更新的承諾,而今年的這次的發(fā)布會(huì )更為人們所關(guān)注的原因只在于一個(gè)——將摩爾定律推遲10年甚至是15年成為現實(shí)的45nm制程工藝。 在英特爾的眼中,技術(shù)創(chuàng )新已經(jīng)成為了慣性,05年45nm概念的提出到06年出現的晶圓,再到07年即將展現在人們面前的處理器,創(chuàng )新使得英特爾越走越快。不過(guò)這也令業(yè)界人士困惑:不是剛剛開(kāi)始65nm的鋪貨嗎?而采用兩種制程工藝制造的CPU到底又有多少差距呢? 45nm制程工藝簡(jiǎn)介 多年來(lái)Int
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LSI提供新一代65nm物理層IP樣片
- LSI 公司日前宣布已開(kāi)始提供新一代65 納米多接口物理層 (PHY) IP —— TrueStore® PHY8800,該產(chǎn)品將用于筆記本、臺式機及企業(yè)存儲系統的硬盤(pán)驅動(dòng)器 (HDD)。 LSI TrueStore® PHY8800 的數據傳輸速率高達每秒 6G,可支持新一代串行 ATA (SATA) 與 串行連接 SC
- 關(guān)鍵字: 通訊 無(wú)線(xiàn) 網(wǎng)絡(luò ) 65nm 物理層 IP
LSI提供適用于硬盤(pán)驅動(dòng)器的65nm物理層IP樣片
- LSI 公司日前宣布已開(kāi)始提供新一代65 納米多接口物理層 (PHY) IP —— TrueStore® PHY8800,該產(chǎn)品將用于筆記本、臺式機及企業(yè)存儲系統的硬盤(pán)驅動(dòng)器 (HDD)。 LSI TrueStore® PHY8800 的數據傳輸速率高達每秒 6G,可支持新一代串行 ATA (SATA) 與 串行連接 SC
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AMD 65nm全新微架構移動(dòng)CPU路線(xiàn)圖曝光
- 據臺灣省主板業(yè)內人士透露,AMD 2007年將推出采用65nm SOI工藝的新Turion 64 X2及移動(dòng)Sempron處理器,支持雙通道DDR2-800內存。而采用全新K8L微架構的Lion核心要到2008年才會(huì )正式登場(chǎng)。 自從AMD于2006 年第二季度推出 Turion 64 X2(核心代號 Taylor)處理器后,主流產(chǎn)品均已進(jìn)入雙核時(shí)代,只保留低端移動(dòng)Sempron 仍采用單核心設計 (核心代號為 Keene)。同時(shí)AMD雙核心產(chǎn)品還增加了雙通道內存控制器,在規格上更具吸引力,但由
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賽靈思推出65nm FPGA一周年:VIRTEX-5 FPGA率先實(shí)現量產(chǎn)
- 賽靈思公司日前隆重宣布,其屢獲殊榮的65nm Virtex-5 FPGA系列兩款器件LX50 和 LX50T最先實(shí)現量產(chǎn)。自2006年5月15日推出65nm Virtex-5 FPGA平臺以來(lái),賽靈思目前已向市場(chǎng)發(fā)售了三款平臺(LX、LXT和SXT)的13種器件,它們?yōu)榭蛻?hù)提供了無(wú)需任何折衷的業(yè)界最高的性能、最低的功耗, 并擁有業(yè)界唯一內建的PCI Express®™ 端點(diǎn)和千兆以太網(wǎng)模塊,以及業(yè)界最高的DSP性能。 賽靈思公司高級產(chǎn)品部執行副總裁Iain Morris 表示
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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶(hù)提供全套解決方案
- 富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式會(huì )社、富士通微電子美國公司(FMA)以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導體公司(Jazz)將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設備的片上系統(SoC)產(chǎn)品。根據各方簽署的協(xié)議備忘錄,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專(zhuān)業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結合,使兩家公司能夠為SoC客戶(hù)提供高性能的客戶(hù)自有工具(COT)代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝,提供給捷智高精度的RF模型
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意法半導體測試65nm硬盤(pán)驅動(dòng)器物理層IP模塊
- 意法半導體宣布公司成功地制造出業(yè)內第一個(gè)新一代65nm串行接口MIPHY(多接口PHY)物理層接口IP(知識產(chǎn)權)模塊。ST設計這款宏單元旨在于將其與其它功能一起集成到支持3 Gbps和6 Gbps的移動(dòng)和臺式計算機串行ATA(SATA)硬盤(pán)驅動(dòng)器(HDD)的低功耗系統芯片(SoC)內。 通過(guò)制造和驗證這款65nm接口設計,ST正在為今年下半年系統芯片向65nm技術(shù)過(guò)渡做準備,以便與客戶(hù)一起分享低功耗要求和更小的物理尺寸帶來(lái)的好處。經(jīng)過(guò)驗證的IP模塊將大幅度壓縮新產(chǎn)品的上市
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賽靈思推出65nm FPGA Virtex-5的PCI Express開(kāi)發(fā)套件
- 賽靈思公司宣布推出基于業(yè)界第一個(gè)列入PCI SIG集成商列表的65nm FPGA- Virtex-5的 PCI Express開(kāi)發(fā)套件。包括一個(gè)開(kāi)發(fā)套件和協(xié)議包文件在內的完全解決方案可幫助設計人員加快1-8路 PCIe 應用的設計,可幫助客戶(hù)加快通信和網(wǎng)絡(luò )、視頻和廣播、存儲和計算、工業(yè)以及航空和國防等多種市場(chǎng)應用的產(chǎn)品速度。該開(kāi)發(fā)套件為設計人員評估并放心地利用賽靈思PCI Express端點(diǎn)模塊完成設計提供了所需要的一切。 賽靈思Virtex-5 FPGA內建PCI Express端點(diǎn)模塊和低功耗3.2G
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賽靈思為DSP優(yōu)化65nm FPGA
- 賽靈思公司(Xilinx, Inc.)宣布開(kāi)始向市場(chǎng)交付針對高性能數字信號處理(DSP)而優(yōu)化的65nm Virtex-5 SXT現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)器件的首批產(chǎn)品。SXT平臺的DSP在550MHz下性能達352 GMAC,而且動(dòng)態(tài)功率較上一代90nm器件相比降低35%。Virtex-5 SXT平臺為無(wú)線(xiàn)WIMAX以及監控和廣播等高分辨率視頻等領(lǐng)域中的高性能數字信號處理應用提供了最高的DSP模塊和邏輯資源比。增強的DSP邏輯片(DSP48E)包括一個(gè)25 x 18位乘法器、一個(gè)48位第二級累加和算
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Synopsys優(yōu)化Hercules物理驗證套件完善IBM 65nm 設計工具包
- Synopsys宣布,其Hercules™ 物理驗證套件 (PVS) 已經(jīng)實(shí)現了先進(jìn)器件參數測量功能。該功能的開(kāi)發(fā)可支持IBM 最新發(fā)布的65nm 設計工具包,從而幫助IBM晶圓代工客戶(hù)應用Hercules工具包中的版圖原理圖一致性驗證 (LVS) 規范文件,輕松而準確地將器件特性與IBM流程相關(guān)聯(lián)。 作為65nm設計工具包發(fā)布的一部分,最新的Hercules設計規則檢查(DRC) 也可同時(shí)提供給IBM晶圓代工客戶(hù)。這些文件有助于提升精度并優(yōu)化性能。 IBM全球工程解決方案實(shí)施
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ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存
- ST推出了一個(gè)采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品?;诘谒拇嚯娖絾卧?MLC)技術(shù),65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現有的90nm PR系列NOR閃存,為客戶(hù)升級現有系統提供了一條捷徑,同時(shí)還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。 為滿(mǎn)足移動(dòng)應用市場(chǎng)對高分辨相機、多媒體內容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求,新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達到133MHz,編程速度達到1.0-MB/s,支持深關(guān)斷睡眠模式,采用1.8V電源電壓。這個(gè)先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、L
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Intel 65nm處理器產(chǎn)品深入分析
- 轉入新制程 Intel 65nm處理器產(chǎn)品深入分析 65納米和雙核心無(wú)處不在,Intel打算從2006年第一季開(kāi)始普及這個(gè)概念,首先主打的是它的形象產(chǎn)品——EE系列(Extreme Edition ),EE其實(shí)就是物以稀為貴,用來(lái)?yè)伍T(mén)面的限量產(chǎn)品,AMD的FX系列也有這個(gè)嫌疑。我們不指望下列產(chǎn)品會(huì )得到大眾親睞: 955EE首次采用了兩個(gè)65納米工藝的Presler核心(Presler采用新工藝后就是Cedar 
- 關(guān)鍵字: 06技術(shù)回顧 65nm Intel 處理器
兩大巨頭你追我趕 處理器65nm時(shí)代提前來(lái)臨
- 半導體工藝技術(shù)日新月異。記得當年P(guān)3的末期,P3 Tualatin憑借著(zhù)130nm的技術(shù),讓原本已經(jīng)P3的性能再一次的爆發(fā)。不過(guò)好景不長(cháng),隨著(zhù)P4的上市,P3 Tualatin漸漸淡出市場(chǎng)。初期的Willamette核心P4性能表現并不優(yōu)秀,甚至在一些方面還不如P3 Tualatin系列處理器,直到基于130nm的技術(shù)的Northwood P4出現,這才真正的發(fā)揮出P4的性能,到了后期90nm技術(shù)的 Prescott P4出現,將P4的極限頻率再次再次提高一個(gè)層次。 然而由于Net
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65nm介紹
半導體制造工藝,指集成電路內電路與電路間的距離。在處理器領(lǐng)域,制造工藝可以看作是處理器核心中每一個(gè)晶體管的大小。早期制作工藝采用微米作為單位,隨著(zhù)近兩年工藝技術(shù)的進(jìn)步,包括處理器、內存、顯卡等芯片的制作工藝已經(jīng)全面采用更小的納米單位,而65nm工藝是處理器領(lǐng)域中先進(jìn)的制造工藝。
在生產(chǎn)中一般采用的生產(chǎn)方式是光刻,光刻是在掩模板上進(jìn)行的,宏觀(guān)上講,只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了, [ 查看詳細 ]
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